本发明专利技术提供一种具有电阻稳定性优异的配线的配线基板的制造方法及配线基板的制造装置以及集成电路的制造方法。配线基板的制造方法，包括：准备工序，准备形成有热塑性色粉的色粉像的基板；以及配线形成工序，在形成于所述基板之上的所述色粉像之上，形成厚度0.1μm以上且2μm以下的导电箔，之后，对所述色粉像及所述导电箔至少赋予热，形成由所述导电箔构成的配线。
Manufacturing method and device of wiring base plate and manufacturing method of integrated circuit
【技术实现步骤摘要】
配线基板的制造方法及制造装置以及集成电路的制造方法
本专利技术涉及一种配线基板的制造方法及配线基板的制造装置以及使用它们的集成电路的制造方法及集成电路的制造装置。
技术介绍
专利文献1中公开了“一种电路基板的制造方法及装置，其中：在具有静电潜像载持体、显影器及对转印体转印显影剂的转印装置的装置中，显影剂为导电性粒子，在所述转印体的表面涂布有粘合剂，并且包括使表面保持有所述导电性粒子的所述静电潜像载持体与所述粘合剂接触来进行粘合转印的工序”。专利文献2中公开了“一种非接触信息记录介质的制造方法，其是在埋设有集成电路(IntegratedCircuit，IC)模块的记录基材上形成天线电路，经由连接端子将天线电路连接于所述IC模块，由此来制造非接触信息记录介质的方法，具有如下工序：在埋设有连接有连接端子的IC模块的记录基材上，使用含有粘结树脂的色粉，通过电子照相法，以至少与连接端子接触的状态形成应粘接天线电路的箔粘接用树脂层，并至少通过加压而使导电箔接触并粘接于所述箔粘接用树脂层上，由此将天线电路连接于所述连接端子，形成利用导电箔的天线电路”。专利文献3中公开了“一种导电电路的制成方法，其中，将电子照相方式中所使用的色粉及显影剂用作抗蚀剂(resistagent)来制成导电电路”。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2011-238837号公报[专利文献2]日本专利特开2013-015953号公报[专利文献3]日本专利特开2004-095648号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]以往，在基板上形成使用了热塑性色粉的色粉像，在所述色粉像之上粘接导电箔的配线基板的制造方法中，存在所形成的配线的电阻稳定性低的倾向。因此，本专利技术的课题在于提供一种与形成厚度不足0.1μm或超过2μm的导电箔的情况相比，具有电阻稳定性高的配线的配线基板的制造方法。[解决问题的技术手段]在用以解决所述课题的具体的方法中，包含下述实施方式。[1]一种配线基板的制造方法，包括：准备工序，准备形成有热塑性色粉的色粉像的基板；以及配线形成工序，在形成于所述基板之上的所述色粉像之上，形成厚度0.1μm以上且2μm以下的导电箔，之后，对所述色粉像及所述导电箔至少赋予热，而形成由所述导电箔构成的配线。[2]根据所述[1]所述的配线基板的制造方法，其中，所述热塑性色粉中，加热下的流动开始温度为80℃以下，1/2下降温度为95℃以下。[3]根据所述[2]所述的配线基板的制造方法，其中，所述热塑性色粉的所述流动开始温度为50℃以上且75℃以下，所述1/2下降温度为60℃以上且86℃以下。[4]根据所述[1]至[3]中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述热塑性色粉包含非晶性树脂及结晶性树脂。[5]根据所述[4]所述的配线基板的制造方法，其中，所述热塑性色粉包括具有芯部及包覆部的结构的色粉粒子，所述芯部包含所述非晶性树脂及所述结晶性树脂，所述包覆部包含非晶性树脂，对所述芯部进行包覆。[6]根据所述[1]至[5]中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述热塑性色粉中，相对于所述色粉粒子的总体积，粒径为16μm以上的色粉粒子的体积分率为1％以下。[7]根据所述[1]至[6]中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，在所述配线形成工序中，通过对所述色粉像及所述导电箔赋予60℃以上的热及1MPa以下的压力而形成由所述导电箔构成的配线。[8]根据所述[1]至[7]中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，在所述配线形成工序中，通过将形成于薄膜基材上的所述导电箔转印至所述色粉像之上而形成由所述导电箔构成且表面为导电性的配线。[9]一种集成电路的制造方法，包括：通过所述[1]至[8]中任一项所述的配线基板的制造方法来制造配线基板的工序；以及安装工序，对所述配线基板安装半导体元件。[10]一种配线基板的制造装置，包括：配线形成部，通过在形成于基板之上的、热塑性色粉的色粉像之上，形成厚度0.1μm以上且2μm以下的导电箔，之后，对所述色粉像及所述导电箔至少赋予热，而形成由所述导电箔构成的配线。[11]根据所述[10]所述的配线基板的制造装置，其中，所述热塑性色粉中，加热下的流动开始温度为80℃以下，1/2下降温度为95℃以下。[12]根据所述[11]所述的配线基板的制造装置，其中，所述热塑性色粉的所述流动开始温度为50℃以上且75℃以下，所述1/2下降温度为60℃以上且86℃以下。[13]根据所述[10]至[12]中任一项所述的配线基板的制造装置，其中，所述热塑性色粉包含非晶性树脂及结晶性树脂。[14]根据所述[13]所述的配线基板的制造装置，其中，所述热塑性色粉是具有芯部及包覆部的结构的热塑性色粉，所述芯部包含所述非晶性树脂及所述结晶性树脂，所述包覆部包含非晶性树脂，对所述芯部进行包覆。[15]根据所述[10]至[14]中任一项所述的配线基板的制造装置，其中，所述热塑性色粉中，相对于色粉粒子的总体积，粒径为16μm以上的色粉粒子的体积分率为1％以下。[16]根据所述[10]至[15]中任一项所述的配线基板的制造装置，其中，在所述配线形成部中，通过对所述色粉像及所述导电箔赋予60℃以上的热及1MPa以下的压力而形成由所述导电箔构成的配线。[17]根据所述[10]至[16]中任一项所述的配线基板的制造装置，其中，在所述配线形成部中，通过将形成于薄膜基材上的所述导电箔转印至所述色粉像之上而形成由所述导电箔构成且表面为导电性的配线。[18]一种集成电路的制造装置，包括：根据所述[10]至[17]中任一项所述的配线基板的制造装置；以及对所述配线基板安装半导体元件的安装装置。[专利技术的效果]根据[1]、[4]、[5]或[8]的专利技术，提供一种与形成厚度不足0.1μm或超过2μm的导电箔的情况相比，具有电阻稳定性高的配线的配线基板的制造方法。根据[2]或[3]的专利技术，提供一种与加热下的流动开始温度超过80℃的情况或1/2下降温度超过95℃的情况相比，具有电阻稳定性高的配线的配线基板的制造方法。根据[6]的专利技术，提供一种与相对于所述色粉粒子的总体积、粒径为16μm以上的色粉粒子的体积分率超过1％的情况相比，具有电阻稳定性高的配线的配线基板的制造方法。根据[7]的专利技术，提供一种与在所述配线形成工序中，通过对所述色粉像及所述导电箔赋予不足60℃的热而形成由所述导电箔构成的配线的情况相比，具有电阻稳定性高的配线的配线基板的制造方法。根据[9]或[18]的专利技术，提供一种与包括通过形成厚度不足0.1μm或超过2μm的导电箔的配线基板的制造方法来制造配线基板的工序以及对所述配线基板安装半导体元件的安装工序的情况相比，包括具有电阻稳定性高的配线的配线基板的集成电路的制造方法或集成电路的制造装置。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括：/n准备工序，准备形成有热塑性色粉的色粉像的基板；以及/n配线形成工序，在形成于所述基板之上的所述色粉像之上，形成厚度0.1μm至2μm范围的导电箔图像，之后，对所述色粉像及所述导电箔图像赋予热，形成由所述导电箔图像构成的配线。/n
【技术特征摘要】
20180913 JP 2018-1718731.一种配线基板的制造方法，其特征在于，包括：
准备工序，准备形成有热塑性色粉的色粉像的基板；以及
配线形成工序，在形成于所述基板之上的所述色粉像之上，形成厚度0.1μm至2μm范围的导电箔图像，之后，对所述色粉像及所述导电箔图像赋予热，形成由所述导电箔图像构成的配线。
2.根据权利要求1所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉中，加热下的流动开始温度为80℃以下，1/2下降温度为95℃以下。
3.根据权利要求2所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉的所述流动开始温度为50℃至75℃的范围，所述1/2下降温度为60℃至86℃的范围。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉含有非晶性树脂及结晶性树脂。
5.根据权利要求4所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉是具有芯部以及包覆部的色粉粒子，所述芯部含有所述非晶性树脂及所述结晶性树脂，所述包覆部含有非晶性树脂。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述热塑性色粉中，相对于色粉粒子的总体积，粒径为16μm以上的色粉粒子的体积分率为1％以下。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述配线形成工序是通过对所述色粉像及所述导电箔图像赋予60℃以上的热及1MPa以下的压力而形成配线。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板的制造方法，其特征在于，所述配线形成工序是通过将形成于薄膜基材上的导电箔转印至所述色粉像之上而形成导电性的配线。
9.一种集成电路的制造方法，其特征在于包括：
通...
【专利技术属性】
技术研发人员：松村保雄，山崎纯明，村上毅，吉田华奈，佐藤修二，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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