【技术实现步骤摘要】
一种用于电阻片的高绝缘无机高阻釉及制备方法
本专利技术涉及一种用于电阻片的高绝缘无机高阻釉及制备方法，属于电工材料领域。
技术介绍
随着电器设备的广泛应用以及人工智能时代的到来，对电子产品安全等级的要求越来越高，ZnO压敏电阻片作为一种具有瞬态电压抑制的组件，具有良好的非线性伏安特性，能作为核心元器件组装成浪涌保护器、过电压保护器和避雷针等保护着电路系统。ZnO压敏电阻片是在ZnO粉末中加入微量的氧化铋(Bi2O3)、氧化钴(Co2O3)，氧化锑(Sb2O3)、氧化铬(Cr2O3)和二氧化锰(MnO2)等添加物，经过混合成型后在高温下烧结而成的瓷体。ZnO电阻片均需要经过高温烧结过程，高温会让低熔点的氧化物如Sb2O3和Bi2O3形成气相，长时间的高温就会让电阻片侧面到中部的低熔点物质挥发而形成浓度差分布，造成陶瓷基体成分不均匀，因此边缘部位是缺陷比较多的部分。在能量耐受过程中，2ms,4/10μs电流冲击等，尤其是4/10μs电流冲击时，就会造成边缘部位出现失效，所以电阻片的侧面是最薄弱的环节。无机绝缘涂层...
【技术保护点】
1.一种用于电阻片的高绝缘无机高阻釉，其特征在于，包括氧化物配料，所述氧化物配料包括ZnO、Bi
【技术特征摘要】
1.一种用于电阻片的高绝缘无机高阻釉，其特征在于，包括氧化物配料，所述氧化物配料包括ZnO、Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Mn3O4、NiO和MgO。
2.根据权利要求1所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉，其特征在于：所述氧化物配料各成分之间按摩尔百分比配置如下：
ZnO：88～91％；
Bi2O3：0.05～0.2％；
Sb2O3：3～4％；
Co2O3：0.5～1.5％；
Mn3O4：0.5～1.5％；
NiO：0.5～2％；
MgO：3～5％。
3.如1至2任一所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、将氧化物配料、去离子水、聚乙烯醇溶液以及分散剂混合后进行球磨；
(2)、球磨一定时间后，制得高绝缘特性无机高阻釉。
4.如3所述用于电阻片的高绝缘无机高阻釉的制备方法，其特征在于，所述球磨使用玛瑙球，玛瑙...
【专利技术属性】
技术研发人员：董建洪，陈伟，钱锋，汤芳林，沈振伟，蔡卫兵，
申请(专利权)人：嘉兴市瑞嘉电气有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。