电池片及叠瓦组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电池片及叠瓦组件，其中所涉及的电池片包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜，所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅，所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置；基于本实用新型专利技术所提供电池片的结构，可以在避免出现电池片边缘漏电的前提下进一步缩小边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离，如此在叠瓦组件的具体应用场景中，能够进一步降低同一电池串中相邻两电池单元之间的交叠宽度，从而可靠的实现叠瓦组件的降本提效。

Battery chip and laminated tile assembly

【技术实现步骤摘要】
电池片及叠瓦组件
本技术涉及太阳能光伏领域，尤其涉及一种电池片及叠瓦组件。
技术介绍
随着光伏技术的进步和“领跑者”计划的深入推进，中国光伏行业开始进入高效产品比拼的时代，其中，作为主流高效组件技术之一的叠瓦技术目前受到广泛关注。叠瓦组件是利用切片技术将栅线重新设计的电池母片切割成合理尺寸的长条形电池单元，将若干长条形电池单元叠加排布制作成串，再经过串并联排版后层压成组件。叠瓦组件使得电池单元之间以更紧密的方式互相连结，在相同的面积下，叠瓦组件可以放置多于常规组件13％以上的电池片，并且由于此组件结构的优化，采用无焊带设计，大大减少了组件的线损，大幅度提高了组件的输出功率。随叠瓦组件技术成熟，组件的降本提效(即降低成本、提高效率)成为至关重要的事情，其中，减小相邻电池单元之间的交叠宽度，可以在相同组件版型、相同功率的情况下，减少所使用电池单元的片数，从而能够降低组件制作成本(也可以理解为：在采用相同电池单元数量时，减小相邻电池单元的交叠宽度，能够提高组件的光照接受面积，进而有效提高组件效率)。在具体叠瓦组件组装过程中，相邻两电池单元的交叠宽度尺寸通常不小于正面主栅到半导体基板相应侧边缘的距离尺寸与正面主栅的宽度尺寸之和，否则相邻两电池片交叠后，交叠位置处的正面主栅会暴露在外；而为保证测试的准确性及稳定性，电池单元的正面主栅宽度也不能无限缩小。基于此，在具体电池片的设计过程中，只能通过进一步缩小正面主栅到半导体基板相应侧边缘的距离来进一步实现光伏组件的降本提效。通常，在采用电池母片切割成电池单元时，必然存在一块电池单元的正面主栅由电池母片的边缘主栅构成，为了缩小该电池单元中正面主栅到半导体基板相应侧边缘的距离，就需要缩小电池母片中边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离，然过分的缩小电池母片中边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离容易出现烧结后形成的边缘主栅与半导体基板P型层之间形成电性连接，进而导致所得到的具有该边缘主栅的电池单元存在边缘漏电问题，而边缘漏电会严重影响电池单元的效率。有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述技术目的，本技术提供了一种电池片，其具体设计方式如下。一种电池片，包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜，所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅，所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。进一步，所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧与所述边缘主栅形成电性连接的副栅，所述副栅至少部分区域自所述减反射膜上表面向下穿透所述减反射膜以与所述半导体基板形成电性连接。进一步，所述边缘主栅与所述半导体基板相应侧边缘之间距离不小于0.2mm。进一步，所述边缘主栅与所述半导体基板相应侧边缘之间距离不大于0.75mm。进一步，所述边缘主栅的宽度不小于0.5mm。进一步，所述电池片还具有若干位于所述半导体基板正面一侧相对所述边缘主栅平行设置的中间主栅。进一步，若干所述中间主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。本技术还提供了一种叠瓦组件，该叠瓦组件包括若干呈叠瓦设置的电池单元，所述电池单元包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜，至少一块所述电池单元还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅，所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。本技术的有益效果是：基于本技术所提供电池片的结构，可以在避免出现电池片边缘漏电的前提下进一步缩小边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离，如此在叠瓦组件的具体应用场景中，能够进一步降低同一电池串中相邻两电池单元之间的交叠宽度，从而可靠的实现叠瓦组件的降本提效。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1所示为本技术电池片的一种正面平面示意图图2所示为图1中A-A′位置处的截面示意图；图3所示为由图1所示电池片切割所得电池单元的平面示意图；图4所示为采用若干电池单元串接形成叠瓦组件的平面示意图；图5所示为图4中B-B′位置处的截面示意图；图中，10为电池片，100为电池单元，101为第一电池单元，102为第二电池单元，11为半导体基板，110为减反射膜，12为边缘主栅，12′为中间主栅，13为副栅，131为第一副栅，132为第二副栅，14为背电极，15为背电场，d为边缘主栅12到半导体基板11相应侧边缘的距离，D为相邻两电池片之间的交叠宽度。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参考图1、图2所示，本技术所涉及的电池片10包括半导体基板11以及覆于半导体基板11正面的减反射膜110。在电池片100制作过程中，所涉及的半导体基板11可以是硅片，所涉及的减反射膜110可以由氮化硅膜、二氧化硅、碳化硅等材质制成，更具体的可参考现有技术，在此不作进一步展开。本技术中的电池片100还具有位于半导体基板11正面一侧的边缘主栅12，该边缘主栅形成于减反射膜110上表面且相对半导体基板11分离设置。具体而言，参考图2中所示，边缘主栅12与半导体基板11分别位于减反射膜110的两侧，从而形成分离，由于减反射膜110具有绝缘特性，边缘主栅12与半导体基板11未直接形成电性连接。基于本技术所提供电池片100的结构，可以在避免出现电池片100边缘漏电的前提下进一步缩小边缘主栅12到半导体基板11相应侧边缘的距离d。以下结合P型半导体基板11进行详细描述。在制作电池片100的过程中，需要对半导体基板11的正面进行磷扩散以得到N型层，在此过程中，半导体基板11的边缘及背面靠近边缘的部分也会形成N型层，故需要采用蚀刻液对半导体基板11的边缘及背面靠近边缘的N型层部分进行蚀刻处理。在刻蚀处理半导体基板11的边缘及背面靠近边缘的N型层部分时，蚀刻液有可能与半导体基板11正面靠近边缘的部分接触，从而导致半导体基板11正面的边缘N型层也被刻蚀掉，即通常所制得的半导体基板11会出现正面边缘无N型层的情况。现有技术中烧结形成电池片正面电极的导电浆料通常为烧穿型导电浆料，在烧结形成正面电极时，边缘主栅会穿透半导体基板11上表面的减反射膜并与半导体基板11的正面形成电性连接。如此，当过于缩小边缘主栅12到半导体基板11相应侧边缘之间距离时，边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池片，包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜，其特征在于，所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅，所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种电池片，包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜，其特征在于，所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅，所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。


2.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧与所述边缘主栅形成电性连接的副栅，所述副栅至少部分区域自所述减反射膜上表面向下穿透所述减反射膜以与所述半导体基板形成电性连接。


3.根据权利要求1或2所述的电池片，其特征在于，所述边缘主栅与所述半导体基板相应侧边缘之间距离不小于0.2mm。


4.根据权利要求3所述的电池片，其特征在于，所述边缘主栅与所述半导体基板相应侧边缘之间距离不大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫新春，徐洁，夏正月，许涛，邢国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32