一种具有保护RAM数据功能的电路制造技术

一种具有保护RAM数据功能的电路，涉及商务网关数据存储保护技术，目的是为了解决商务网关因异常断电而导致自身数据丢失的问题。本发明专利技术的主控制模块用于检测所述RAM模块的工作状态及所述RAM电路的供电电压，并根据检测结果控制其输出给信号保护电路的控制IO信号；所述的信号保护电路与所述的主控制模块和所述的RAM模块相连接，用于保持RAM模块控制信号处于稳定状态，以及根据所述的控制IO信号选择所述RAM模块的供电电路；所述的电池充放限流电路与所述的信号保护电路和和所述的RAM模块相连接，用于在RAM模块采用备用电池供电时，使所述的备用电池维持最小电流供电。本发明专利技术适用于各类使用大容量RAM模块的电器设备。

A circuit with the function of protecting RAM data

【技术实现步骤摘要】
一种具有保护RAM数据功能的电路
本专利技术涉及商务网关数据存储保护的控制电路，属于网关类产品的

技术介绍
在一卡通商务网关的应用过程中，由于受到方案和成本的限制，网关的部分功能采用低端的控制器和静态存储器(简称RAM)来实现数据存储。商务网关在运行过程中，会产生大量的临时数据，大量的数据都要缓存在网关自身的存储器RAM中，尤其是数据中存在部分丢失后不能找回的重要数据，很多数据可能是整个商务网关系统，乃至整个一卡通系统的重要数据，这些数据一旦丢失可能造成灾难性的后果，如部分密钥、用户消费流水记录等。现实使用过程中，商务网关的外在使用环境已经做到非常安全可靠，但是无论多么完善的保护措施，都有可能出现异常情况，偶尔的异常断电，电源强烈受干扰等问题都有可能发生。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决商务网关因异常断电而导致自身重要数据丢失的问题，提供一种具有保护RAM数据功能的电路。本专利技术所述的一种具有保护RAM数据功能的电路包括RAM模块、主控制模块、信号保护电路、以及电池充放限流电路；所述的主控制模块用于检测所述RAM模块的工作状态及所述RAM电路的供电电压，并根据检测结果控制其输出给信号保护电路的控制IO信号；所述的信号保护电路与所述的主控制模块和所述的RAM模块相连接，用于保持RAM模块控制信号处于稳定状态，以及根据所述的控制IO信号选择所述RAM模块的供电电路；所述的电池充放限流电路与所述的信号保护电路和和所述的RAM模块相连接，用于在RAM模块采用备用电池供电时，使所述的备用电池维持最小电流供电。进一步地，所述的信号保护电路包括：电阻R30、三极管Q4、电阻R9、电阻R44、三极管Q7、场效应管Q5、场效应管Q6、电阻R42及电阻R10；所述电阻R30的一端连接主控制模块的控制IO信号输出端、另一端连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的发射集连接3.3V电源、集电极同时连接电阻R9的一端和电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端连接三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射集与电阻R9的另一端连接电源地，三极管Q7的集电极同时连接场效应管Q5的栅极、场效应管Q6的栅极以及电阻R10的一端，场效应管Q5的源极用于接收来自主控制模块的CPLD的控制信号、漏极连接电阻R42的一端，并且同时作为RAM模块控制信号输出端，场效应管Q6的源极连接3.3V电源，场效应管Q6的漏极同时连接电阻R42的另一端和电阻R10的另一端，且连接点作为RAM模块的主电源。进一步地，所述的电池充放限流电路包括：备用电池B2、电阻R24、电容C33、电阻R45、三极管Q8、电阻R46以及电容C32；所述的备用电池B2的正极连接电阻R24的一端、负极与电容C33的一端连接电源地，电容C33的另一端同时连接电阻R24的另一端、三极管Q8的集电极和电阻R45的一端，电阻R45的另一端同时连接三极管Q8的基极和电阻R46的一端，电阻R46的另一端与电容C32的一端同时连接电源地，电容C32的另一端连接三极管Q8的发射极，且连接点作为RAM模块的备用电源。进一步地，所述的电池充放限流电路还包括充电电路D4，所述备用电池B2为可充电电池，当RAM模块采用主电源供电时，所述的充电电路D4用于为所述备用电池B2充电。进一步地，所述的充电电路D4由两个同向并联的二极管组成；所述充电电路D4的阴极连接三极管Q8的集电极、阳极连接三极管Q8的发射极。在备份电池容量允许的情况下，本专利技术可保护商务网关自带的大容量RAM存储器内的数据在有效的时间内不丢失，在这段时间内只要正常再开机，可以保证系统数据安全稳定。本专利技术所描述的一种RAM的数据保护电路的优点有：1、数据存储高效可靠，RAM的使用，保证了数据读写的高速和可靠，为系统软件节省了资源，避免了使用其它存储器所带来的软件代码量过大，维护工作量大且复杂的弊端。2、供电时间长，如果使用大容量电池，如CR2023，可保持3天数据不丢失，只要在这段时间内正常再开机，即可保证系统数据安全稳定。3、快速反应，主控制模块认定电源异常后，马上启动保护电路工作，无延迟，先保护，后处理。4、电量泄露少，由于使用场效应管电路控制电源通断，能很好的防止备用电池的电量向主电路泄露，保证电池更为高效使用。本专利技术可适用于各类使用大容量RAM模块的电器设备。附图说明图1是本专利技术具体实施方式提供的一种具有保护RAM数据功能的电路的结构示意图；图2是本专利技术具体实施方式提供的信号保护电路的电路结构示意图；图3是本专利技术具体实施方式提供的电池充放限流电路的电路结构示意图；图4是本专利技术具体实施方式中的RAM模块的电路结构示意图。具体实施方式具体实施方式一：结合图1至图4说明本实施方式。RAM存储模块具有低功耗、容量大、控制信号复杂的特点，满足RAM模块数据不丢失的条件主要有两个，一个是保证供电电压(VDR)始终高于1.2V，另一个是发生异常情况时，保证RAM模块的使能控制信号(CE)保持高电位(约等于芯片供电电压)，防止因读写信号异常而导致数据受损。本实施方式围绕上述两个条件提供了一种具有保护RAM数据功能的电路，所述RAM电路包括RAM模块、主控制模块、信号保护电路、以及电池充放限流电路；所述的主控制模块用于检测所述RAM模块的工作状态及所述RAM电路的供电电压，并根据检测结果控制其输出给信号保护电路的控制IO信号；所述的信号保护电路与所述的主控制模块和所述的RAM模块相连接，用于保持RAM模块控制信号处于稳定状态，以及根据所述的控制IO信号选择所述RAM模块的供电电路；所述的电池充放限流电路与所述的信号保护电路和和所述的RAM模块相连接，用于在RAM模块采用备用电池供电时，使所述的备用电池维持最小电流供电。所述的信号保护电路包括：电阻R30、三极管Q4、电阻R9、电阻R44、三极管Q7、场效应管Q5、场效应管Q6、电阻R42及电阻R10；所述电阻R30的一端连接主控制模块的控制IO信号输出端、另一端连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的发射集连接3.3V电源、集电极同时连接电阻R9的一端和电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端连接三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射集与电阻R9的另一端连接电源地，三极管Q7的集电极同时连接场效应管Q5的栅极、场效应管Q6的栅极以及电阻R10的一端，场效应管Q5的源极用于接收来自主控制模块的CPLD的控制信号、漏极连接电阻R42的一端，并且同时作为RAM模块控制信号输出端，场效应管Q6的源极连接3.3V电源，场效应管Q6的漏极同时连接电阻R42的另一端和电阻R10的另一端，且连接点作为RAM模块的主电源。所述的电池充放限流电路包括：备用电池B2、电阻R24、电容C33、电阻R45、三极管Q8、电阻R46以及电容C32；所述的备用电池B2的正极连接电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有保护RAM数据功能的电路，其特征在于，包括RAM模块、主控制模块、信号保护电路、以及电池充放限流电路；/n所述的主控制模块用于检测所述RAM模块的工作状态及所述RAM电路的供电电压，并根据检测结果控制其输出给信号保护电路的控制IO信号；/n所述的信号保护电路与所述的主控制模块和所述的RAM模块相连接，用于保持RAM模块控制信号处于稳定状态，以及根据所述的控制IO信号选择所述RAM模块的供电电路；/n所述的电池充放限流电路与所述的信号保护电路和和所述的RAM模块相连接，用于在RAM模块采用备用电池供电时，使所述的备用电池维持最小电流供电。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有保护RAM数据功能的电路，其特征在于，包括RAM模块、主控制模块、信号保护电路、以及电池充放限流电路；
所述的主控制模块用于检测所述RAM模块的工作状态及所述RAM电路的供电电压，并根据检测结果控制其输出给信号保护电路的控制IO信号；
所述的信号保护电路与所述的主控制模块和所述的RAM模块相连接，用于保持RAM模块控制信号处于稳定状态，以及根据所述的控制IO信号选择所述RAM模块的供电电路；
所述的电池充放限流电路与所述的信号保护电路和和所述的RAM模块相连接，用于在RAM模块采用备用电池供电时，使所述的备用电池维持最小电流供电。


2.根据权利要求1所述的具有保护RAM数据功能的电路，其特征在于，所述的信号保护电路包括：电阻R30、三极管Q4、电阻R9、电阻R44、三极管Q7、场效应管Q5、场效应管Q6、电阻R42及电阻R10；
所述电阻R30的一端连接主控制模块的控制IO信号输出端、另一端连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的发射集连接3.3V电源、集电极同时连接电阻R9的一端和电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端连接三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射集与电阻R9的另一端连接电源地，三极管Q7的集电极同时连接场效应管Q5的栅极、场效应管Q6的栅极以及电阻R10的一端，场效应管Q5的源极用于接收来自主控制模块的CPLD的控制信号、漏极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李英志，
申请(专利权)人：哈尔滨新中新电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙;23