系统、光刻设备和减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的方法技术方案

一种系统，包括：衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底；导电或半导电元件，所述导电或半导电元件与衬底支撑件接触并覆盖衬底支撑件的至少一部分；和充电装置，所述充电装置配置成相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。

Systems, photolithography equipment, and methods for reducing or removing oxide from substrate supports

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】系统、光刻设备和减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月29日提交的欧洲申请17178743.5的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种系统、一种光刻设备和一种用于减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也常常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。所述辐射的波长决定了在衬底上图案化的最小特征尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成比例如使用193nm波长的辐射的光刻设备更小的特征。当从图案形成装置转印图案时，衬底被夹持到光刻设备中的衬底台的衬底支撑件上。衬底支撑件通常具有沿第一(z)方向延伸的多个凸起(称为突节)以支撑衬底。与衬底的总面积相比，接触衬底从而支撑衬底的突节的末端表面的总面积很小。因此，随机地位于衬底或衬底支撑件的表面上的污染物颗粒被困在突节和衬底之间的可能性很小。而且，在衬底支撑件的制造中，相较于可将大的表面准确地制成平坦的，可以将突节的顶部更准确地制成共面。当首先将衬底装载到衬底支撑件上以准备曝光时，衬底由所谓的电子销(e销)支撑，所述e销在多个位置处保持衬底。为了将衬底装载到衬底支撑件上，缩回e销，使得衬底由衬底支撑件的突节支撑。当衬底由e销保持时，其自身的重量将导致衬底变形，例如，从上方观察时变成凸面。为了将衬底装载到衬底支撑件上，缩回e销，使得衬底由衬底支撑件的突节支撑。当衬底下降到衬底支撑件的突节上时，在接触其它位置(例如，靠近中心处)之前，衬底将接触一些位置(例如，靠近边缘处)。突节和衬底的下表面之间的摩擦可以防止衬底完全松弛成平坦的无应力状态。突节的末端表面的平坦度(即突节的所有末端表面处于同一平面的接近程度)和突节的末端表面与衬底之间的摩擦系数很重要。这是因为突节的平坦度的任何变化都被传递到衬底的顶部表面，所述顶部表面受到辐照。当下降到突节上时，摩擦系数的任何变化都可能阻止衬底均匀地松弛，从而保留不均匀的残留弯曲或曲率。但是，在多个衬底处理周期之后，突节的高度及其摩擦系数可能会不一致地偏离期望的初始水平。任何这样的偏差都可能导致衬底中的聚焦和/或重叠误差。通过在末端表面(沿与第一方向正交的方向)上移动处理工具，衬底支撑件被定期地清洁，由此从衬底支撑件去除污染物。WO2016/081951中公开了一种这样的处理工具。然而，这样的机械清洁不能完全恢复平坦度的初始水平和横跨整个衬底的均匀的摩擦系数。另外，处理工具可能会损坏衬底支撑件并干扰光刻设备的生产。
技术实现思路
例如，期望提供一种改良的系统，以维持突节的末端表面的高平坦度程度和均匀的摩擦系数。根据本专利技术的方面，提供了一种系统，包括衬底支撑件、导电或半导电元件和充电装置，所述衬底支撑件配置成保持衬底，所述导电或半导电元件与衬底支撑件接触并覆盖衬底支撑件的至少一部分，所述充电装置配置成相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。根据本专利技术另一方面，提供了一种光刻设备，包括衬底台、装载装置和充电装置，所述衬底台包括衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底，所述装载装置配置成将导电或半导电元件装载到所述衬底支撑件上，使得所述导电或半导电元件与衬底支撑件接触并覆盖衬底支撑件的至少一部分，所述充电装置配置成相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向被所述衬底支撑件接触的导电或半导电元件施加正电位。根据本专利技术的另一方面，提供了一种用于减少衬底支撑件上的氧化或去除氧化物的方法，所述方法包括：使衬底支撑件与导电或半导电元件接触，使得所述衬底支撑件的至少一部分被所述导电或半导电元件覆盖；和相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向导电或半导电元件施加正电位。附图说明现在将参考随附示意性附图、仅以示例的方式来描述本专利技术的实施例，在附图中对应的附图标记指示对应的部件，且在所述附图中：图1示意性地描绘了一种光刻设备；图2描绘了衬底支撑件的平面图；图3示出了衬底支撑件的平坦度测量，其说明了有问题的氧化物生长；图4示意性地描绘了一种根据实施例的用于防止或减少生产过程期间衬底支撑件上的氧化物生长的系统的截面图；图5示意性地描绘了用于使用衬底支撑件上的金属层防止或减少衬底支撑件上的氧化物生长的另一实施例的截面图；图6示意性地描绘了根据实施例的使用伪(dummy，或假)衬底从衬底支撑件去除氧化物的系统的截面图；和图7示意性地描绘了用于使用机械处理工具从衬底支撑件去除氧化物的另一实施例的截面图。具体实施方式在本文中，术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。如本文中使用的术语““掩模版”、掩模”或“图案形成装置”可以被宽泛地解释为指可以用于将图案化的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。在这种内容背景下也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射式或反射式；二元式、相移式、混合式等)之外，其它的这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。图1示意性地描绘了一实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：-可选地，照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置成调节辐射束B(例如UV辐射束或DUV辐射束)；-支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM相连；-支撑台，例如用于支撑一个或更多个传感器的传感器台或者构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的衬底)W的衬底台或晶片台WT，其连接到第二定位装置PW，所述第二定位器配置成根据某些参数准确地定位例如衬底W的台的表面；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。光刻设备可以属于如下类型，其中衬底W的至少一部分可以被具有相对高折射率的浸没液体覆盖，例如，诸如超纯水(UPW)的水，以便填充投影系统PS与衬底W之间的浸没空间。浸没液体也可以应用于光刻设备中的其它空间，例如，在图案形成装置MA和投影系统PS之间的空间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，包括：/n衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底；/n导电或半导电元件，所述导电或半导电元件与所述衬底支撑件接触并覆盖所述衬底支撑件的至少一部分；和/n充电装置，所述充电装置配置成相对于所述衬底支撑件的被所述导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170629 EP 17178743.51.一种系统，包括：
衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底；
导电或半导电元件，所述导电或半导电元件与所述衬底支撑件接触并覆盖所述衬底支撑件的至少一部分；和
充电装置，所述充电装置配置成相对于所述衬底支撑件的被所述导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。


2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底支撑件具有主体和从所述主体的主体表面突出的多个突节，每个突节具有配置成与衬底的表面接触从而保持所述衬底的末端端部表面，和
其中，所述充电装置配置成相对于所述衬底支撑件的多个突节的末端端部表面向所述导电或半导电元件施加正电位。


3.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述正电位在1V至100V范围内，并且优选地从30V至45V。


4.根据前述权利要求中任一项所述的系统，其中，所述衬底支撑件电接地，并且向所述导电或半导电元件施加正电位，或者
其中，所述导电或半导电元件电接地，并且向所述衬底支撑件施加负电位。


5.根据前述权利要求中任一项所述的系统，包括电解质，
其中，所述电解质至少部分地填充位于所述衬底支撑件与所述导电或半导电元件之间的空间。


6.根据权利要求5所述的系统，还包括电解质供应装置，所述电解质供应装置配置成用所述电解质至少部分地填充所述空间。


7.根据前述权利要求中任一项所述的系统，还包括热调节装置，所述热调节装置配置成对所述导电或半导电元件进行热调节，使得电解质或所述电解质冷凝在所述导电或半导电元件上。


8.根据前述权利要求中任一项所述的系统，其中，所述充电装置配置成仅在将衬底装载到所述衬底支撑件上和卸载所述衬底支撑件上的衬底期间和/或仅在清洁所述衬底支撑件期间施加所述正电位。


9.根据前述权利要求中任一项所述的系统，其中，所述充电装置包括嵌入所述导电或半导电元件中的供电电源，或
其中，所述充电装置包括供电电源，所述供电电源配置成经由可致动的销针向所述导电或半导电元件施加所述正电位，每个销针通过所述衬底支撑件中的孔伸出，或
其中，所述充电装...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·H·J·斯特文斯，N·V·德兹沃姆基娜，L·M·费尔南德斯迪亚兹，J·A·C·M·皮耶宁堡，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL