本发明专利技术涉及一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；测量所述第二区域中的被显露出的传感器特征的部位；基于所述第二区域中的被显露出的传感器特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
Cleaning method, exposure device, lithography equipment and device manufacturing method
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清除方法、显露装置、光刻设备和器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月5日提交的欧洲申请17179804.4的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。
本专利技术涉及一种用于显露衬底上的传感器目标的方法，一种相对应的显露装置，一种包括这种显露装置的光刻设备，和一种器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。也有可能通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。在光刻设备中，传感器通常被设置用于测量衬底的位置、方向和/或变形，从而准确地将图案转印到衬底上的目标部分。典型地，这些传感器使用设置在衬底上的传感器目标，但是当这些传感器目标被具有对传感器不利的属性的层覆盖时，例如所述层对于在可见波长范围内工作的基于光学的传感器是不透明的，测量受到负面影响，例如接收到太低的信号。当前，通过使用附加的光刻处理步骤和蚀刻处理步骤清除或去除覆盖传感器目标的不透明层的一部分来显露这些传感器目标。这些附加的处理步骤花费大量时间，并且会消耗大量机器容量，并可能导致良率损失。
技术实现思路
期望提供一种显露出被不透明层覆盖的传感器目标的改良的过程，所述改良的过程是快速的且优选地不会导致良率损失。根据本专利技术的实施例，提供了一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：a)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；b)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；c)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；d)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和e)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。在实施例中，在步骤b)中，显露出实质上间隔开的至少两个特征。在实施例中，通过激光烧蚀来执行去除所述层的特征区和/或传感器目标区的步骤。在实施例中，所述方法还包括至少填充被去除的传感器目标区的步骤。在实施例中，在步骤a)中，非良率目标部分至少是在所述衬底的边缘处的不完整的目标部分。在实施例中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。在实施例中，通过使用照相机来执行测量被显露的特征的部位，所述照相机优选地还被配置成为了诊断原因而检查所述清除。根据本专利技术的另一实施例，提供了一种显露装置，配置成显露由层覆盖的衬底上的传感器目标，包括：-层去除装置；-特征部位确定装置；和-控制单元，其中所述控制单元被配置成接收和/储存关于如下的信息：所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域；其中所述控制单元还被配置成：-控制所述层去除装置以至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；-控制所述特征部位确定装置以测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；-基于所述第二区域中的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和-控制所述层去除装置以使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。在实施例中，所述层去除装置是激光器。在实施例中，所述特征部位确定装置是照相机。在实施例中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。在实施例中，所述特征部位确定装置还配置成检查由所述层去除装置进行的层去除的结果。在实施例中，所述显露装置还包括填充装置以用另外的材料至少填充被去除的传感器目标区。根据本专利技术的另一实施例，提供了一种光刻设备，包括根据本专利技术的显露装置。在实施例中，所述显露装置附接至所述光刻设备的框架。在实施例中，所述光刻设备还包括：-照射系统，配置成调节辐射束；-支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束；-衬底台，构造成保持衬底；和-投影系统，配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。根据本专利技术的另一实施例，提供了一种器件制造方法，其中使用根据本专利技术的显露装置和/或光刻设备。附图说明现在将参考所附示意性附图、仅通过举例方式来描述本专利技术的实施例，在附图中对应的附图标记表示对应的部件，且在附图中：-图1描绘了根据本专利技术的实施例的光刻设备；-图2示意性地描绘了根据本专利技术的显露装置；-图3A描绘了覆盖有一材料层的衬底的俯视图；-图3B描绘了图3A的衬底的截面图；-图4A描绘了在清除第二区域中的特征之后的图3A的衬底的俯视图；-图4B更详细地描绘了图4A的衬底的第一区；-图4C更详细地描绘了图4A的衬底的第二区；-图5A描绘了清除第一区域中的传感器目标之后的图4A的衬底的俯视图；-图5B更详细地描绘了图5A的衬底的第三区；-图6描绘了图5A的衬底的第三区的截面图；和-图7描绘了在用另一种材料填充之后的图5A的衬底的第三区域的剖视图。具体实施方式图1示意性地描绘了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：-照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射)；-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连；-衬底台(例如，晶片台)WTa或WTb，构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置成根据某些参数准确地定位衬底的第二定位器PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：/na)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；/nb)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；/nc)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；/nd)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和/ne)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170705 EP 17179804.41.一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：
a)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；
b)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；
c)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；
d)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和
e)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，显露出实质上间隔开的至少两个特征。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过激光烧蚀来执行去除所述层的所述特征区和/或传感器目标区的步骤。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括至少填充被去除的传感器目标区的步骤。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，在步骤a)中，非良率目标部分至少是在所述衬底的边缘处的不完整的目标部分。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
7.一种显露装置，所述显露装置被配置成显露出由层覆盖的衬底上的传感器目标，包括：
-层去除装置；
-特征部位确定装置；和
-控制单元，
其中所述控制单元被配置成接收和/储存关...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·B·珍宁科，V·沃罗尼纳，T·朱兹海妮娜，B·彼得森，J·A·C·M·皮耶宁堡，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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