一种5G用高隔离30dB耦合片制造技术

本发明专利技术提供一种5G用高隔离30dB耦合片，包括基板，在所述基板背面印刷背面银浆，在所述基板正面印刷银浆主带线和银浆耦合线，所述基板上还设有输入端口、输出端口、耦合端口和端接地，所述银浆耦合线靠近所述耦合端口一侧设有320欧姆电阻，所述银浆耦合线远离所述耦合端口一侧并联设有260欧姆电阻和26欧姆电阻，所述端接地连接所述银浆主带线、所述背面银浆以及所述320欧姆电阻、所述260欧姆电阻和所述26欧姆电阻，且所述26欧姆电阻与所述端接地之间通过长接地线连接；所述银浆耦合线在靠近耦合端口位置向外延伸出锯齿状凸起；具有能够适应5G应用场景对隔离度会更高的要求的优点。

A high isolation 30dB coupling plate for 5g

【技术实现步骤摘要】
一种5G用高隔离30dB耦合片
本专利技术属于耦合片
，具体涉及一种5G用高隔离30dB耦合片。
技术介绍
目前氮化铝陶瓷集成耦合片已经进行了大量的商用，为通讯行业的小型化做出了一定的贡献。在使用方便的同时，其优异的可靠性以及稳定性都得到了业界的认可。但是在每个不同的应用场景，都有不同的特定指标要求。隔离度是耦合器的一个重要指标，目前主流的氮化铝陶瓷集成耦合片的隔离度在-40dB左右，此隔离度已经可以满足大部分的场景需求，但是有些5G应用场景对隔离度会提出更高的要求，现有30dB氮化铝集成耦合片已无法满足指标要求，为了解决上述问题，需要一种5G用高隔离30dB耦合片。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种5G用高隔离30dB耦合片，以解决现有的30dB氮化铝集成耦合片无法满足5G应用场景需求的问题。本专利技术提供了如下的技术方案：一种5G用高隔离30dB耦合片，包括基板，在所述基板背面印刷背面银浆，在所述基板正面印刷银浆主带线和银浆耦合线，所述基板上还设有输入端口、输出端口、耦合端口和端接地，所述银浆耦合线靠近所述耦合端口一侧设有320欧姆电阻，所述银浆耦合线远离所述耦合端口一侧并联设有260欧姆电阻和26欧姆电阻，所述端接地连接所述银浆主带线、所述背面银浆以及所述320欧姆电阻、所述260欧姆电阻和所述26欧姆电阻，且所述26欧姆电阻与所述端接地之间通过长接地线连接；所述银浆耦合线在靠近耦合端口位置向外延伸出锯齿状凸起。进一步的，所述基板为氧化铝陶瓷基板。>进一步的，所述氧化铝陶瓷基板尺寸为：4.5*5.0*0.635mm。进一步的，所述输入端口、所述输出端口和所述耦合端口处分别设有输入焊盘、输出焊盘和耦合焊盘。进一步的，所述银浆主带线、所述银浆耦合线、所述320欧姆电阻、所述260欧姆电阻和所述26欧姆电阻上均设置有黑色保护膜。进一步的，所述背面银浆用于焊接至用户器件上，用于固定所述耦合片并形成接地电路。本专利技术的有益效果是：本专利技术一种5G用高隔离30dB耦合片，在耦合端口处加入一个320欧姆电阻，在接地端口并联两个电阻，阻值分别为260欧姆和26欧姆，且26欧姆的电阻延长了接地线设计。整个电路改变了传统的在接地端一个电阻或并联两个相同电阻的设计思路，通过合理的设计，来调整电路的阻抗，从而达到提高产品隔离度的；同时耦合主带线在耦合处采用了锯齿状设计，此设计增加了耦合线长，一定程度上提高了耦合的波动指标；以满足5G应用场景对隔离度更高的要求。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术结构示意图；图中标记为：1.基板，2.背面银浆，3.银浆主带线，4.银浆耦合线，5.输入端口，6.输出端口，7.耦合端口，8.端接地，9.320欧姆电阻，10.260欧姆电阻，11.26欧姆电阻，12.长接地线，13.锯齿状凸起，14.黑色保护膜。具体实施方式如图1所示，一种5G用高隔离30dB耦合片，包括基板1，基板1为氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板尺寸为：4.5*5.0*0.635mm；在基板1背面印刷背面银浆2，在基板1正面印刷银浆主带线3和银浆耦合线4，基板1上还设有输入端口5、输出端口6、耦合端口7和端接地8，输入端口5、输出端口6和耦合端口7处分别设有输入焊盘、输出焊盘和耦合焊盘；银浆耦合线4靠近耦合端口7一侧设有320欧姆电阻9，银浆耦合线4远离耦合端口7一侧并联设有260欧姆电阻10和26欧姆电阻11，端接地8连接银浆主带线3、背面银浆2以及320欧姆电阻9、260欧姆电阻10和26欧姆电阻11，且26欧姆电阻11与端接地8之间通过长接地线12连接；银浆耦合线4在靠近耦合端口7位置向外延伸出锯齿状凸起13；银浆主带线3、银浆耦合线4、320欧姆电阻9、260欧姆电阻10和26欧姆电阻11上均设置有黑色保护膜14；背面银浆2用于焊接至用户器件上，用于固定耦合片并形成接地电路。该5G用高隔离30dB耦合片，已经在5G通讯基站中得到了应用，其优异的耦合波动特性，在该场景基站中得到了非常大的认可。其在5G环形器中与环形器的完美集成，为5G基站的进一步小型化提供了可能，我5G基站的进一步小型化提供了新的方向，其未来有着更为广泛的应用。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种5G用高隔离30dB耦合片，包括基板，其特征在于，在所述基板背面印刷背面银浆，在所述基板正面印刷银浆主带线和银浆耦合线，所述基板上还设有输入端口、输出端口、耦合端口和端接地，所述银浆耦合线靠近所述耦合端口一侧设有320欧姆电阻，所述银浆耦合线远离所述耦合端口一侧并联设有260欧姆电阻和26欧姆电阻，所述端接地连接所述银浆主带线、所述背面银浆以及所述320欧姆电阻、所述260欧姆电阻和所述26欧姆电阻，且所述26欧姆电阻与所述端接地之间通过长接地线连接；所述银浆耦合线在靠近耦合端口位置向外延伸出锯齿状凸起。/n

【技术特征摘要】
1.一种5G用高隔离30dB耦合片，包括基板，其特征在于，在所述基板背面印刷背面银浆，在所述基板正面印刷银浆主带线和银浆耦合线，所述基板上还设有输入端口、输出端口、耦合端口和端接地，所述银浆耦合线靠近所述耦合端口一侧设有320欧姆电阻，所述银浆耦合线远离所述耦合端口一侧并联设有260欧姆电阻和26欧姆电阻，所述端接地连接所述银浆主带线、所述背面银浆以及所述320欧姆电阻、所述260欧姆电阻和所述26欧姆电阻，且所述26欧姆电阻与所述端接地之间通过长接地线连接；所述银浆耦合线在靠近耦合端口位置向外延伸出锯齿状凸起。


2.根据权利要求1所述的一种5G用高隔离30dB耦合片，其特征在于，所述基板为氧化铝陶瓷基板。


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【专利技术属性】
技术研发人员：陈建良，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32