层叠透镜结构、固态成像元件和电子设备制造技术

技术编号:23563800 阅读:40 留言:0更新日期:2020-03-25 08:14
本发明专利技术提供一种能够对应于各种光学参数的层叠透镜结构。所述层叠透镜结构包括至少一个或多个第一带透镜的基板和至少一个或多个第二带透镜的基板,作为包括形成透镜的透镜树脂部和承载所述透镜树脂部的承载基板的带透镜的基板。第一带透镜的基板的承载基板通过在厚度方向上层叠多个承载构成基板而构成,和第二带透镜的基板的承载基板由一个承载构成基板构成。例如,本技术适用于相机模块等。

Laminated lens structure, solid-state imaging elements and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠透镜结构、固态成像元件和电子设备
本技术涉及层叠透镜结构、固态成像元件和电子设备,特别地,涉及可以提供能够对应于各种光学参数的层叠透镜结构的层叠透镜结构、固态成像元件和电子设备。<相关申请的交叉引用>本申请要求于2017年8月31日提交的日本在先专利申请JP2017-167826的权益,其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
作为适合于互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的光学系统的成像透镜,专利文献1公开了一种相机用的光学系统(透镜组),其在具有小透镜数量的简单透镜构成的同时追求令人满意的光学性能。另外,专利文献2公开了一种提供层叠透镜结构的技术,其中在能够用于制造诸如半导体装置和平板显示装置等电子设备的基板上形成透镜,并且层叠多个所得的带透镜的基板。[引用文献列表][专利文献][PTL1]JP2005-345919A[PTL2]WO2017/022190A
技术实现思路
[技术问题]例如,在嵌入于智能电话中的相机模块中,高质量图像和高功能正在进行中,并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠透镜结构,包括:/n至少一个第一类型的带透镜的基板和至少一个第二类型的带透镜的基板,其中第一类型和第二类型的带透镜的基板中的每一个都包括形成透镜的透镜树脂部和承载所述透镜树脂部的承载基板,/n其中第一类型的带透镜的基板的承载基板由在承载基板的厚度方向上层叠的多个承载构成基板构成,和/n第二类型的带透镜的基板的承载基板由一个承载构成基板构成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170831 JP 2017-1678261.一种层叠透镜结构,包括:
至少一个第一类型的带透镜的基板和至少一个第二类型的带透镜的基板,其中第一类型和第二类型的带透镜的基板中的每一个都包括形成透镜的透镜树脂部和承载所述透镜树脂部的承载基板,
其中第一类型的带透镜的基板的承载基板由在承载基板的厚度方向上层叠的多个承载构成基板构成,和
第二类型的带透镜的基板的承载基板由一个承载构成基板构成。


2.根据权利要求1所述的层叠透镜结构,
其中第一类型的带透镜的基板的承载基板的厚度大于第二类型的带透镜的基板的承载基板的厚度。


3.根据权利要求1或2所述的层叠透镜结构,
其中第一类型的带透镜的基板配置在最靠近光入射面的一侧。


4.根据权利要求1或2所述的层叠透镜结构,
其中第一类型的带透镜的基板配置在最靠近成像部的一侧。


5.根据权利要求1或2所述的层叠透镜结构,
其中第一类型的带透镜的基板配置在最靠近光入射面的一侧,并且另一个第一类型的带透镜的基板配置在最靠近成像部的一侧。


6.根据前述权利要求中任一项所述的层叠透镜结构,所述层叠透镜结构包括至少两个第一类型的带透镜的基板,
其中构成所述至少两个第一类型的带透镜的基板中的预定一个的承载基板的多个承载构成基板中的每一个的厚度大于所述至少一个第二类型的带透镜的基板的承载基板的厚度。


7.根据权利要求1~5中任一项所述的层叠透镜结构,所述层叠透镜结构包括至少两个第一类型的带透镜的基板,
其中构成所述至少两个第一类型的带透镜的基板中的预定一个的承载基板的多个承载构成基板中的每一个的厚度小于所述至少一个第二类型的带透镜的基板的承载基板的厚度。


8.根据前述权利要求中任一项所述的层叠透镜结构,
其中在其中所述至少一个第一类型的带透镜的基板的每个中的透镜树脂部和承载基板彼此接触的区域中在与所述至少一个第一类型的带透镜的基板垂直的方向上所述透镜树脂部的厚度大于在其中所述至少一个第二类型的带透镜的基板的每个中的透镜树脂部和承载基板彼此接触的区域中在与所述至少一个第二类型的带透镜的基板垂直的方向上所述透镜树脂部的厚度。


9.根据前述权利要求中任一项所述的层叠透镜结构,
其中所述至少一个第一类型的带透镜的基板的每个中的透镜树脂部的中心部的厚度大于所述至少一个第二类型的带透镜的基板的每个中的透镜树脂部的中心部的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员:福山宗克吉冈浩孝引地邦彦山本笃志泷本香织石田実
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司
类型:发明
国别省市:日本;JP

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