有机光电二极管用组合物、有机光电二极管和显示器件制造技术

本发明专利技术涉及一种用于有机光电二极管的组合物，该组合物包含第一有机光电二极管化合物和第二有机光电二极管化合物，以及涉及一种有机光电二极管和一种显示器件，两者均具有应用于其上的该组合物。

Composition, organic photodiode and display device for organic photodiode

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机光电二极管用组合物、有机光电二极管和显示器件
公开了一种用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管和显示器件。
技术介绍
有机光电二极管是将电能转换为光能的二极管，反之亦然。根据其驱动原理，可以将有机光电二极管分类如下。一种是光电二极管，其中由光能产生激子，分成电子和空穴，并且转移到不同的电极以产生电能；并且另一种是发光二极管，其中向电极提供电压或电流以从电能产生光能。有机光电二极管的实例可以是有机光电二极管、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机光电导体鼓。这些之中，由于对平板显示器的需求增加，有机发光二极管(OLED)最近引起了人们的注意。有机发光二极管是通过将电流施加到有机发光材料而将电能转换成光的二极管，并且具有其中有机层设置在阳极和阴极之间的结构。在本文中，有机层可以包括发光层和可选的辅助层，并且所述辅助层可以例如是选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层中的至少一层。有机发光二极管的性能可能受有机层的特性的影响，并且其中，主要可能受有机层的有机材料的特性的影响。特别地，需要开发能够增加空穴和电子迁移率并同时增加电化学稳定性的有机材料，以便将有机发光二极管应用于大尺寸平板显示器。
技术实现思路
[技术问题]一个实施方式提供一种用于有机光电二极管的组合物，其能够实现具有高效率和长寿命的有机光电二极管。另一实施方式提供一种包括所述组合物的有机光电二极管。另一实施方式提供一种包括所述有机光电二极管的显示器件。另一实施方式提供一种用于有机光电二极管的化合物。[技术解决方案]根据一个实施方式，一种用于有机光电二极管的组合物包括由化学式1表示的用于有机光电二极管的第一化合物；和由化学式2表示的用于有机光电二极管的第二化合物。在化学式1和化学式2中，X1为O或S，A为取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、或取代或未取代的喹唑啉基，L和Y1至Y3独立地是单键、取代或未取代的C6至C30亚芳基、或取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，Z1至Z3独立地是取代或未取代的C6至C30芳基、或取代或未取代的C2至C30杂环基，R1至R10独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、或取代或未取代的C2至C30杂环基，并且m是0到2的整数之一。根据另一实施方式，一种有机光电二极管包括彼此面对的阳极和阴极和设置在所述阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包括前述用于有机光电二极管的组合物。根据另一实施方式，提供了一种显示器件，其包括所述有机光电二极管。根据另一实施方式，提供了一种用于有机光电二极管的化合物。[有利效果]可以实现具有高效率和长寿命的有机光电二极管。附图说明图1和图2是示出根据实施方式的有机发光二极管的截面图。具体实施方式在下文中，将详细描述本专利技术的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本专利技术不限于此，并且本专利技术由权利要求的范围限定。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被替换为氘、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代或未取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基、氰基或其组合。在本专利技术的一个例子中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被替换为氘、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂环基。另外，在本专利技术的具体示例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被替换为氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂环基。此外，在本专利技术的具体示例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被替换为氘、C1至C5烷基、C6至C18芳基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基。此外，在本专利技术的具体示例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被替换为氘、C1至C5烷基、C6至C18芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。此外，在本专利技术的具体示例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被替换为氘、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“杂”是指包括选自N、O、S、P和Si中的1-3个杂原子以及一个官能团中剩余的碳。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基”是指脂族烃基。烷基可以是没有任何双键或三键的“饱和烷基”。烷基可以是C1至C30烷基。更具体地，烷基可以是C1至C20烷基或C1至C10烷基。例如，C1至C4烷基在烷基链中可具有1至4个碳原子，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。烷基的具体实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。在本说明书中，“芳基”是指包括至少一个烃芳族部分的基团，并且所述烃芳族部分的所有元素都具有形成共轭的p-轨道，例如苯基、萘基等，两个或多个烃芳族部分可通过σ键连接并且可以是例如联苯基、三联苯基、四联苯基等，或两个或多个烃芳族部分直接或间接稠合以提供非芳族稠合环。例如，它可以是芴基。芳基可包括单环、多环或稠环多环(即共享相邻碳原子对的环)官能团。在本说明书中，“杂环基”是杂芳基的一般概念，并且可以在诸如芳基、环烷基、其稠合环或它们的组合等环状化合物中包括至少一个选自N、O、S、P和Si的杂原子来代替碳(C)。当杂环基为稠合环时，杂环基的整个环或每个环可包含一个或多个杂原子。例如，“杂芳基”是指包括选自N、O、S、P和Si中的至少一个杂原子的芳基。两个或多个杂芳基通过σ键直接连接，或当杂芳基包含两个或多个环时，所述两个或多个环可稠合。当杂芳基为稠合环时，每个环可包含1至3个杂原子。杂环基的具体实例可以是吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基等。更具体地，所述取代或未取代的C6至C30芳基和/或所述取代或未取代的C2至C30杂环基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的并四苯基、取代的或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的邻三联苯基、取代的或未取代的屈基、取代或未取代的三亚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于有机光电二极管的组合物，其包含：/n由化学式1表示的用于有机光电二极管的第一化合物；和/n由化学式2表示的用于有机光电二极管的第二化合物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170714 KR 10-2017-00897161.一种用于有机光电二极管的组合物，其包含：
由化学式1表示的用于有机光电二极管的第一化合物；和
由化学式2表示的用于有机光电二极管的第二化合物：



其中，在化学式1和化学式2中，
X1是O或S，
A为取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基或取代或未取代的喹唑啉基，
L和Y1至Y3独立地是单键、取代或未取代的C6至C30亚芳基或取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，
Z1至Z3独立地是取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30杂环基，
R1至R10独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30杂环基，和
m是0到2的整数之一。


2.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的组合物，其中A为取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基或取代或未取代的喹唑啉基。


3.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的组合物，其中A为组I的取代基之一：
[组Ⅰ]






其中，在组Ⅰ中，
X2为O或S，并且
*是与L的连接点。


4.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的组合物，其中Z1为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基或取代或未取代的二苯并噻吩基。


5.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的组合物，其中Z2和Z3独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基或取代或未取代的萘基。


6.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的组合物，其中化学式1由化学式1-1表示：
[化学式1-1]



其中，在化学式1-1中，
X1为O或S，
A为取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基或取代或未取代的喹唑啉基，
L为单键或C6至C30亚芳基，
Y1为单键、取代或未取代的C6至C...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳东完，李相信，李胜载，郑成显，柳银善，许达灏，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR