自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件制造技术

本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层，其中，所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层具有不同的矫顽力，且所述任意两个相邻磁性层中的至少一个磁性层是范德瓦尔斯磁性层，其中，所述范德瓦尔斯磁性层是指由范德瓦尔斯磁性材料形成的磁性层。

A spin valve and a spin electronic device including the spin valve

【技术实现步骤摘要】
自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件
本公开总体上涉及自旋电子学和自旋电子器件领域，具体地，涉及一种自旋阀和包含该自旋阀的自旋电子器件。
技术介绍
目前使用的自旋阀的基本原理在于通过在两个磁性层之间插入非磁性间隔层而磁去耦，这保证了两个磁性层的磁矩具有平行和反平行配置，从而产生磁电阻效应。这种“磁性层/间隔层/磁性层”的三明治结构中的磁电阻效应是磁传感、数据存储和处理技术的基石。基于此，促使了20多年来基于巨磁电阻(GiantMagnetoResistance，GMR)效应和隧穿磁电阻(TunnelMagnetoResistance，TMR)效应的信息产业的蓬勃发展。然而，由于电子在穿过间隔层以及间隔层和磁性层之间的界面时难以保证自旋角动量不变，所以利用非磁性间隔层使两个磁性层去耦的自旋阀的发展受到限制。此外，三层结构的自旋阀还不利于器件的小型化。因此，需要一种无间隔层的自旋阀和包括所述自旋阀的电子器件。
技术实现思路
本公开的目的在于至少解决上述问题中的一部分或全部。本公开的一个方面提供了一种自旋阀，所述自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自旋阀，包括依次堆叠的两个或多个磁性层，/n其中，所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层具有不同的矫顽力，且所述任意两个相邻磁性层中的至少一个磁性层是范德瓦尔斯磁性层，/n其中，所述范德瓦尔斯磁性层是指由范德瓦尔斯磁性材料形成的磁性层。/n

【技术特征摘要】
1.一种自旋阀，包括依次堆叠的两个或多个磁性层，
其中，所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层具有不同的矫顽力，且所述任意两个相邻磁性层中的至少一个磁性层是范德瓦尔斯磁性层，
其中，所述范德瓦尔斯磁性层是指由范德瓦尔斯磁性材料形成的磁性层。


2.根据权利要求1所述的自旋阀，其中，每个范德瓦尔斯磁性层由相同的范德瓦尔斯磁性材料形成。


3.根据权利要求1所述的自旋阀，其中，所述两个或多个磁性层中的至少一个范德瓦尔斯磁性层具有不同于所述两个或多个磁性层中的另一范德瓦尔斯磁性层的范德瓦尔斯材料。


4.根据权利要求1所述的自旋阀，其中，所述范德瓦尔斯磁性层由以下项中的至少一个形成：范德瓦尔斯磁性金属、范德瓦尔斯磁性半金属、范德瓦尔斯磁性半导体、范德瓦尔斯磁性超导体、范德瓦尔斯磁性绝缘体、范德瓦尔斯铁磁材料、范德瓦尔斯反铁磁材料、范德瓦尔斯面内磁各向异性材料、范德瓦尔斯面外磁各向异性材料、有机范德瓦尔斯磁性材料和无机范德瓦尔斯磁性材料。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王开友，胡策，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11