一种双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路制造技术

本发明专利技术涉及开关电源领域，公开了一种双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路。包括：退磁时间检测电路，用于检测初始绕组侧的功率开关管漏端电压变化来检测退磁时间；退磁时间设置电路，包括CS峰值采样保持电路和自适应退磁时间比较电路，所述CS峰值采样保持电路采样并保持每次PWM开启时的CS峰值信号，所述自适应退磁时间比较电路根据采样的CS峰值信号，输出自适应退磁阈值时间；逻辑判断电路，用于比较退磁时间和阈值时间，如果退磁时间小于阈值时间，则输出保护信号。采用本发明专利技术的技术方案，将输出电压变化通过退磁时间的长短直接体现出来，能实现多种异常情况下的保护措施，减少系统工作的异常状态，避免安全隐患。

A multi-mode protection circuit of dual winding secondary side feedback switching power supply

【技术实现步骤摘要】
一种双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路
本专利技术涉及开关电源设计领域，特别是一种双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路。
技术介绍
随着消费电子产品强劲的需求以及各种电子产品的更新换代，对电源模块的要求也越来越高。电源模块通常为功能模块提供恒定的电压或恒定的电流，以保证它们稳定的工作。根据市场需求和成本控制，现在的电源模块体积越做越小，PCB板上器件也越来越少，既可以做便携式小型化应用，又可以节约终端成本，省略辅助绕组的拓扑结构应运而生。双绕组省略了辅助绕组，那么没有辅助绕组给VCC端供电，可以节省充电电阻，VCC端正向二极管。那么VCC端只能采取自供电，即初级绕组给VCC端供电。与此同时，对于副边反馈开关电源来讲，通过光耦和TL431端来检测输出端负载情况。输出电压大小，直接影响光耦电流，而光耦电流会直接影响FB端电压大小，通过FB电压大小，既可以调节内部振荡器工作频率，又能控制初级绕组的峰值电流，即控制占空比。通过这种拓扑结构调节初级绕组提供给次级绕组能量大小，让输出趋于平稳。此种拓扑结构的特点是可以通过光耦电流调节FB电压来间接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路，其特征在于，包括退磁时间检测电路、退磁时间设置电路、逻辑判断电路；/n所述退磁时间检测电路通过检测初始绕组侧的功率开关管漏端电压变化，来检测退磁时间；/n所述退磁时间设置电路包括CS峰值采样保持电路和自适应退磁时间比较电路，所述CS峰值采样保持电路采样并保持每次PWM开启时的CS峰值信号，所述自适应退磁时间比较电路根据采样的CS峰值信号输出变化的退磁阈值时间；/n所述逻辑判断电路比较退磁时间和阈值时间，如果退磁时间小于阈值时间，则输出保护信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路，其特征在于，包括退磁时间检测电路、退磁时间设置电路、逻辑判断电路；
所述退磁时间检测电路通过检测初始绕组侧的功率开关管漏端电压变化，来检测退磁时间；
所述退磁时间设置电路包括CS峰值采样保持电路和自适应退磁时间比较电路，所述CS峰值采样保持电路采样并保持每次PWM开启时的CS峰值信号，所述自适应退磁时间比较电路根据采样的CS峰值信号输出变化的退磁阈值时间；
所述逻辑判断电路比较退磁时间和阈值时间，如果退磁时间小于阈值时间，则输出保护信号。


2.如权利要求1所述的双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路，其特征在于，采用内部带隙基准产生偏置电压V1和偏置电压V2,其中偏置电压V1小于偏置电压V2，所述退磁时间检测电路的输入端连接GT端、内部偏置电压V1和内部偏置电压V2，所述初级绕组的两侧分别为VIN端和DRAIN端，所述功率开关管的漏极连接DRAIN端，所述功率开关管的漏极和栅极之间连接电阻R1，所述功率开关管的栅极连接所述GT端。


3.如权利要求2所述的双绕组副边反馈开关电源多模式保护电路，其特征在于，当PWM关断时，在退磁时间内,GT端电压为钳位在内部偏置电压，在退磁结束之后DRIAN端电压会阻尼震荡，电阻R1和功率开关管的栅漏寄生电容组成电阻电容并联电路，使GT端以内部偏置电压为中心上下振荡，所述退磁时间检测电路在DRAIN端的第一次下降信号输出退磁信号TD。


4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：向磊，唐波，马强，许刚颖，王磊，
申请(专利权)人：成都启臣微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51