一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及导体材料领域，提供了一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法。本发明专利技术提供的A、B位共掺杂锆酸钙导体材料的化学式为：Y

A kind of a and B Co doped calcium zirconate conductor material and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法
本专利技术涉及导体材料领域，尤其涉及一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法。
技术介绍
氧化物混合导体材料具有较高的电子电导、离子电导及选择透氧能力，在多相催化、固体氧化物燃料电池、传感器、氧离子透过膜等方面均有重要应用，近年来发展迅速。其中ABO3型混合导体膜材料表现出更高的氧渗透性能，在氧分离等领域具有较大的应用潜力。而ABO3型混合导体膜材料中CaZrO3是研究较多的一类物质。锆酸钙具有ABO3型钙钛矿结构，具有良好的热稳定性和结构稳定性，但是未掺杂的锆酸钙电导率较低，不具有现实应用价值。为了解决锆酸钙电导率较低的问题，人们通过对锆酸钙进行钇掺杂，以提高锆酸钙的离子电导率。但是钇掺杂后的锆酸钙仍然具有总电导率低的问题，无法满足实际应用。
技术实现思路
本专利技术提供了一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料及其制备方法，本专利技术提供的A、B位共掺杂锆酸钙导体材料具有高的总电导率和离子电导率。本专利技术提供了一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料，所述A、B位共掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料，其特征在于，所述A、B位共掺杂锆酸钙导体材料的化学式为：Y

【技术特征摘要】
1.一种A、B位共掺杂锆酸钙导体材料，其特征在于，所述A、B位共掺杂锆酸钙导体材料的化学式为：YmCanZr1-xFexO3-δ，其中m＝0.01～0.1，n＝0.9～0.99，x＝0.01～0.6，δ代表氧空位，所述δ为0.01～0.6。


2.根据权利要求1所述A、B位共掺杂锆酸钙导体材料，其特征在于，所述x为0.5～0.6。


3.权利要求1或2所述A、B位共掺杂锆酸钙导体材料的制备方法，包括固相反应法、溶胶-凝胶法或水热法；
所述固相反应法包括以下步骤：
(1)将钇源、钙源、铁源和锆源混合，得到混合物；
(2)将所述混合物进行烧结处理，然后研磨，得到粉体；
(3)向所述粉体中加入可燃性成型剂，然后依次进行压制和煅烧处理，得到A、B位共掺杂锆酸钙导体材料；
所述溶胶-凝胶法包括以下步骤：
(1’)将氧氯化锆、钇源、铁源和钙源加入溶剂中，得到混合液；
(2’)向所述混合液中加入柠檬酸水溶液后搅拌，得到胶状物；
(3’)将所述胶状物依次进行烘干、研磨、预烧、压制和烧结处理，得到A、B位共掺杂锆酸钙导体材料；
所述水热法包括以下步骤：
(1”)将钇源、钙源、铁源、锆源和强碱水溶液混合，得到混合物料；
(2”)将所述混合物料进行水热反应后，固液分离，收集固体；
(3”)向所述固体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：单科，殷锡涛，蔡顺达，易中周，李楠，
申请(专利权)人：红河学院，
类型：发明
国别省市：云南;53