【技术实现步骤摘要】
一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法
本专利技术属于铜超比测量
,具体涉及一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法。
技术介绍
WIC镶嵌超导线材是目前应用最广泛的超导体。在核磁共振成像仪(MRI)、核磁共振谱仪(NMR)、大型粒子加速器及超导储能系统(SMES),磁约束核聚变装置(Tokamak)等多个领域有着极其广泛的应用。铜超比是Cu/NbTi超导线材非常重要的一项性能指标,原始的化学腐蚀法存在一定的缺陷:1)测量周期长效率低,测量一个样品需要40分钟;2)测量过程使用有污染的化学试剂HNO3,WIC作为主型产品测量铜超比时需使用大量的化学试剂对环境产生一定的污染。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,解决了现有技术中测量效率低下和使用化学试剂HNO3对空气产生污染的问题。本专利技术所采用的技术方案是,一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、 ...
【技术保护点】
1.一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:/n步骤1、对WIC镶嵌超导线分别获取大于L米镀锡前样品和镀锡后样品,并对镀锡前样品进行镶嵌铜槽线与镶嵌圆线剥离;/n步骤2、环境温度处于0℃-35℃,测量样品所处的环境温度T,计算出样品所处环境温度T时铜的电阻率,并通过四引线法测量L米的镶嵌圆线的总电阻R
【技术特征摘要】
1.一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1、对WIC镶嵌超导线分别获取大于L米镀锡前样品和镀锡后样品,并对镀锡前样品进行镶嵌铜槽线与镶嵌圆线剥离;
步骤2、环境温度处于0℃-35℃,测量样品所处的环境温度T,计算出样品所处环境温度T时铜的电阻率,并通过四引线法测量L米的镶嵌圆线的总电阻Rm,测量镶嵌圆线的直径,计算镶嵌圆线的铜超比β;
步骤3、采用精密电子秤称L米的镀锡后样品质量MWIC、L米镶嵌圆线质量MSUP、L米镶嵌铜槽线的质量MC-Cu;
步骤4、通过镶嵌圆线的铜超比β和步骤3中称量质量,计算WIC镶嵌线的铜超比。
2.根据权利要求1所述一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,其特征在于,所述镀锡前样品为镶嵌铜槽线内镶嵌圆线,所述镀锡后样品为镶嵌铜槽线内镶嵌圆线,且镶嵌铜槽线与镶嵌圆线之间镀锡。
3.根据权利要求1所述一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,其特征在于,所述镶嵌圆线为铌钛/铜超导线。
4.根据权利要求1所述一种通过质量-电阻法测量WIC镶嵌超导线铜超比方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:王菲菲,郭强,王蒙,董茂胜,陈建亚,昌胜红,张科,李建峰,
申请(专利权)人:西部超导材料科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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