微机电系统器件技术方案

本公开提供一种微机电系统器件，所述微机电系统器件包括：基板；微机电系统元件部，设置在所述基板的表面上；盖，具有形成为与所述微机电系统元件部相对的腔；以及扩散防止层，形成在所述盖的至少部分上，其中，所述盖和所述基板中的至少一个包括设置在所述腔的外部的结合层，并且其中，所述盖包括设置在所述结合层与所述腔之间并且截面呈V形的蔓延防止部。

MEMS devices

【技术实现步骤摘要】
微机电系统器件本申请要求于2018年9月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0111289号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
本申请涉及一种微机电系统(MEMS)器件。
技术介绍
金属结合技术通常用于MEMS器件(例如，需要晶片级结合的MEMS器件)的制造中的气密密封。然而，存在这样的问题：结合材料(诸如，焊料)的蔓延会导致气密密封的破坏和缺陷的出现。具体地，结合材料可能流入被制作成防止结合材料蔓延到腔中的蔓延防止结构中，并且结合材料可能通过与硅基板相互作用而在蔓延防止结构中扩散以破坏气密密封。因此，需要开发一种能够防止气密密封被破坏并且变得有缺陷的结构。上述信息仅作为背景信息呈现以帮助理解本公开。没有做出关于任何上述内容是否可适用于关于本公开的现有技术的确定，并且也没有做出关于任何上述内容是否可适用于关于本公开的现有技术的断言。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机电系统器件，包括：/n基板；/n微机电系统元件部，设置在所述基板的表面上；/n盖，具有形成为与所述微机电系统元件部相对的腔；以及/n扩散防止层，形成在所述盖的至少部分上，/n其中，所述盖和所述基板中的至少一个包括设置在所述腔的外部的结合层，并且/n其中，所述盖包括设置在所述结合层与所述腔之间并且具有V形截面的蔓延防止部。/n

【技术特征摘要】
20180918 KR 10-2018-01112891.一种微机电系统器件，包括：
基板；
微机电系统元件部，设置在所述基板的表面上；
盖，具有形成为与所述微机电系统元件部相对的腔；以及
扩散防止层，形成在所述盖的至少部分上，
其中，所述盖和所述基板中的至少一个包括设置在所述腔的外部的结合层，并且
其中，所述盖包括设置在所述结合层与所述腔之间并且具有V形截面的蔓延防止部。


2.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，所述扩散防止层至少形成在所述蔓延防止部内以及所述结合层的周围。


3.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，所述盖利用包含硅的材料形成，并且所述结合层利用金属材料形成。


4.根据权利要求3所述的微机电系统器件，其中，所述结合层利用包含金、锡、铬、钛、铝、铜、锗中的至少一种的材料形成。


5.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，所述扩散防止层利用氧化物膜形成。


6.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，所述蔓延防止部通过晶面(111)而具有呈50°至60°的角度的倾斜表面。


7.根据权利要求6所述的微机电系统器件，其中，所述蔓延防止部通过晶面(111)而具有呈大约54.74°的角度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰勳，金光洙，金泰润，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR