【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】支承玻璃基板和使用了其的层叠基板
本专利技术涉及支承玻璃基板和使用了其的层叠基板,具体而言,涉及在半导体封装体的制造工序中用于支承半导体芯片被树脂进行了模制的加工基板的支承玻璃基板和使用了其的层叠基板。
技术介绍
对于手机、笔记本型个人电脑、PDA(PersonalDataAssistance)等便携型电子设备要求小型化和轻量化。与此相伴,这些电子设备所使用的半导体芯片的安装空间也受到严格限制,半导体芯片的高密度安装正在成为课题。因而,近年来,通过三维安装技术、即将半导体芯片彼此层叠并将各半导体芯片之间进行布线连接,从而实现了半导体封装体的高密度安装。此外,以往的晶圆级封装(WLP)通过以晶圆的状态形成凸块后,利用切割实现单片化来制作。但是,以往的WLP在难以增加引脚数的基础上,还存在因在半导体芯片的背面露出的状态下进行安装而容易发生半导体芯片的缺损等问题。因而,作为新型的WLP,提出了fanout型的WLP。fanout型的WLP能够增加引脚数,并且通过保护半导体芯片的端部而能够防止半导体芯片的缺损等。r>fanout型的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种支承玻璃基板,其特征在于,30~380℃的温度范围的平均线热膨胀系数为30×10
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170726 JP 2017-144217;20171213 JP 2017-2383901.一种支承玻璃基板,其特征在于,30~380℃的温度范围的平均线热膨胀系数为30×10-7/℃以上且55×10-7/℃以下,杨氏模量为80GPa以上。
2.根据权利要求1所述的支承玻璃基板,其特征在于,整体板厚偏差TTV小于2.0μm。
3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板,其特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO250%~66%、Al2O37%~34%、B2O30%~8%、MgO0%~22%、CaO1%~15%、Y2O3+La2O3+ZrO20%~20%。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的支承玻璃基板,其特征在于,在半导体封装体的制造工序中用于支承半导体芯片被树...
【专利技术属性】
技术研发人员:村田哲哉,藤井美红,铃木良太,
申请(专利权)人:日本电气硝子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。