八畴像素结构制造技术

一种八畴像素结构，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，相邻两列子像素共享一条数据线；所述子像素的主区还包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，每一所述子像素的次区还包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、次区存储电容、次区液晶电容以及共享放电棒；在每一所述子像素内，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间电性连接对应所述子像素的第一扫描线，并跨过与其相邻所述子像素对应的第二扫描线。本发明专利技术在消除八畴像素结构中水平串扰问题的同时，大幅度地提升了八畴像素结构的开口率。

Eight domain pixel structure

【技术实现步骤摘要】
八畴像素结构
本专利技术涉及显示驱动
，尤其涉及一种八畴像素结构。
技术介绍
液晶显示器包括扭曲向列(TN)模式、电子控制双折射(ECB)模式、共面转换模式(IPS)以及垂直配向(VA)等多种显示模式，其中，VA模式是一种具有高对比度、宽视角、无须摩擦配向等优势的常见显示模式。目前一般采用3T_8domain(8畴3晶体管)的VA像素设计，使同一个子像素(subpixel)内主(main)区的4个畴与次(sub)区的4个畴的液晶分子的转动角度不一样，从而改善色偏。如图1所示，其为现有的8畴像素结构的等效电路示意图。在一个子像素中，扫描线Gate打开薄膜晶体管T1、薄膜晶体管T2和薄膜晶体管T3，数据线Data信号进入主区子像素(mainpixel)和次区子像素(subpixel)。并通过薄膜晶体管T3，将次区子像素的电压部分释放到阵列基板侧公共电极(Acom)上，以实现主区子像素和次区子像素的电压不同，从而达到八畴显示效果。但是，该像素设计会造成阵列基板侧公共电极的电压不稳，致使水平串扰等问题。为了解决这一问题，近期发展的3Tplus像素结构特意在薄膜晶体管T3的漏级端加设一条供次区子像素漏电的共享放电棒(sharebar)，可以通过共享放电棒单独控制漏电的大小。然而，这大幅度降低了开口率。此外，3Tplus的8畴像素结构成本较高，无法满足当今TFT-LCD市场激烈的价格竞争。综上所述，现有的八畴像素结构，为了解决水平串扰问题，在次区子像素结构中加设了一条供次区子像素漏电的共享放电棒，大幅度降低了八畴像素结构的开口率。
技术实现思路
本专利技术提供一种八畴像素结构，能够消除水平串扰问题的同时，大幅提高八畴像素结构的开口率，以解决现有的八畴像素结构，为了解决水平串扰问题，在次区子像素结构中加设了一条供次区子像素漏电的共享放电棒，大幅度降低了八畴像素结构开口率的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种八畴像素结构，包括在液晶显示面板内呈阵列式排布的多个子像素，每一所述子像素分为主区和次区，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于该主区和次区之间；所述子像素的主区还包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，每一所述子像素的次区还包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、次区存储电容、次区液晶电容以及共享放电棒；在每一所述子像素内，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间电性连接对应所述子像素的第一扫描线，并跨过与其相邻所述子像素对应的第二扫描线；其中，相邻两列所述子像素之间共享一条数据线，所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第三薄膜晶体管的源级连接所述数据线，所述第三薄膜晶体管的漏级连接所述共享放电棒。根据本专利技术一优选实施例，所述八畴像素结构包括第一子像素以及与所述第一子像素相邻的第二子像素，所述第一子像素对应于所述第一扫描线，所述第二子像素对应于所述第二扫描线；所述第一子像素中对应的所述第二薄膜晶体管的源级分别跨越所述第一扫描线以及所述第二扫描线，所述第一子像素中对应的所述第三薄膜晶体管的源级分别跨越所述第一扫描线以及所述第二扫描线。根据本专利技术一优选实施例，在所述第一子像素内，经过所述第二薄膜晶体管的源级以及所述第三薄膜晶体管的源级的部分所述第二扫描线的边缘形状为削角状。根据本专利技术一优选实施例，所述第二子像素对应的所述第三薄膜晶体管的源极的金属层宽度大于所述第一子像素对应的所述第三薄膜晶体管的源极的金属层宽度。根据本专利技术一优选实施例，所述第二子像素的寄生电容与所述第一子像素的寄生电容相等。根据本专利技术一优选实施例，所述主区和次区各自对应四个畴的液晶分子。根据本专利技术一优选实施例，所述主区存储电容由主区存储电极与相对的公共电极形成，所述主区存储电极经由过孔与主区的像素电极相连接；所述次区存储电容由次区存储电极与相对的公共电极形成，所述次区存储电极经由过孔与次区的像素电极相连接。根据本专利技术一优选实施例，所述主区的像素电极以及所述次区的像素电极由氧化铟锡制成。根据本专利技术一优选实施例，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第三薄膜晶体管的栅极、所述第一扫描线以及所述第二扫描线通过第一金属层制作。根据本专利技术一优选实施例，所述第一薄膜晶体管的源漏极、所述第二薄膜晶体管的源漏极、所述第三薄膜晶体管的源漏极、所述数据线以及所述共享放电棒通过第二金属层制作。本专利技术的有益效果为：本专利技术所提供的八畴像素结构，使相邻两列子像素之间共享一条数据线且共享放电棒放置在另一半数据线的位置，在解决水平串扰问题的同时，大幅地提高了八畴像素结构的开口率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的八畴像素结构的等效电路示意图。图2A为本专利技术八畴像素结构的结构示意图。图2B为图2A在a处的放大示意图。图2C为图2A在b处的放大示意图。图3为本专利技术八畴像素结构的等效电路示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有的八畴像素结构，为了解决水平串扰问题，在次区子像素结构中加设了一条供次区子像素漏电的共享放电棒，大幅度降低了八畴像素结构的开口率的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图2A所示，其为本专利技术八畴像素结构的示意图。本领域技术人员可以理解，本专利技术重点在于对八畴像素结构的改进，因此以下说明中对液晶显示面板及像素中包含的一般结构不再赘述。本专利技术的八畴像素结构，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区子像素10(mainpixel)和次区子像素20(subpixel)；其中，相邻两列所述子像素共享一条数据线40(Data)，左侧设置的第一子像素(pixel1)对应设置第一扫描线31(Gate1)，所述第一扫描线31(Gate1)介于所述第一子像素的主区子像素和次区子像素之间；右侧设置的第二子像素(pixel2)对应设置第二扫描线32(Gate2)，所述第二扫描线32(Gate2)介于所述第二子像素的主区子像素和次区子像素之间。具体地，所述第一子像素(pixel1)以及所述第二子像素(pixel2)的主区(mainpixel)还包括第一薄膜晶体管(T1)、主区存储电容(Cst_main)以及主区液晶电容(Clc_main)；所述第一子像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种八畴像素结构，其特征在于，包括在液晶显示面板内呈阵列式排布的多个子像素，每一所述子像素分为主区和次区，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于该主区和次区之间；/n所述子像素的主区还包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，每一所述子像素的次区还包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、次区存储电容、次区液晶电容以及共享放电棒；在每一所述子像素内，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间电性连接对应所述子像素的第一扫描线，并跨过与其相邻所述子像素对应的第二扫描线；/n其中，相邻两列所述子像素之间共享一条数据线，所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第三薄膜晶体管的源级连接所述数据线，所述第三薄膜晶体管的漏级连接所述共享放电棒。/n

【技术特征摘要】
1.一种八畴像素结构，其特征在于，包括在液晶显示面板内呈阵列式排布的多个子像素，每一所述子像素分为主区和次区，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线介于该主区和次区之间；
所述子像素的主区还包括第一薄膜晶体管、主区存储电容以及主区液晶电容，每一所述子像素的次区还包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、次区存储电容、次区液晶电容以及共享放电棒；在每一所述子像素内，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间电性连接对应所述子像素的第一扫描线，并跨过与其相邻所述子像素对应的第二扫描线；
其中，相邻两列所述子像素之间共享一条数据线，所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第三薄膜晶体管的源级连接所述数据线，所述第三薄膜晶体管的漏级连接所述共享放电棒。


2.根据权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述八畴像素结构包括第一子像素以及与所述第一子像素相邻的第二子像素，所述第一子像素对应于所述第一扫描线，所述第二子像素对应于所述第二扫描线；所述第一子像素中对应的所述第二薄膜晶体管的源级分别跨越所述第一扫描线以及所述第二扫描线，所述第一子像素中对应的所述第三薄膜晶体管的源级分别跨越所述第一扫描线以及所述第二扫描线。


3.根据权利要求2所述的八畴像素结构，其特征在于，在所述第一子像素内，经过所述第二薄膜晶体管的源级以及所述第三薄膜晶体管的源级的部分所述第二扫描线的边缘形状为削角...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚妮，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44