一种深紫外LED封装支架制造技术

技术编号:23544681 阅读:32 留言:0更新日期:2020-03-20 15:59
一种深紫外LED封装支架,属于深紫外LED技术领域,解决现有深紫外LED电光转化效率低、芯片性能易受热量积聚影响、光功率低等技术问题。本实用新型专利技术采用的技术方案为:一种深紫外LED封装支架,包括底座、围坝和设在底座和围坝之间的粘结剂,其中:所述底座顶面中部设有凸台;所述围坝中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台相配合的过孔,所述中空结构上部四周均为斜面;所述围坝设在底座上方,所述凸台顶部设在围坝的过孔中。本实用新型专利技术具有电光转化效率高、导热性能好、结构稳定等优点。

A deep UV LED packaging bracket

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED封装支架
本技术属于深紫外LED
,具体涉及一种深紫外LED封装支架。
技术介绍
深紫外LED的应用非常广泛,如杀菌、消毒、水净化、医疗等。高功率的深紫外LED灯珠能达到更好的使用要求。但是深紫外LED电光转换效率很低,热量积聚影响芯片的性能,而且深紫外LED发出的紫外光很容易被吸收或阻挡,对光功率影响很大,所以需要高导热性能且有很好反射功能的支架。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种深紫外LED封装支架,解决现有深紫外LED电光转化效率低、芯片性能易受热量积聚影响、光功率低等技术问题。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为:一种深紫外LED封装支架,包括底座、围坝和设在底座和围坝之间的粘结剂,其中:所述底座顶面中部设有凸台,所述底座顶面、凸台的四周设有粘结台面;所述围坝中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台相配合的过孔,所述中空结构上部四周均为斜面,所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸;所述围坝设在底座上方,所述凸台顶部设在围坝的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED封装支架,包括底座(1)、围坝(2)和设在底座(1)和围坝(2)之间的粘结剂(3),其特征在于:/n所述底座(1)顶面中部设有凸台(1-1),所述底座(1)顶面、凸台(1-1)的四周设有粘结台面(1-2);/n所述围坝(2)中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台(1-1)相配合的过孔(2-1),所述中空结构上部四周均为斜面(2-2),所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸;/n所述围坝(2)设在底座(1)上方,所述凸台(1-1)顶部设在围坝(2)的过孔(2-1)中,所述粘结剂(3)设在围坝(2)底面与底座(1)粘结台面(1-2)之间;所述围坝(2)外边缘与底座(1)外...

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装支架,包括底座(1)、围坝(2)和设在底座(1)和围坝(2)之间的粘结剂(3),其特征在于:
所述底座(1)顶面中部设有凸台(1-1),所述底座(1)顶面、凸台(1-1)的四周设有粘结台面(1-2);
所述围坝(2)中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台(1-1)相配合的过孔(2-1),所述中空结构上部四周均为斜面(2-2),所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸;
所述围坝(2)设在底座(1)上方,所述凸台(1-1)顶部设在围坝(2)的过孔(2...

【专利技术属性】
技术研发人员:李云霞申聪敏
申请(专利权)人:北京中科优唯科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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