一种Bi-2212超导线封头制作方法技术

本发明专利技术公开了一种Bi‑2212超导线封头制作方法，包括以下步骤：(1)、制备矩形银基合金薄片；(2)、银基合金薄片中开出一道缝隙；(3)、将Bi‑2212超导线端头放置于银基合金薄片上；(4)、将银基合金薄片沿宽边方向卷起，使银基合金薄片完全包裹Bi‑2212超导线端头；(5)、将包裹有银基合金薄片的Bi‑2212超导线端头压紧；(6)、加热缝隙另一侧未包裹Bi‑2212超导线端头的银基合金薄片，融化后形成封头；(7)、加热银基合金薄片与Bi‑2212超导线端头结合位置。本发明专利技术解决了Bi‑2212超导线端头无法密封的问题。

A manufacturing method of Bi-2212 super conductor head

【技术实现步骤摘要】
一种Bi-2212超导线封头制作方法
本专利技术涉及超导线加工方法领域，具体是一种Bi-2212超导线封头制作方法。
技术介绍
目前，国际上现有和在建的超导托克马克中，等离子体中心场强度最高的就是ITER装置，其等离子体中心场强度为5.3T，纵场线圈最高场达11.8T，中心螺线管的运行中瞬态最高场更是达到了13T，这已经接近了使用低温超导材料中临界场最高的Nb3Sn的性能极限。未来DEMO、商用堆对超导磁体磁场强度、和维持时间提出了更高的要求，为了满足如此高的磁场强度，需要制作能够达到磁场>15T，电流>45kA，电磁循环万次后性能稳定要求的超导磁体。但是受低温超导线材上临界磁场的限制，目前很难制备出超过15T的磁体。高温超导材料有着优异的上临界场、大的临界电流密度。在铜氧化物高温超导材料中，Bi-2212线材具有优异的高场载流能力、较低的交流损耗，且其对磁场表现出各向同性，可以制备成圆线，更易于电缆的绞制。其在4.2K即使外场高达45T依然能够承载具有实际应用意义的工程电流密度，因此是目前最具高场下(>20T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Bi-2212超导线封头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、制备矩形银基合金薄片，使银基合金薄片保持平整，并去除银基合金薄片表面污渍；/n(2)、银基合金薄片两条平行的长边分别为长边A、长边B，以银基合金薄片一条长边A中间位置为起点，沿着垂直长边A的方向，向银基合金薄片中开出一道缝隙，缝隙平行于银基合金薄片的宽边，缝隙一端作为起点位于银基合金薄片的长边A中间位置，缝隙另一端与银基合金薄片另一条长边B间隔一段距离；/n(3)、将Bi-2212超导线端头放置于银基合金薄片上靠近银基合金薄片长边B位置，Bi-2212超导线端头轴向平行于银基合金薄片的两条长边，Bi-2212超导线...

【技术特征摘要】
1.一种Bi-2212超导线封头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、制备矩形银基合金薄片，使银基合金薄片保持平整，并去除银基合金薄片表面污渍；
(2)、银基合金薄片两条平行的长边分别为长边A、长边B，以银基合金薄片一条长边A中间位置为起点，沿着垂直长边A的方向，向银基合金薄片中开出一道缝隙，缝隙平行于银基合金薄片的宽边，缝隙一端作为起点位于银基合金薄片的长边A中间位置，缝隙另一端与银基合金薄片另一条长边B间隔一段距离；
(3)、将Bi-2212超导线端头放置于银基合金薄片上靠近银基合金薄片长边B位置，Bi-2212超导线端头轴向平行于银基合金薄片的两条长边，Bi-2212超导线端头整体位于缝隙的一侧，且Bi-2212超导线端头与缝隙延长线之间间隔一段距离；
(4)、将银基合金薄片沿宽边方向卷起，使银基合金薄片完全包裹Bi-2212超导线端头；
(5)、将包裹有银基合金薄片的Bi-2212超导线端头压紧，使银基合金薄片与Bi-2212超导线端头紧密接触；
(6)、将包裹好的超导线端头竖直放置，超导线位于下端，用火枪加加热缝隙另一侧未包裹Bi-2212超导线端头的银基合金薄片，使未包裹Bi-2212超导线端头的银基合金薄片融化，加热温度大于或等于1000℃，直至融化位置接近缝隙时停止加热，从而在Bi-2212超导线端头形成封头；
(7)、清除封头表面残留物，并加热银基合金薄片与Bi-2212超导线端头结合位置，加热温度为800℃-900℃，加热时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨东昇，秦经刚，李建刚，刘方，金环，毛哲华，周超，武玉，陈俊凌，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34