【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯的制备装置和制备方法
本专利技术涉及石墨烯制备
，特别是涉及一种石墨烯的制备装置和制备方法。
技术介绍
石墨烯自2004年被成功制备以来，因其独特的结构和性能，备受人们青睐。目前应用于制备石墨烯薄层材料的方法有：外延生长法、化学气相沉积法、微机械剥离法、液相剥离法及氧化还原法等。等离子体还原是氧化还原法的一种，其中，低温等离子体还原在产业化应用上有很大的优势，还原效果好，温度低(和大多数器件兼容)，能耗少，通常几十秒到几分钟就可以达到良好的还原效果。现有技术中通常是用氢和氩混合等离子体还原氧化石墨烯，将GO旋涂在ITO导电玻璃上，烘干后置于等离子放电室中，等离子放电室中通过放电产生氢和氩混合等离子体，将该等离子体流直接作用在GO薄膜上，放电5min后得到还原氧化石墨烯薄膜。然而Ar等离子体对材料有轰击和刻蚀作用，这种轰击和刻蚀作用通常使材料减薄和剥落，这在实际应用上限制了等离子体还原技术的进一步发展。
技术实现思路
本专利技术提供了一种石墨烯的制备装置和制备方法。该装置采用筛选磁场...
【技术保护点】
1.一种石墨烯的制备装置，其特征在于，包括：石墨烯反应室，所述石墨烯反应室内设置有承载待反应物的加热板，与所述石墨烯反应室连通且设置于所述石墨烯反应室的一侧的等离子体腔室，位于所述等离子体腔室一端的等离子体喷射口，通过所述等离子体喷射口注入混合等离子体，所述混合等离子体的注入方向与所述待反应物的延伸方向相同，所述等离子体腔室内设置有磁场发生装置，所述石墨烯反应室内设置有电场发生装置，所述电场发生装置产生的加速电场的方向、所述磁场发生装置产生的筛选磁场的方向、所述待反应物的延伸方向这三者为两两垂直的关系。/n
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯的制备装置，其特征在于，包括：石墨烯反应室，所述石墨烯反应室内设置有承载待反应物的加热板，与所述石墨烯反应室连通且设置于所述石墨烯反应室的一侧的等离子体腔室，位于所述等离子体腔室一端的等离子体喷射口，通过所述等离子体喷射口注入混合等离子体，所述混合等离子体的注入方向与所述待反应物的延伸方向相同，所述等离子体腔室内设置有磁场发生装置，所述石墨烯反应室内设置有电场发生装置，所述电场发生装置产生的加速电场的方向、所述磁场发生装置产生的筛选磁场的方向、所述待反应物的延伸方向这三者为两两垂直的关系。
2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述磁场发生装置为永磁体或螺线圈。
3.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述磁场发生装置产生的磁场大小为1-20Gs。
4.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述电场发生装置包括加速电压网，所述加速电压网位于所述石墨烯反应室内，并设置在所述待反应物的上方，且所述加速电压网与所述加热板平行设置。
5.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述加速电压网与所述加热板之间的电势差为1-10V。
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【专利技术属性】
技术研发人员：代玲玲，李宝胜，吴超，何延如，赵冠超，李立伟，孟原，
申请(专利权)人：新奥科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
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