高压高功率因数无频闪灯带制造技术

本发明专利技术提供了一种高压高功率因数无频闪灯带，包括供电干路和与所述供电干路连接的支路，所述支路包括整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠单元、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述压敏电阻RV1的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接，所述压敏电阻RV1的另外一端与所述整流桥DB1的引脚4相接；所述整流桥DB1的引脚2与所述整流二极管的引脚1相接，所述功率放电电阻R3的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接；所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述灯珠单元的阳极与所述整流二极管的引脚2相接。本发明专利技术的有益效果是：实现了高功率因数值且无频闪的效果。

High voltage high power factor strobe free lamp band

【技术实现步骤摘要】
高压高功率因数无频闪灯带
本专利技术涉及照明装置，尤其涉及一种高压高功率因数无频闪灯带。
技术介绍
传统灯带的功率因数（PowerFactor，PF）较低，并且，存在频闪问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种高压高功率因数无频闪灯带。本专利技术提供了一种高压高功率因数无频闪灯带，包括供电干路和与所述供电干路连接的支路，所述支路包括整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠单元、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述压敏电阻RV1的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接，所述压敏电阻RV1的另外一端与所述整流桥DB1的引脚4相接；所述整流桥DB1的引脚2与所述整流二极管的引脚1相接，所述功率放电电阻R3的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接；所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述灯珠单元的阳极与所述整流二极管的引脚2相接；所述灯珠单元的阴极与所述去频闪芯片U2的引脚2相接；所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述电容C1的一端、所述恒流芯片U1的引脚5相接；所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接；所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统泄放电阻R2的一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4与所述系统泄放电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流DB1的引脚4与所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端相接。作为本专利技术的进一步改进，所述支路还包括滤波电解电容E1、电容放电电阻R4，所述滤波电解电容E1的正极、所述泄放电阻R4一端分别与所述灯珠单元的阳极相接，所述滤波电解电容E1的负极、所述泄放电阻R4的另一端分别与所述去频闪芯片U2的引脚3相接。作为本专利技术的进一步改进，所述灯珠单元包括至少两个相串联的LED灯珠。作为本专利技术的进一步改进，串联的LED灯珠的总电压Uled介于交流输入电压Uac的0.8到1.2倍之间。作为本专利技术的进一步改进，串联的LED灯珠的总电压Uled等于交流输入电压Uac。作为本专利技术的进一步改进，所述供电干路包括干路保险丝F1，所述干路保险丝F1的一端与交流电火线相接；所述干路保险丝F1的另一端与所述整流桥DB1的引脚1相接；所述整流桥DB1的引脚3接交流电零线。作为本专利技术的进一步改进，所述高压高功率因数无频闪灯带包括FPC软板，所述FPC软板的背面覆有金属导线，直接接市电，所述整流桥DB1、压敏电阻RV1、电容C1、恒流芯片U1、去频闪芯片U2、整流二极管D1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3一起内置于同一单元内。作为本专利技术的进一步改进，所述恒流芯片U1为高压线性恒流IC，具有可控硅调光功能，耐压450V，电流范围5-60mA。作为本专利技术的进一步改进，所述电容C1为高压低频滤波电解电容，耐压200/400V，其电解电容的容量等于每个支路的功率大小。作为本专利技术的进一步改进，所述去频闪芯片U2是一款消除100HZ/120HZLED电流文波的芯片，芯片内置90V功率MOSFET，通过检测OUT端口电压控制VC端口电容的充放电，调整内置功率MOSFET的工作状态，把LED电流纹波转换为OUT端口电压纹波，从而使LED灯串电流和电压保持恒定。本专利技术的有益效果是：通过上述方案，实现了高功率因数值且无频闪的效果。附图说明图1是本专利技术一种高压高功率因数无频闪灯带的支路的电路图。图2是本专利技术一种高压高功率因数无频闪灯带的供电干路的电路图。具体实施方式下面结合附图说明及具体实施方式对本专利技术作进一步说明。如图1至图2所示，一种高压高功率因数无频闪灯带，包括供电干路和与所述供电干路连接的支路，所述支路包括整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠单元、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述压敏电阻RV1的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接，所述压敏电阻RV1的另外一端与所述整流桥DB1的引脚4相接；所述整流桥DB1的引脚2与所述整流二极管的引脚1相接，所述功率放电电阻R3的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接；所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述灯珠单元的阳极与所述整流二极管的引脚2相接；所述灯珠单元的阴极与所述去频闪芯片U2的引脚2相接；所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述电容C1的一端、所述恒流芯片U1的引脚5相接；所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接；所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统泄放电阻R2的一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4与所述系统泄放电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流DB1的引脚4与所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端相接，实现了高功率因数值且无频闪的效果。如图1至图2所示，所述支路还包括滤波电解电容E1、电容放电电阻R4，所述滤波电解电容E1的正极、所述泄放电阻R4一端分别与所述灯珠单元的阳极相接，所述滤波电解电容E1的负极、所述泄放电阻R4的另一端分别与所述去频闪芯片U2的引脚3相接。如图1至图2所示，所述灯珠单元包括至少两个相串联的LED灯珠。如图1至图2所示，串联的LED灯珠的总电压Uled介于交流输入电压Uac的0.8到1.2倍之间。如图1至图2所示，串联的LED灯珠的总电压Uled等于交流输入电压Uac。如图1至图2所示，所述供电干路包括干路保险丝F1，所述干路保险丝F1的一端与交流电火线相接；所述干路保险丝F1的另一端与所述整流桥DB1的引脚1相接；所述整流桥DB1的引脚3接交流电零线。如图1至图2所示，所述高压高功率因数无频闪灯带包括FPC软板，所述FPC软板的背面覆有金属导线，直接接市电的零线、火线，所述整流桥DB1、压敏电阻RV1、电容C1、恒流芯片U1、去频闪芯片U2、整流二极管D1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3一起内置于同一单元内。如图1至图2所示，所述恒流芯片U1为高压线性恒流IC，具有可控硅调光功能，耐压450V，电流范围5-60mA。如图1至图2所示，所述电容C1为高压低频滤波电解电容，耐压200/400V，其电解电容的容量等于每个支路的功率大小。如图1至图2所示，所述去频闪芯片U2是一款消除100HZ/120HZLED电流文波的芯片，芯片内置90V功率MOSFET，通过检测OUT端口电压控制VC端口电容的充放电，调整内置功率MOSFET的工作状态，把LED电流纹波转换为OUT端口电压纹波，从而使LED灯串电流和电压保持恒定。本专利技术提供的一种高压高功率因数无频闪灯带，利用FPC软板背面做导线即ACL/N,干路保险丝F1串联在支路火线上，可实现AC/L,AC/N直接接入市电的零线、火线的情况下点亮每一节支路并达到高PF值且无频闪的效果，可通过美国本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压高功率因数无频闪灯带，其特征在于：包括供电干路和与所述供电干路连接的支路，所述支路包括整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠单元、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述压敏电阻RV1的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接，所述压敏电阻RV1的另外一端与所述整流桥DB1的引脚4相接；所述整流桥DB1的引脚2与所述整流二极管的引脚1相接，所述功率放电电阻R3的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接；所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述灯珠单元的阳极与所述整流二极管的引脚2相接；所述灯珠单元的阴极与所述去频闪芯片 U2的引脚2相接；所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述电容C1的一端、所述恒流芯片U1的引脚5相接；所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片 U2的引脚1相接；所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统泄放电阻R2的一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4与所述系统泄放电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流DB1的引脚4与所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端相接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种高压高功率因数无频闪灯带，其特征在于：包括供电干路和与所述供电干路连接的支路，所述支路包括整流桥DB1、压敏电阻RV1、整流二极管D1、灯珠单元、恒流芯片U1、采样电阻R1、系统放电电阻R2、功率放电电阻R3、去频闪芯片U2、电容C1，其中，所述压敏电阻RV1的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接，所述压敏电阻RV1的另外一端与所述整流桥DB1的引脚4相接；所述整流桥DB1的引脚2与所述整流二极管的引脚1相接，所述功率放电电阻R3的一端与所述整流桥DB1的引脚2相接；所述功率放电电阻R3的另一端与所述恒流芯片U1的引脚7相接；所述灯珠单元的阳极与所述整流二极管的引脚2相接；所述灯珠单元的阴极与所述去频闪芯片U2的引脚2相接；所述去频闪芯片U2的引脚3分别与所述电容C1的一端、所述恒流芯片U1的引脚5相接；所述电容C1的另一端与所述去频闪芯片U2的引脚1相接；所述恒流芯片U1的引脚2与所述系统泄放电阻R2的一端相接，所述恒流芯片U1的引脚4与所述系统泄放电阻R2的另一端及所述采样电阻R1的一端相接；所述整流DB1的引脚4与所述恒流芯片U1的引脚1、引脚3及所述采样电阻R1的另一端相接。


2.根据权利要求1所述的高压高功率因数无频闪灯带，其特征在于：所述支路还包括滤波电解电容E1、电容放电电阻R4，所述滤波电解电容E1的正极、所述泄放电阻R4一端分别与所述灯珠单元的阳极相接，所述滤波电解电容E1的负极、所述泄放电阻R4的另一端分别与所述去频闪芯片U2的引脚3相接。


3.根据权利要求1所述的高压高功率因数无频闪灯带，其特征在于：所述灯珠单元包括至少两个相串联的LED灯珠。


4.根据权利要求3所述的高压高功率因数无频闪灯带，其特征在于：串...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄水华，
申请(专利权)人：深圳市国盈光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44