切割片胶膜用基膜及其制作方法技术

一种切割片胶膜用基膜，应用于底材的切割制程或是研磨制程，包括:第一膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中聚烯烃聚合物占第一膜层的重量组份为95％‑80％及苯乙烯系弹性体占第一膜层的重量组份为5％‑20％；第二膜层，由聚烯烃聚合物和烯烃嵌段共聚物组成，其中聚烯烃聚合物占第二膜层的重量组份为30％‑70％及烯烃嵌段共聚物占第二膜层的重量组份为70％‑30％；以及第三膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中聚烯烃聚合物占第三膜层的重量组份为95％‑80％及苯乙烯系弹性体占第三膜层的重量组份为5％‑20％，且第二膜层设置在第一膜层与第三膜层之间。

Base film for cutting sheet adhesive film and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
切割片胶膜用基膜及其制作方法
本专利技术是有关于一种基膜，尤其是指一种具有回弹性且可以在切割制程或是研磨制程中避免产生切割粉屑以污染底材的一种切割片胶膜用基膜及其制作方法。
技术介绍
现有技术中，对于以硅、砷化镓为主的半导体制程，以切割(dicing)步骤及其他例如研磨步骤中为了确保晶圆或是芯片的完整性及可靠性，以及保护晶圆或是芯片为目的，通常会在欲切割或是欲研磨的晶圆或是芯片的下方设置有切割片，一般都使用以聚烯烃树脂或聚氯乙烯树脂为主的塑料膜片，但是传统的聚烯烃树脂的本身材质的回弹性(或称回复性)不足，特别是在切割晶圆或是晶圆研磨的时候造成切割粉屑。当在进行晶圆切割时，为了使晶圆能够确实的被切断以形成多个芯片，切割刀除了切割晶圆之外也会将置于晶圆下方的切割片一并裁切，然而下方的切割片不一定会整个切断有可能只有局部被裁切。然而，在切割刀裁切的过程中，由于切割片的材料会使得在切割晶圆的过程中同时产生切割粉屑，而这些切割粉屑特别是会附着在切割在线、或是因为切割而分离的芯片与芯片之间的断面上。而当有这些切割粉屑大量的附着于芯片而对芯片进行密封时，附着于芯片的切割粉屑会因后续的封装制程中所产生的热而分解，其分解物会破坏封装后产品的可靠度，而有可能造成该芯片无法操作或是操作不良。然而在晶圆切割制程之后虽然会进行一道洁净制程，例如清洗或是吹净制程，但是这些附着于芯片上的切割屑较难以经由洗净而去除，并且用肉眼是无法察觉这些切割粉屑是否存在，因此切割粉屑的产生使得切割步骤后的芯片的良率下降。因此，为了改善切割屑产生而污染晶圆(或芯片)的缺点，在进行晶圆切割时，利用γ(Gamma)射线对以聚烯烃树脂为主的塑料膜片产生辐射交联，但是利用γ射线会增加制程的成本。当使用聚氯乙烯树脂做为切割膜片时，虽然利用γ射线对聚氯乙烯树脂产生辐射交联，使得聚氯乙烯树脂会缩聚，但是使用聚氯乙烯树脂亦或产生另一个需要解决的问题在于，对于进行完半导体制程之后所回收的聚氯乙烯树脂在焚烧时，容易产生大量的有毒性气体，进而污染环境，因此，如何将毒气在合格的范围内排放或是进行处理又会是半导体厂需要解决的另外一个问题。因此，为了改善使用聚氯乙烯做为切割膜片所造成的缺陷，日本公开专利第JP2009-004568号公开利用聚丙烯(PP，polypropylene)、苯乙烯弹性体(SEBS,styreneethylenebutylenestyreneblockcopolymer)及苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物(SEEPS)来做为主层材料以解决切割粉屑的问题。然而，苯乙烯弹性体以及苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物都属于热塑弹体性材料，理论上添加弹性体是可以提升膜片的柔软度、降低切割粉屑发生的现象，但是利用上述组成成份所形成的弹性体在热熔加工时，容易产生自黏性，如果含量过高，在流延制程或吹膜加工制程时无法成膜。而在日本专利公开第JP2009-004568号这篇中公开了其弹性体添加量50％～100％这个含量，在熟悉此
的技术人员可以很轻易的得知，不太可能有成膜的空间。另外，中国台湾地区专利技术专利公告第I588234号利用聚乙烯和苯乙烯弹性体混合成膜来解决切割粉屑的问题，且以两层结构组合。在此篇专利还叙述了切割基膜具有良好的扩张性，但两层结构中的下层材料并无添加弹性体，因此在实际使用上仍有切割粉屑发生的风险。此外，中国专利技术专利公开第CN106133879A号利用环状烯烃聚合物(例如COC，CycloOlefinCopolymer)和非环状烯烃聚合物，例如低密度聚乙烯(LDPE，Lowdensitypolyethylene)的混合成分来制作切削片抑制层材料，这样组成成份的材料一般应用在易撕膜的
上，若应用在晶圆切割制程中，要降低产生切割粉屑的效果并不理想。
技术实现思路
为了解决现有技术中切割膜在进行切割时会产生切割屑的问题，本专利技术主要揭露一种基膜，其具有良好回弹性和扩张性，使得具有此特性的基膜应用于切割步骤或是研磨步骤时，不会产生切割粉屑或是研磨粉屑，增加切割制程或是研磨制程之后的底材的可靠性。本专利技术的另一目的在于提供一种具有三层结构的基膜，利用基膜的最上层及最下层的材料具有良好的回弹性，设置在底材的下方进行切割或是研磨时，当切割刀以此基膜为切割终止层时，即使被切割刀切断或是局部裁切也不会产生粉屑，使得在经过切割之后或是研磨之后的晶圆或是芯片不会因为粉屑的污染而影响良率。本专利技术的再一目的在于提供一种具有三层结构的基膜，此基膜具有紫外光(UVlight)高穿透率，当圆切割步骤或研磨步骤完成之后，将此基膜由底材上移除时，利用紫外光照射即可由底材的背面移除，不会有基膜残留在底材上，对后续制程不会有任何影响。根据上述目的，本专利技术提供一种基膜，应用于底材的切割制程或是研磨制程，包括:第一膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中聚烯烃聚合物占第一膜层的重量组份为95％-80％及苯乙烯系弹性体占第一膜层的重量组份为5％-20％；第二膜层，由聚烯烃聚合物和烯烃嵌段共聚物组成，其中聚烯烃聚合物占第二膜层的重量组份为30％-70％及烯烃嵌段共聚物占第二膜层的重量组份为70％-30％；以及第三膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中聚烯烃聚合物占第三膜层的重量组份为95％-80％及苯乙烯系弹性体占第三膜层的重量组份为5％-20％，且第二膜层设置在第一膜层与第三膜层之间。附图说明图1根据本专利技术所揭露的技术，表示底材设置在基膜上的俯视图。图2根据本专利技术所揭露的技术，表示切割片胶膜的结构截面示意图。图3根据本专利技术所揭露的技术，表示基膜的结构截面示意图。图4根据本专利技术所揭露的技术，表示形成基膜的步骤流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术特征及优点，能更为相关
人员所了解，并得以实施本专利技术，在此配合所附的图式、具体阐明本专利技术的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本专利技术特征有关的示意，并未亦不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的
技术实现思路
，亦不再加以陈述。首先，请参考图1，在图1中表示底材设置在切割片胶膜上的俯视图。在图1中，切割片胶膜10藉由黏胶(未在图中表示)设置在底材20的下表面上。此切割片胶膜10的目的在于:底材20在切割或是研磨的过程中，防止研磨或是切割底材20时所产生的切割粉屑对底材20造成污染，实现对底材20的保护作用。在本专利技术的实施例中，底材20可以是半导体制程中的晶圆、芯片、或是要进行切割或是研磨的金属、有机材料或是无机材料。而在以下的实施例中，则是针对半导体制程中的晶圆或是芯片来举例说明。另外，要说明的是，当底材20为半导体晶圆时，要对晶圆20进行切割时，可以将本专利技术所揭露的切割片胶膜10利用黏着层(未在图中表示)贴附在晶圆20的背面(即相反于主动面的那一面)，然后进行切割制程，将晶圆20切割形成多个芯片202。若要对晶圆进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基膜，应用于底材的切割制程或是研磨制程，其特征在于，所述基膜包括:/n第一膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中所述聚烯烃聚合物占所述第一膜层的重量组份为95％-80％及所述苯乙烯系弹性体占所述第一膜层的重量组份为5％-20％；/n第二膜层，由聚烯烃聚合物和烯烃嵌段共聚物组成，其中所述聚烯烃聚合物占所述第二膜层的重量组份为30％-70％及所述烯烃嵌段共聚物占所述第二膜层的重量组份为70％-30％；以及/n第三膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中所述聚烯烃聚合物占所述第三膜层的重量组份为95％-80％及所述苯乙烯系弹性体占所述第三膜层的重量组份为5％-20％，且所述第二膜层设置在所述第一膜层与所述第三膜层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种基膜，应用于底材的切割制程或是研磨制程，其特征在于，所述基膜包括:
第一膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中所述聚烯烃聚合物占所述第一膜层的重量组份为95％-80％及所述苯乙烯系弹性体占所述第一膜层的重量组份为5％-20％；
第二膜层，由聚烯烃聚合物和烯烃嵌段共聚物组成，其中所述聚烯烃聚合物占所述第二膜层的重量组份为30％-70％及所述烯烃嵌段共聚物占所述第二膜层的重量组份为70％-30％；以及
第三膜层，由聚烯烃聚合物和苯乙烯系弹性体组成，其中所述聚烯烃聚合物占所述第三膜层的重量组份为95％-80％及所述苯乙烯系弹性体占所述第三膜层的重量组份为5％-20％，且所述第二膜层设置在所述第一膜层与所述第三膜层之间。


2.如权利要求1所述的基膜，其特征在于，所述第一膜层及所述第三膜层的所述苯乙烯系弹性体为苯乙烯－乙烯/二烯块状共聚物(SBS)或是苯乙烯－丁二烯－苯乙烯共聚物(SEBS)。


3.如权利要求1所述的基膜，其特征在于，所述第一膜层及所述第三膜层的所述聚烯烃系聚合物的密度为0.87g/cm3-0...

【专利技术属性】
技术研发人员：林仲箎，李静惠，程永雄，
申请(专利权)人：翊圣企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71