一种含硒量子点及其合成方法技术

本发明专利技术公开了一种含硒量子点及其合成方法。所述含硒量子点的合成方法包括：向包含量子点核的反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的量子点；其中，所述硒源包括二硒化碳。本发明专利技术以二硒化碳与胺类结合作为硒源，与传统使用三辛基膦硒和三丁基磷硒作为硒源合成的量子点相比较，避免使用昂贵的三丁基磷和三辛基膦简化了制备工艺，减少了部分前驱体的使用，减少了能源的使用，尤为适用于目前量子点产业化的各方面需求；同时本发明专利技术所获量子点的尺寸均一，单分散性较好，发射波长可调控，量子效率高。

A selenium quantum dot and its synthesis method

【技术实现步骤摘要】
一种含硒量子点及其合成方法
本专利技术属于纳米材料制备
，具体涉及一种含硒量子点及其合成方法。
技术介绍
量子点是一种新型纳米发光材料，由于量子点的溶液可加工性和尺寸依赖的光致发光/电致发光特性，量子点在高性能发光二极管(LED)、生物医学标记、激光器和单光子源等领域得到了广泛的研究和探索。这些多领域的应用推动着量子点从实验室微量制备到规模户生产。现如今量子点制备方法仍使用主流的溶液法制备。但是在量子点制备过程中有着众多阻碍其商业化发展的问题。传统的溶液法制备量子点所用非金属原料如(Se、S)都是需要将其溶解在三辛基膦或三丁基膦中。这些溶剂价格昂贵，且制备周期过长，具有毒性，不利于量子点的商业化发展。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种含硒量子点及其合成方法，以克服现有技术的不足。为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：本专利技术实施例提供了一种含硒量子点的合成方法，其包括：提供包含量子点核的反应体系；于所述反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含硒量子点的合成方法，其特征在于包括：/n提供包含量子点核的反应体系；/n于所述反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的含硒量子点；其中，所述硒源包括二硒化碳。/n

【技术特征摘要】
1.一种含硒量子点的合成方法，其特征在于包括：
提供包含量子点核的反应体系；
于所述反应体系中加入硒源和阳离子源，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的含硒量子点；其中，所述硒源包括二硒化碳。


2.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述硒源由二硒化碳与胺类物质混合形成；优选的，所述胺类物质包括油胺、十六胺、正辛胺、癸胺、己二胺中的任意一种或两种以上的组合。


3.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述量子点核包括Ⅱ-Ⅵ、Ⅲ-Ⅴ、I-III-VI和I-VI量子点中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述量子点核包括CdSe、CdSeS、CdZnSeS、ZnSe、ZnSeS、CuInSe、CuInZnSe中的任意一种或两种以上的组合；
和/或，所述阳离子源中的阳离子包括Cd2+，Zn2+，In3+中的任意一种或两种以上的组合。


4.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述壳层包括ZnS、ZnSe、ZnSeS、CdS、CdZnSe、CdZnS、In2S3、InZnS中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述壳层包括ZnSe、ZnSeS、CdZnSe、CdS、CdZnS中的任意一种或两种以上的组合。


5.根据权利要求1所述的含硒量子点的合成方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，张孟，席玉坤，李霞，段永杰，蒋秀琴，白少军，
申请(专利权)人：宁波纳鼎新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33