【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本专利技术涉及半导体元件及其制造方法。
技术介绍
在经过半导体制造技术是持续研发，半导体元件所需要的半导体材料已经不限于一般大量采用的硅材料。例如，晶体管一般所采用的硅基板可以由含镓的半导体材料来取代。硅以外的半导体材料有多种，例如氮化镓、氧化镓或是SiC都是具有半导体特性，可以用来制造成半导体元件。然而，在量产的考虑上，例如氮化镓与SiC会较难达到量产。如何使用硅以外的半导体材料来制造半导体元件且能大量制造的技术，是半导体元件制造的研发中所需要的考虑。
技术实现思路
本专利技术提供一种以氧化镓为基板的半导体元件。在一实施范例中，本专利技术提供一种半导体元件，包含基板、通道层、第一电极层、第二电极层及栅极结构。基板有第一氧化镓层。通道层设置在该基板上，其中该通道层是第二氧化镓层。第一电极层与第二电极层设置在该通道层上。栅极结构设置在该通道层上且位于该第一电极层与该第二电极层之间。该栅极结构是在该通道层的平坦面上，或是该栅极结构的底部延伸进入到该通道层中。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：/n基板，该基板有第一氧化镓层；/n通道层，设置在该基板上，其中该通道层是第二氧化镓层；/n第一电极层与第二电极层，设置在该通道层上；以及/n栅极结构，设置在该通道层上且位于该第一电极层与该第二电极层之间，/n其中该栅极结构是在该通道层的平坦面上，或是该栅极结构的底部延伸进入到该通道层中。/n
【技术特征摘要】
20190417 TW 108113351;20180905 US 62/726,9901.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：
基板，该基板有第一氧化镓层；
通道层，设置在该基板上，其中该通道层是第二氧化镓层；
第一电极层与第二电极层，设置在该通道层上；以及
栅极结构，设置在该通道层上且位于该第一电极层与该第二电极层之间，
其中该栅极结构是在该通道层的平坦面上，或是该栅极结构的底部延伸进入到该通道层中。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基板是单层，或是该基板包含基层以及在该基层上的缓冲层。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该缓冲层包括β-Ga2O3的单晶材料或α-Ga2O3的单晶层。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基板包含α-Ga2O3的半导体层、β-Ga2O3的半导体层、α-Ga2O3的半导体层与蓝宝石层的组合或是α-Ga2O3的半导体层与蓝宝石层与缓冲层的组合。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构包含:
栅极绝缘层，设置在该通道层上；以及
栅极层，设置在该栅极绝缘层上，
其中该栅极绝缘层包含铁电材料层或介电层，或是包含该铁电材料层与介电层的复合层。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该...
【专利技术属性】
技术研发人员：李衡，黄馨仪，张道智，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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