一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法，所述VMPET薄膜包括PET基膜和涂覆于所述PET基膜上的镀铝层，所述PET基膜包括由上至下依次设置的电晕处理层、芯层和共混改性层。本发明专利技术应用PEN共混改性后的PET基膜，提高了基膜本身的阻隔性，使其阻隔性的提高不受镀铝层性能的影响。

A high barrier VMPET film and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法
本专利技术涉及薄膜加工
，具体涉及一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法。
技术介绍
高阻隔VMPET镀铝膜属于新材料应用领域，是一种具有高阻隔性能的包装材料，被广泛应用于食品、饮料、医药、化妆品等的复合包装上。它是PET基膜在真空条件下，应用镀铝工艺，在其表面设置一层铝层而形成的，具有良好的金属光泽，抗静电性和遮光性，尤其具有较好的阻气、阻湿性，其阻隔性比未镀铝前提高了几十倍甚至上百倍。目前市场上通常用提高铝层厚度来提高阻隔性，但是在实际中发现，阻隔性并非和铝层厚度成正比，当铝层厚度增加时，铝层的致密性、铝层附着力会降低，铝层微气孔增加，导致阻隔性降低。而且其阻隔性会随着储存时间发生一定的衰减。基于上述情况，本专利技术提出了一种新型一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法，可有效解决以上问题。
技术实现思路
针对现有技术的状况，为克服以上缺陷，本专利技术应用PEN共混改性后的PET基膜，提高了基膜本身的阻隔性，使其阻隔性的提高不受镀铝层性能的影响。本专利技术通过下述技术方案实现：一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜和涂覆于所述PET基膜上的镀铝层，所述PET基膜包括由上至下依次设置的电晕处理层、芯层和共混改性层；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：A、将电晕处理层、芯层和共混改性层三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜；B、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜的电晕处理层表面，形成一层镀铝层，然后收卷得到。根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述电晕处理层和芯层均为PET聚酯切片。根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述共混改性层为PET聚酯切片和PEN组成。根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述镀铝层的厚度为450埃。根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，步骤B中的真空度为10-4mbar。根据上述技术方案，作为上述技术方案的进一步优选技术方案，所述电晕处理层、芯层和共混改性层分别占PET基膜的厚度比例为：10％～20％、60％～80％和10％～20％。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：1、本专利技术从基膜本身提高镀铝膜的阻隔性，而不是从镀铝工艺出发，降低了镀铝层致密性等因素对提高阻隔性的影响，很大程度上解决了阻隔性随时间衰退的现象。2、PEN分子结构中的萘环比PET中的苯环具有更大的共轭双键，与PET共混改性后，电晕面镀铝后得到的改性VMPET薄膜，比普通的VMPET薄膜具有更高的阻隔性。3、可通过调整PEN的含量，以得到拥有不同程度阻隔性能的VMPET薄膜。附图说明图1为本专利技术的截面结构示意图。附图标记：1-镀铝层，2-PET基膜，21-电晕处理层，22-芯层，23-共混改性层。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合具体实施例对本专利技术的优选实施方案进行描述，但是应当理解，附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。下面将结合图1对本专利技术所述的一种高阻隔VMPET薄膜及其制备方法进行详细的说明。实施例1：参考图1所示，一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜2和涂覆于所述PET基膜2上的镀铝层1，所述PET基膜2包括由上至下依次设置的电晕处理层21、芯层22和共混改性层23；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：A、将电晕处理层21、芯层22和共混改性层23三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜2；B、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜2的电晕处理层21表面，形成一层镀铝层1，然后收卷得到。实施例2：参考图1所示，一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜2和涂覆于所述PET基膜2上的镀铝层1，所述PET基膜2包括由上至下依次设置的电晕处理层21、芯层22和共混改性层23；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：A、将电晕处理层21、芯层22和共混改性层23三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜2；B、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜2的电晕处理层21表面，形成一层镀铝层1，然后收卷得到。进一步地，在另一个实施例中，所述电晕处理层21和芯层22均为PET聚酯切片。进一步地，在另一个实施例中，所述共混改性层23为PET聚酯切片和PEN组成。进一步地，在另一个实施例中，所述镀铝层1的厚度为450埃。进一步地，在另一个实施例中，步骤B中的真空度为10-4mbar。进一步地，在另一个实施例中，所述电晕处理层21、芯层22和共混改性层23分别占PET基膜2的厚度比例为：10％～20％、60％～80％和10％～20％。实施例3：参考图1所示，一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜2和涂覆于所述PET基膜2上的镀铝层1，所述PET基膜2包括由上至下依次设置的电晕处理层21、芯层22和共混改性层23；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：A、将电晕处理层21、芯层22和共混改性层23三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜2；B、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜2的电晕处理层21表面，形成一层镀铝层1，然后收卷得到。在本实施例中，所述电晕处理层21和芯层22均为PET聚酯切片。在本实施例中，所述共混改性层23为PET聚酯切片和PEN组成。在本实施例中，所述镀铝层1的厚度为450埃。在本实施例中，步骤B中的真空度为10-4mbar。在本实施例中，所述电晕处理层21占PET基膜2的厚度比例为15％；芯层22占PET基膜2的厚度比例为65％；共混改性层23为PET的改性处理层，包含90％的PET和10％的PEN，厚度比例为20％。得到的VMPET薄膜的氧气阻隔性较共混改性处理前提高了30％，水蒸气阻隔性较为处理前提高了15％。实施例4：参考图1所示，一种高阻隔VMPET薄膜，所述VMPET薄膜包括PET基膜2和涂覆于所述PET基膜2上的镀铝层1，所述PET基膜2包括由上至下依次设置的电晕处理层21、芯层22和共混改性层23；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：A、将电晕处理层21、芯层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高阻隔VMPET薄膜，其特征在于，所述VMPET薄膜包括PET基膜(2)和涂覆于所述PET基膜(2)上的镀铝层(1)，所述PET基膜(2)包括由上至下依次设置的电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23)；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：/nA、将电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23)三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜(2)；/nB、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜(2)的电晕处理层(21)表面，形成一层镀铝层(1)，然后收卷得到。/n

【技术特征摘要】
1.一种高阻隔VMPET薄膜，其特征在于，所述VMPET薄膜包括PET基膜(2)和涂覆于所述PET基膜(2)上的镀铝层(1)，所述PET基膜(2)包括由上至下依次设置的电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23)；该VMPET薄膜的制备方法包括以下步骤：
A、将电晕处理层(21)、芯层(22)和共混改性层(23)三层原料通过三层挤出机挤出，然后双向拉伸得到三层结构的PET基膜(2)；
B、在真空状态下，将铝金属加热熔融至蒸发，铝原子凝结在PET基膜(2)的电晕处理层(21)表面，形成一层镀铝层(1)，然后收卷得到。


2.根据权利要求1所述的一种高阻隔VMPET薄膜，其特征在于，所述电晕处理层(21)...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹赤鹏，赵金彬，张忠跃，余伯春，张雪瑜，
申请(专利权)人：嘉兴鹏翔包装材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33