异方性导电膜结构及其制作方法技术

本发明专利技术揭示一种异方性导电膜结构及其制作方法，且异方性导电膜结构包括异方性导电膜、中间层以及非导电性薄膜，利用被异方性导电膜以及非导电性薄膜包夹的中间层以阻挡异方性导电膜中未被垂直加压的导电粒子，达成水平方向上的电气绝缘，同时能让已被垂直加压的导电粒子流到被垂直加压的导电粒子中，并相互接触以达到垂直方向上的电气导通，而且中间层还可进一步阻挡非导电性薄膜在加热加压下流到异方性导电膜内，进而提高导电粒子颗数与密度，大幅提升导电率，具有提升生产效率的具体功效。

Structure and fabrication method of hetero conducting film

【技术实现步骤摘要】
异方性导电膜结构及其制作方法
本专利技术关于一种异方性导电膜结构及其制作方法，尤其是利用被异方性导电膜以及非导电性薄膜包夹的中间层以阻挡异方性导电膜中未被垂直加压的导电粒子，达成水平方向上的电气绝缘，同时能让已被垂直加压的导电粒子流到被垂直加压的导电粒子中，并相互接触以达到垂直方向上的电气导通，而且中间层还可进一步阻挡非导电性薄膜在加热加压下流到异方性导电膜内，进而提高导电粒子颗数与密度，大幅提升导电率，具有提升生产效率的具体功效。
技术介绍
在电子工业领域中，需要将不同的电子组件电气连接至电路板上的电子线路，而最常用的方式是使用焊料以达成焊接，比如具低温熔化特性且具有较佳导电度的铅锡合金焊料，可先藉加热处理而使焊料熔化而同时接触电子组件及电子线路，接着在冷却后固化焊料而稳固的连接电子组件及电子线路。随着终端产品对轻、薄、短、小的需求并为达到省电的特性，尤其是集成电路(IntegratedCircuit,IC)的电子组件，需要进一步缩小，而对于表面黏着组件(SurfaceMountDevice,SMD)，一般使用高温炉以加速焊接处理提高产量。对于产品日益精进的LED以及LED显示器领域，不仅显示面板的尺寸不断增加，而且分辨率也不断提高，使得连接至面板以提供驱动信号而驱动每个像素的驱动IC(DriverIC)需要更多紧密排列的电子组件接脚，藉以满足显示面板的微细间距(FinePitch)的需求。现有技术一般的平面显示器，例如液晶显示器，已取代传统的阴极射线管(CRT)显示器，并广泛地应用于计算机统、电视、影像显示与监视装置以及其他消费性影音装置。然而，随着平面显示器的分辨率不断提高，平面显示器中的驱动集成电路(IC)的接脚数目也愈多，一般可达数百甚至上千个接脚以上。尤其是，市场上对于平面显示器轻薄短小的需求，使得驱动集成电路中相邻线距(Pitch)必须细窄化。因为受制于非常有限的可利用面积且无法使用高温锡焊的传统焊接方式，所以目前液晶模块(LCM)的主流电气连接技术是使用异方性导电膜(AnisotropicConductiveFilm,ACF)，例如玻璃覆晶封装(ChiponGlass,COG)或薄膜覆晶封装(ChiponFilm,COF)的制程中，利用ACF以达成特定方向的电气连接。具体而言，异方性导电膜是以树脂及导电粒子(或导电粉体)组合而成，可用以连接二种不同基材和线路，而且异方性导电膜具有上下(Z轴)电气导通的特性，且左右平面(X、Y轴)具有绝缘性，通常可在加热下并利用Z轴方向上的外部加压处理，使所包含的分离导电粒子相互接触而达到Z轴方向的电气导通且同时平面方向电气绝缘的目的，可避免相邻接脚发生短路。然而在前述基础上，随着可利用接触面积的缩小，必须增加导电粉体的含量或增大导电粉体的粒径，藉以降低电阻而能维持足够的导通电量，但是会大幅提高封装线路之间发生短路的机率，因此，业界引入了结合ACF与非导电性薄膜(Non-ConductiveFilm,NCF)30’的双层复合式结构。进一步而言，结合ACF与NCF的双层复合式结构在实际投入热压处理制程的时候，会由于材料特性的关，使得NCF保持极高的流动性，很容易侵入ACF内，进一步推挤ACF内所包含有的树脂’与导电粒子，使得单位面积中的导电粒子颗数与密度大幅降低，造成导电率难以提升的限制。再者，为了维持特定电气特性与效能，必须在电接触部份使用高质量的基材、组件、导线以及异方性导电膜，导致制程成本大幅增加，而且还降低整体的生产效率。因此，需样一种新创的异方性导电膜结构及其制作方法，利用被异方性导电膜以及非导电性薄膜包夹的中间层以阻挡异方性导电膜中未被垂直加压的导电粒子，达成水平方向上的电气绝缘，同时能让已被垂直加压的导电粒子流到被垂直加压的导电粒子中，并相互接触以达到垂直方向上的电气导通，而且中间层还可进一步阻挡非导电性薄膜在加热加压下流到异方性导电膜内，进而提高导电粒子颗数与密度，大幅提升导电率，具有提升生产效率的具体功效。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种异方性导电膜结构，包括依序堆栈的异方性导电膜、中间层以及非导电性薄膜，用以提供电气连接功能。具体而言，异方性导电膜具有上表面及下表面，且包括第一树脂以及多个导电粒子，其中导电粒子是均匀分布于第一树脂中，且导电粒子包括高分子核心体以及导电壳层，而导电壳层是包覆高分子核心体的外表面。此外，中间层具有上表面及下表面，且中间层的下表面迭设于异方性导电膜的上面表，而非导电性薄膜包括第二树脂，且具有上表面及下表面，而非导电性薄膜的下表面迭设于中间层的上面表。再者，当异方性导电膜结构受到加热及垂直加压时，异方性导电膜中被垂直加压的部分所包含的导电粒子会被挤压而流到中间层中，而异方性导电膜中未被垂直加压的部分所包含的导电粒子会被中间层阻挡而留在异方性导电膜中，尤其，中间层可进一步阻挡非导电性薄膜在加热加压下流到异方性导电膜内，进而提高导电粒子颗数与密度，大幅提升导电率。此外，本专利技术的另一目的在于提供一种异方性导电膜结构的制作方法，包含：形成异方性导电膜，包括第一树脂以及多个导电粒子，所述导电粒子是均匀分布于第一树脂中，且导电粒子包括高分子核心体以及导电壳层，而高分子核心体是被导电壳层包覆；形成中间层，是位于异方性导电膜上，且包括相互混合的中间层本体以及接着剂；以及形成非导电性薄膜，是位于中间层上，且包括第二树脂。再者，上述的导电壳层包含镍层及金层，其中金层的下表面覆盖、包围镍层的上表面。附图说明图1为本专利技术第一实施例的异方性导电膜结构的剖面分解示意图。图2、图3为本专利技术第一实施例异方性导电膜结构的应用示意图。图4为本专利技术第二实施例异方性导电膜结构的制作方法的流程图。其中，附图标记说明如下：10异方性导电膜11第一树脂12导电粒子12A高分子核心体12B导电壳层12C高分子披覆层20中间层30非导电性薄膜40芯片41芯片导线50玻璃板51玻璃板导线D1向下方向D2向上方向S10、S20、S30步骤具体实施方式以下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。本专利技术亦可藉由其他不同的具体实例加以施行或应用，本专利技术说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。须知，本说明书所附图式绘示的结构、比例、大小、组件数量等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。请参考图1，本专利技术第一实施例异方性导电膜结构的剖面分解示意图。如图1所示，本专利技术第一实施例的异方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异方性导电膜结构，其特征在于，包括：/n一异方性导电膜，具有一上表面及一下表面，且包括一第一树脂以及多个导电粒子，所述导电粒子是均匀分布于该第一树脂中，且该导电粒子包括一高分子核心体以及一导电壳层，而该导电壳层是包覆该高分子核心体的一外表面；/n一中间层，具有一上表面及一下表面，且该中间层的下表面迭设于该异方性导电膜的上面表；以及/n一非导电性薄膜，包括一第二树脂，且具有一上表面及一下表面，该非导电性薄膜的下表面迭设于该中间层的上面表，/n其中该异方性导电膜结构在受到加热及垂直加压时，该异方性导电膜中被垂直加压的部分所包含的导电粒子是被挤压而流到该中间层中，而该异方性导电膜中未被垂直加压的部分所包含的导电粒子是被该中间层阻挡而留在该异方性导电膜中，该中间层进一步阻挡该非导电性薄膜在加热加压下流到该异方性导电膜内。/n

【技术特征摘要】
1.一种异方性导电膜结构，其特征在于，包括：
一异方性导电膜，具有一上表面及一下表面，且包括一第一树脂以及多个导电粒子，所述导电粒子是均匀分布于该第一树脂中，且该导电粒子包括一高分子核心体以及一导电壳层，而该导电壳层是包覆该高分子核心体的一外表面；
一中间层，具有一上表面及一下表面，且该中间层的下表面迭设于该异方性导电膜的上面表；以及
一非导电性薄膜，包括一第二树脂，且具有一上表面及一下表面，该非导电性薄膜的下表面迭设于该中间层的上面表，
其中该异方性导电膜结构在受到加热及垂直加压时，该异方性导电膜中被垂直加压的部分所包含的导电粒子是被挤压而流到该中间层中，而该异方性导电膜中未被垂直加压的部分所包含的导电粒子是被该中间层阻挡而留在该异方性导电膜中，该中间层进一步阻挡该非导电性薄膜在加热加压下流到该异方性导电膜内。


2.如权利要求1所述的异方性导电膜结构，其特征在于，该中间层包括相互混合的一中间层本体以及一接着剂，该中间层本体包括环氧树脂、硅脂树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、苯氧树脂、压克力树脂的其中至少的一，而该接着剂包括热熔胶、热熔感压胶、热熔胶条、压克力结构胶、环氧脂胶、酚醛树脂、尿素甲醛树脂、聚乙烯-醋酸乙烯树脂的其中至少之一。


3.如权利要求1所述的异方性导电膜结构，其特征在于，该中间层的一厚度是介于1至7微米之间，且该导电壳层包含一镍层及一金层，而该金层的一下表面覆盖、包围该镍层的一上表面。


4.如权利要求1所述的异方性导电膜结构，其特征在于，该异方性导电膜的第一树脂包括重量百分比为60％～80％的一第一树脂本体以及重量百分比为20％～30％的一第一硬化剂，而该第一树脂本体包括环氧树脂、苯氧树脂、压克力树脂、聚氨酯树脂、尿素树脂、美耐皿树脂、不饱和聚酯树脂、硅脂树脂、酚醛树脂的其中至少的一，且该第一硬化剂包括脂肪胺、脂环胺、芳香胺、聚酰胺、酸酐、叔胺的其中至少之一。

【专利技术属性】
技术研发人员：张子于，
申请(专利权)人：玮锋科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71