天线阵列模块及其制造方法技术

技术编号:23403148 阅读:66 留言:0更新日期:2020-02-22 15:07
本发明专利技术公开一种天线阵列模块及其制造方法,该天线阵列模块包含线路层、天线介质层、金属片及芯片。线路层包含信号线、接地层及第一介质材料,且接地层包含耦合槽孔,其中信号线与芯片连接。天线介质层位于线路层上,并包含第二介质材料,第二介质材料的导热系数小于第一介质材料的导热系数。金属片位于天线介质层上,毫米波信号通过耦合槽孔,由信号线耦合至金属片。

Antenna array module and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
天线阵列模块及其制造方法
本专利技术涉及一种天线,特别是涉及一种天线阵列模块。
技术介绍
5G无线网络可达成更高的数据容量及更快的数据传输,故已成为了未来发展的趋势。小型基地台(smallcell)可应用于5G无线网络,并可提升数据容量、数据传输速度及整体网络效率,故可有效地提升服务品质。而为了改善小型基地台的效能,如何发展高增益具波束调整功能的相位阵列天线则成为了一个重要的议题。相位阵列天线包含多个天线阵列模块(天线单元),而这些天线阵列模块则由其内部的芯片驱动;然而,现有的天线阵列模块由于结构及材料上的限制,使这些芯片产生的热能无法有效地进行散热,故也影响了天线阵列模块的效能;此外,当模块完全使用高散热材料时,虽提升散热特性,但也影响天线的辐射增益。因此,如何提出一种天线阵列模块,能够有效改善现有技术的天线阵列模块的各种限制已成为一个刻不容缓的问题。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的问题,本专利技术的其中一目的就是在于提供一种天线阵列模块及其制造方法,以解决现有技术的天线阵列模块的各种限制。...

【技术保护点】
1.一种天线阵列模块,其特征在于,包含:/n线路层,包含信号线、接地层及第一介质材料,该信号线及该接地层位于该第一介质材料中,且该接地层包含耦合槽孔;/n天线介质层,位于该线路层上,并包含第二介质材料,该第二介质材料的导热系数小于该第一介质材料的导热系数;/n金属片,位于该天线介质层上,毫米波信号通过该耦合槽孔,由该信号线耦合至该金属片;以及/n芯片,与该信号线连接。/n

【技术特征摘要】
20190116 TW 108101618;20180809 US 62/716,4111.一种天线阵列模块,其特征在于,包含:
线路层,包含信号线、接地层及第一介质材料,该信号线及该接地层位于该第一介质材料中,且该接地层包含耦合槽孔;
天线介质层,位于该线路层上,并包含第二介质材料,该第二介质材料的导热系数小于该第一介质材料的导热系数;
金属片,位于该天线介质层上,毫米波信号通过该耦合槽孔,由该信号线耦合至该金属片;以及
芯片,与该信号线连接。


2.如权利要求1所述的天线阵列模块,其中该第一介质材料的导热系数为3~6W/m.K。


3.如权利要求1所述的天线阵列模块,其中该第一介质材料的导热系数为2~8W/m.K。


4.如权利要求1所述的天线阵列模块,其中该线路层的导热系数为4~8W/m.K。


5.如权利要求1所述的天线阵列模块,其中该第二介质材料的导热系数为0.1~1W/m.K,介电损耗小于0.008。


6.如权利要求1所述的天线阵列模块,其中该第二介质材料的导热系数为0.1~1W/m.K,介电损耗范围为0.001~0.005。


7.如权利要求1所述的天线阵列模块,其中该第二介质材料的导热系数为0.2~0.8W/m.K,介电损耗范围为0.0005~0.004。


8.如权利要求1所述的天线阵列模块,还包含侧散热电极,设置于该线路层的一侧,并与该接地层连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:余俊璋卢俊安林鸿钦
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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