负极及包含其的电化学装置和电子装置制造方法及图纸

技术编号:23607488 阅读:60 留言:0更新日期:2020-03-28 07:56
本申请涉及负极及包含其的电化学装置和电子装置。本申请的负极包括硅基颗粒和石墨颗粒,其中距离所述硅基颗粒边缘的垂直距离为0‑6μm范围内存在的石墨颗粒数为N,基于所述硅基颗粒的总数量计,大于50%的硅基颗粒满足:6≤N≤17。本申请的负极具有良好的循环性能,同时由该负极制备的电池具有较好的倍率性能和较低的变形率。

Negative electrode and its electrochemical device and electronic device

【技术实现步骤摘要】
负极及包含其的电化学装置和电子装置
本申请涉及储能领域,具体涉及一种负极及包含其的电化学装置和电子装置,特别是锂离子电池。
技术介绍
随着消费电子类的产品如笔记本电脑、手机、平板电脑、移动电源和无人机等的普及,对其中的电化学装置的要求越来越严格。例如,不仅要求电池轻便,而且还要求电池拥有高容量和较长的工作寿命。锂离子电池凭借其具有能量密度高、安全性高、无记忆效应和工作寿命长等突出的优点已经在市场上占据主流地位。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种负极,以试图在至少某种程度上解决至少一种存在于相关领域中的问题。本申请实施例还提供了使用该负极的电化学装置以及电子装置。在一个实施例中,本申请提供了一种负极,其包括硅基颗粒和石墨颗粒,其中距离所述硅基颗粒边缘的垂直距离为约0-6μm范围内存在的石墨颗粒数为N,基于所述硅基颗粒的总数量计,大于约50%的硅基颗粒满足:6≤N≤17。在另一个实施例中,本申请提供一种电化学装置,其包括根据本申请的实施例所述的负极。在另一个实施例中,本申请提供一种电子装置,其包括根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负极,其包括硅基颗粒和石墨颗粒,其中距离所述硅基颗粒边缘的垂直距离为0-6μm范围内存在的石墨颗粒数为N,基于所述硅基颗粒的总数量计,大于50%的硅基颗粒满足:6≤N≤17。/n

【技术特征摘要】
1.一种负极,其包括硅基颗粒和石墨颗粒,其中距离所述硅基颗粒边缘的垂直距离为0-6μm范围内存在的石墨颗粒数为N,基于所述硅基颗粒的总数量计,大于50%的硅基颗粒满足:6≤N≤17。


2.根据权利要求1所述的负极,其中所述硅基颗粒在X射线衍射图案中2θ归属于28.0°-29.0°范围内最高强度数值为I2,归属于20.5°-21.5°范围内最高强度数值为I1,其中0<I2/I1≤1。


3.根据权利要求1所述的负极,其中所述硅基颗粒的粒径分布满足:0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。


4.根据权利要求1所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;且其中所述氧化物MeOy层包含碳材料。


5.根据权利要求1所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层,所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


6.根据权利要求2所述的负极,其中所述硅基颗粒的粒径分布满足:0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。


7.根据权利要求2所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;且其中所述氧化物MeOy层包含碳材料。


8.根据权利要求2所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层,所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


9.根据权利要求3所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;且其中所述氧化物MeOy层包含碳材料。


10.根据权利要求3所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层,所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


11.根据权利要求4所述的负极,其中所述硅基颗粒进一步包括聚合物层,所述聚合物层包覆所述氧化物MeOy层的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


12.根据权利要求6所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;且其中所述氧化物MeOy层包含碳材料。


13.根据权利要求6所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层,所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


14.根据权利要求9所述的负极,其中所述硅基颗粒进一步包括聚合物层,所述聚合物层包覆所述氧化物MeOy层的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


15.根据权利要求12所述的负极,其中所述硅基颗粒进一步包括聚合物层,所述聚合物层包覆所述氧化物MeOy层的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


16.根据权利要求1所述的负极,其中所述石墨颗粒的平均球形度为A,所述硅基颗粒的平均球形度为B,A和B满足:0<B-A≤0.3。


17.根据权利要求16所述的负极,其中所述硅基颗粒在X射线衍射图案中2θ归属于28.0°-29.0°范围内最高强度数值为I2,归属于20.5°-21.5°范围内最高强度数值为I1,其中0<I2/I1≤I。


18.根据权利要求16所述的负极,所述硅基颗粒的粒径分布满足:0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。


19.根据权利要求16所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;且其中所述氧化物MeOy层包含碳材料。


20.根据权利要求16所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层,所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


21.根据权利要求17所述的负极,其中所述硅基颗粒的粒径分布满足:0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。


22.根据权利要求17所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeOy层,所述氧化物MeOy层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;且其中所述氧化物MeOy层包含碳材料。


23.根据权利要求17所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层,所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分,并且所述聚合物层包含碳材料。


24.根据权利要求18所述的负极,其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖群超崔航谢远森
申请(专利权)人:宁德新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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