一种低失调轨对轨动态锁存比较器制造技术

本发明专利技术公开了一种低失调轨对轨动态锁存比较器，其特征在于，包括偏置电路、轨对轨输入电路、失调电压校正电路、动态锁存电路、AB类输出电路；偏置电路用于为运算放大器各级提供偏置电压；轨对轨输入电路用于扩大共模电压输入范围；失调电压校正电路以预放大形式存在，用于提高比较器速度的同时降低失调电压对整体电路的影响；动态锁存电路用于把输入大小有差异的信号进行比较，产生高低电平；AB类输出电路用于提高比较器的工作速度，扩大共模电压输出范围。该电路具有低失调、高精度、轨对轨输入输出的特点。

A dynamic track to track latch comparator with low maladjustment

【技术实现步骤摘要】
一种低失调轨对轨动态锁存比较器
本专利技术涉及一种轨对轨比较器，具体地说涉及一种低失调轨对轨动态锁存比较器。
技术介绍
比较器作为模数转换电路的关键模块，其速度、失调电压等性能的优劣对模数转换电路整体性能有着重要的影响，随着集成电路工艺的迅猛发展，晶体管的尺寸不断减小，迫使电源电压越来越低，伴随着电源电压的降低，信号幅度减小导致信噪比降低，进而导致噪声对电路的影响明显增大，因此需要利用轨对轨结构增大共模范围，减轻噪声因电源电压降低对电路造成的影响。传统的前置预放大动态锁存电路由于预放大器的增益使比较器总体的失调电压得到减小，但是随着预放大增益变大，整个比较器的速度会降低。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术利用预放大器增益增大导致比较器速度降低以及失调电压减小的特点，给出了一种失调电压校正电路，目的在于提供一种低失调、高精度的轨对轨动态锁存比较器，可以在保证比较器速度的同时降低失调电压对整体电路的影响。本专利技术的有益效果：（1）本专利技术的轨对轨输入结构，在增大共模电压动态范围的同时，其预放大结构可降低失调电压；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低失调轨对轨动态锁存比较器，包括失调电压校正电路，其特征在于：所述失调电压校正电路包括PMOS管M

【技术特征摘要】
1.一种低失调轨对轨动态锁存比较器，包括失调电压校正电路，其特征在于：所述失调电压校正电路包括PMOS管MC1、MC2、MC3、MC4、MD1、MD2、MD3和MD4，开关S1、S2、S3、S4、K1、K2、K3和K4；PMOS管MC1、MC2、MC3和MC4的源极接电源VDD，PMOS管MC1的栅极、漏极与开关S1第一端子连接，PMOS管MC2的栅极、漏极与开关S2第一端子连接，PMOS管MC3的栅极、漏极与开关S3第一端子连接，PMOS管MC4的栅极、漏极与开关S4第一端子连接，开关S1、S2、S3和S4的第二端子与第一校正输出信号Control1连接；PMOS管MD1、MD2、MD3和MD4的源极接电源VDD，PMOS管MD1的栅极、漏极与开关K1第一端子连接，PMOS管MD2的栅极、漏极与开关K2第一端子连接，PMOS管MD3的栅极、漏极与开关K3第一端子连接，PMOS管MD4的栅极、漏极与开关K4第一端子连接，开关K1、K2、K3和K4的第二端子与第二校正输出信号Control2连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡超波，叶紫君，宋树祥，李叶，华菲，刘国园，李海盛，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：发明
国别省市：广西;45