一种简单的黑化白色半导体氧化物的方法技术

本发明专利技术公开了一种简单的黑化白色半导体氧化物的方法，在白色半导体氧化物与醇类接触的情况下共热，从而实现白色半导体氧化物的黑化。本发明专利技术能使白色半导体氧化物快速、高效、低成本地实现黑化。

A simple method of blackening white semiconductor oxide

【技术实现步骤摘要】
一种简单的黑化白色半导体氧化物的方法
本专利技术涉及白色半导体氧化物黑化
，尤其涉及一种简单的黑化白色半导体氧化物的方法。
技术介绍
白色半导体氧化物，如二氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)等，由于具有强的电荷分离能力和优异的稳定性，在太阳能的转化和利用方面有着巨大的潜力。然而，白色半导体氧化物通常具有宽的带隙(>2.8ev)，因此对占总太阳辐射能量约50％的可见光的吸收少，造成对太阳能的利用率低下。对白色半导体氧化物进行黑化(或者说是提高对可见光的吸收)是提高太阳能器件效率的一个重要方法。近期的研究表明：通过在白色半导体氧化物表面创造出几个纳米厚度的无序层是可以实现白色半导体氧化物黑化的；例如：美国密苏里堪萨斯大学的陈小波教授等人在《Science》科学杂志2011年331卷6018期的《IncreasingSolarAbsorptionforPhotocatalysiswithBlackHydrogenatedTitaniumDioxideNanocrystals》一文中报道了在20.0bar纯氢气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种简单的黑化白色半导体氧化物的方法，其特征在于，在白色半导体氧化物与醇类接触的情况下共热，从而实现白色半导体氧化物的黑化。/n

【技术特征摘要】
1.一种简单的黑化白色半导体氧化物的方法，其特征在于，在白色半导体氧化物与醇类接触的情况下共热，从而实现白色半导体氧化物的黑化。


2.根据权利要求1所述的简单的黑化白色半导体氧化物的方法，其特征在于，所述的在白色半导体氧化物与醇类接触的情况下共热包括：液态醇与白色半导体氧化物混合后加热；和/或，在醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍皓明，张洪文，蔡伟平，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34