本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及显示装置，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；所述有机层包括空穴传输层、电子阻挡层和发光层；所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；所述电子阻挡层中含有电子阻挡材料，所述空穴传输层中含有空穴传输材料；所述电子阻挡材料的空穴迁移率高于空穴传输材料的空穴迁移率，且电子阻挡材料与空穴传输材料的HOMO能级差≤0.3eV。本发明专利技术通过搭配高空穴迁移率以及合适HOMO能级的电子阻挡材料，有效的降低器件的开启电压。
An organic electroluminescent device and display device
【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件及显示装置
本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种有机电致发光器件及显示装置。
技术介绍
目前，为了满足各种各样的器件要求，本领域研究人员已经开发了多种有机功能材料以用于OLED中，其中非常值得的关注的是热活化延迟荧光(ThermallyActivatedDelayedFluorescence，TADF)材料，将TADF材料应用于有机电致发光材料时，通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，在TASF体系中，当热活化延迟荧光材料作为敏化剂使用时，主体材料能量传递给TADF材料，然后其三线态能量通过反向系间窜越(RISC)过程回到单线态，进而将能量传递给掺杂荧光染料发光，这样可以实现主体向染料分子完全的能量传递，使传统荧光掺杂染料也可以突破25％的内量子效率限制。但是现有的TASF器件仍存在一些缺陷，例如存在开启电压较高的问题。因此，本领域亟待开发一种新型的有机电致发光器件，改善开启电压较高的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种有机电致发光器件，改善有机电致发光器件开启电压较高的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；所述有机层包括空穴传输层、电子阻挡层和发光层；所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；所述电子阻挡层中含有电子阻挡材料，所述空穴传输层中含有空穴传输材料；所述电子阻挡材料的空穴迁移率高于所述空穴传输材料的空穴迁移率，且所述电子阻挡材料与所述空穴传输材料的HOMO能级差≤0.3eV。优选地，所述电子阻挡材料的空穴迁移率≥1×10-5cm2/V·s，且所述空穴传输材料的空穴迁移率≥1×10-6cm2/V·s。优选地，所述电子阻挡材料包括如EB-1至EB-13所示的化合物中的任意一种或至少两种组合。优选地，所述空穴传输材料包括如HT-1至HT-34所示的化合物中的任意一种或至少两种组合。优选地，所述主体材料包括如TDH1至TDH37所示的化合物中的任意一种或至少两种组合。优选地，所述荧光染料包括如F-1至F-32所示的化合物中的任意一种或至少两种组合。优选地，所述热活化延迟荧光敏化剂包括如T-1至T-99所示的化合物中的任意一种或至少两种组合；其中，所述T-71、T-72和T-73中，n各自独立地为1、2或3。优选地，所述电子阻挡层的厚度为1nm～300nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为5nm～300nm；和/或，所述发光层的厚度为1nm～50nm。优选地，所述荧光染料占发光层材料的质量百分比为0.1wt％～20wt％；和/或，所述热活化延迟荧光敏化剂占发光层材料的质量百分比为1wt％～99wt％。优选地，所述热活化延迟荧光敏化剂占发光层材料的质量百分比为1wt％～50wt％。优选地，所述有机层还包括空穴注入层(HIL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的任意一种或至少两种组合。本专利技术的目的之二在于提供一种显示装置，所述显示装置中包含目的之一所述的有机电致发光器件。相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供了一种新型的有机电致发光器件，在器件中引入高空穴迁移率以及合适HOMO能级的电子阻挡材料，首先，电子阻挡材料的空穴迁移率高空穴传输材料的空穴迁移率，能够避免载流子“堵塞”的情况，有利于电荷的传导，其次，电子阻挡材料与空穴传输材料保持合适的HOMO能级差，能够有效降低空穴注入材料注入电子阻挡材料的能级势垒，从而有效的降低器件的开启电压。附图说明图1是实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图。具体实施方式下面通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。目前，热活化延迟荧光电致发光器件中，仍存在开启电压较高的缺陷，原因之一是由于出现载流子“堵塞”的情况，不利于电荷的传导。为此，本专利技术提供一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层；有机层包括空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)和发光层(EML)；发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；电子阻挡层中含有电子阻挡材料，空穴传输层中含有空穴传输材料；电子阻挡材料的空穴迁移率高于空穴传输材料的空穴迁移率，且电子阻挡材料与空穴传输材料的HOMO能级差≤0.3eV，例如0.02eV、0.04eV、0.12eV、0.14eV、0.19eV、0.23eV、0.29eV等。本专利技术提供了一种新型的有机电致发光器件，在器件中引入高空穴迁移率以及合适HOMO能级的电子阻挡材料，首先，电子阻挡材料的空穴迁移率高空穴传输材料的空穴迁移率，能够避免载流子“堵塞”的情况，有利于电荷的传导，其次，电子阻挡材料与空穴传输材料保持合适的HOMO能级差，能够有效降低空穴注入材料注入电子阻挡材料的能级势垒，从而有效的降低器件的开启电压，特别是上述列举的点值范围内(0.02～0.29eV)效果更佳。进一步地，电子阻挡材料的空穴迁移率≥1×10-5cm2/V·s，例如2.3×10-5cm2/V·s、6.2×10-5cm2/V·s、7×10-5cm2/V·s、1.2×10-4cm2/V·s、2.2×10-4cm2/V·s、2.9×10-4cm2/V·s等，且空穴传输材料的空穴迁移率≥1×10-6cm2/V·s，例如2.3×10-5cm2/V·s、4.2×10-5cm2/V·s、5.6×10-5cm2/V·s、6.6×10-5cm2/V·s、6.7×10-5cm2/V·s、7.2×10-5cm2/V·s、7.7×10-5cm2/V·s、2.6×10-4cm2/V·s等。本专利技术优选特定空穴迁移率的电子阻挡层材料和空穴传输层材料，两层材料配合，使用空穴迁移率高于空穴传输层的电子阻挡材料，这样可以有效的降低载流子在电子阻挡层与空穴传输层间传递时的电荷累积，使得空穴载流子在传输过程中更加顺畅，更有利于降低器件的开启电压，特别是上述列举的点值范围内(电子阻挡材料的空穴迁移率为2.3×10-5～2.9×10-4cm2/V·s，空穴传输材料的空穴迁移率为2.3×10-5～2.6×10-4cm2/V·s)效果更佳。进一步地，电子阻挡材料包括如EB-1至EB-13所示的化合物中的任意一种或至少两种组合(例如EB-1和EB-2的组合，EB-5、EB-6和EB-4的组合，EB-1、EB-3、EB-4和EB-6的组合等)：进一步本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；/n所述有机层包括空穴传输层、电子阻挡层和发光层；/n所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；/n所述电子阻挡层中含有电子阻挡材料，所述空穴传输层中含有空穴传输材料；/n所述电子阻挡材料的空穴迁移率高于所述空穴传输材料的空穴迁移率，且所述电子阻挡材料与所述空穴传输材料的HOMO能级差≤0.3eV。/n
【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层；
所述有机层包括空穴传输层、电子阻挡层和发光层；
所述发光层中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料；
所述电子阻挡层中含有电子阻挡材料，所述空穴传输层中含有空穴传输材料；
所述电子阻挡材料的空穴迁移率高于所述空穴传输材料的空穴迁移率，且所述电子阻挡材料与所述空穴传输材料的HOMO能级差≤0.3eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡材料的空穴迁移率≥1×10-5cm2/V·s，且所述空穴传输材料的空穴迁移率≥1×10-6cm2/V·s。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡材料包括如EB-1至EB-13所示的化合物中的任意一种或至少两种组合：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料包括如HT-1至HT-34所示的化合物中的任意一种或至少两种组合：
5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括如TDH1至TDH37所示的化合物中的任意一种或至少两种组合：
6.根据权利要求1～5...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国孟，李飞霞，魏金贝，李梦真，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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