光学传感器制造技术

本实用新型专利技术的实施例涉及光学传感器。一种光学传感器包括被配置为通过过量偏置电压在超过击穿电压的电压下被反向偏置的至少一个光电探测器。至少一个控制单元被配置为调节至少一个光电探测器的反向偏置。还公开了一种操作光学传感器的方法。

Optical sensor

【技术实现步骤摘要】
光学传感器
本公开涉及光学传感器。
技术介绍
现有的单光子雪崩二极管(SPAD)基于PN结。PN结通过过量偏置电压在超过击穿电压的电压下被反向偏置。以这种方式，由单个光子生成的载流子可以被注入耗尽区并且可能引起自持雪崩。SPAD可以被淬火，以允许PN结被重置以检测另外的光子。
技术实现思路
为了解决以上技术问题，本技术提供一种光学传感器。根据一个方面，提供了一种光学传感器，包括：光电探测器，被配置为通过过量偏置电压在超过击穿电压的电压被反向偏置；以及控制单元，被配置为调节所述光电探测器的反向偏置。在一些实施例中，所述控制单元被配置为调节所述光电探测器的阳极的电压。在一些实施例中，所述控制单元包括：第一开关，具有被耦合在所述光电探测器与地节点之间的电流路径，所述第一开关被配置为作为受控电阻进行操作；第二开关，具有被耦合在所述第一开关的控制输入与所述地节点之间的电流路径，所述第二开关被配置为当所述控制单元被禁用时处于导通状态；第三开关，具有被耦合在所述第一开关的所述控制输入与电压源之间的电流路径，所述第三开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学传感器，其特征在于，包括：/n光电探测器，被配置为通过过量偏置电压在超过击穿电压的电压被反向偏置；以及/n控制单元，被配置为调节所述光电探测器的反向偏置。/n

【技术特征摘要】
20180705 EP 18182022.61.一种光学传感器，其特征在于，包括：
光电探测器，被配置为通过过量偏置电压在超过击穿电压的电压被反向偏置；以及
控制单元，被配置为调节所述光电探测器的反向偏置。


2.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述控制单元被配置为调节所述光电探测器的阳极的电压。


3.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述控制单元包括：
第一开关，具有被耦合在所述光电探测器与地节点之间的电流路径，所述第一开关被配置为作为受控电阻进行操作；
第二开关，具有被耦合在所述第一开关的控制输入与所述地节点之间的电流路径，所述第二开关被配置为当所述控制单元被禁用时处于导通状态；
第三开关，具有被耦合在所述第一开关的所述控制输入与电压源之间的电流路径，所述第三开关被配置为当所述控制单元被启用时处于导通状态；以及
第四开关，具有被耦合在所述光电探测器与第二电压源之间的电流路径。


4.一种光学传感器，其特征在于，包括：
第一光电探测器，被配置为通过第一过量偏置电压在超过击穿电压的电压下被反向偏置；
第二光电探测器，被配置为通过与所述第一过量偏置电压不同的第二过量偏置电压在超过击穿电压的电压下被反向偏置；以及
控制单元，被配置为调节所述第一过量偏置电压并且调节所述第二过量偏置电压。


5.根据权利要求4所述的光学传感器，其特征在于，所述控制单元包括：
第一控制单元，被配置为调节所述第一过量偏置电压；以及
第二控制单元，被配置为调节所述第二过量偏置电压。


6.根据权利要求4所述的光学传感器，其特征在于，所述光学传感器能够以如下模式被操作：
第一操作模式，其中所有光电探测器都作为第一光电探测器进行操作；以及
第二操作模式，其中一些光电探测器作为第一光电探测器进行操作，并且一些光电探测器作为第二光电探测器进行操作。


7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·达顿，J·K·莫雷，
申请(专利权)人：意法半导体RD有限公司，
类型：新型
国别省市：英国;GB