【技术实现步骤摘要】
树脂成形片材及其制造方法、造型物及其制造方法
本专利技术涉及利用了包含根据吸收的热量而膨胀的热膨胀性材料的热膨胀层的树脂成形片材及树脂成形片材的制造方法、和使用了该树脂成形片材的造型物及造型物的制造方法。
技术介绍
以往,作为电子设备的数字等的输入部,使用膜开关等开关。在膜开关中,例如使用实施了压花加工的树脂制的片材。另外,在压花加工中,使用凹状的模和凸状的模进行成为所希望的形状的成形(例如,日本特开平6-8254号公报)。在这样的方法中,在树脂制的片材的成形之前,需要准备与加工的形状相应的模具。因此,存在需要制造模具的成本及时间的问题。特别是在试制品的制造阶段,由于加工模具增加了开发所需要的时间,所以寻求不需要模具就容易地成形树脂制片材的方法。本专利技术是鉴于上述实际情况而完成的,目的在于提供一种能够简易地成形的树脂成形片材及树脂成形片材的制造方法、以及使用该树脂成形片材的造型物及造型物的制造方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种树脂成形片材,其特征在于,具备:基材,由树脂构成;第一热膨胀层,包含热膨胀性材料,且设置在所述基材的第一面;以及第二热膨胀层,包含热膨胀性材料,且设置在所述基材的第二面,所述第一热膨胀层在所述基材的第一面上至少设置于通过所述第一热膨胀层使所述基材变形的第一区域,所述第二热膨胀层在所述基材的第二面上至少设置于通过所述第二热膨胀层使所述基材变形的第二区域。本专利技术还提供一种树脂成形片材的制造方法,其特征在于,具有:第一热膨胀层形成工序,在 ...
【技术保护点】
1.一种树脂成形片材,其特征在于,具备:/n基材,由树脂构成;/n第一热膨胀层,包含热膨胀性材料,且设置在所述基材的第一面;以及/n第二热膨胀层,包含热膨胀性材料,且设置在所述基材的第二面,/n所述第一热膨胀层在所述基材的第一面上至少设置于通过所述第一热膨胀层使所述基材变形的第一区域,/n所述第二热膨胀层在所述基材的第二面上至少设置于通过所述第二热膨胀层使所述基材变形的第二区域。/n
【技术特征摘要】
20180810 JP 2018-1517701.一种树脂成形片材,其特征在于,具备:
基材,由树脂构成;
第一热膨胀层,包含热膨胀性材料,且设置在所述基材的第一面;以及
第二热膨胀层,包含热膨胀性材料,且设置在所述基材的第二面,
所述第一热膨胀层在所述基材的第一面上至少设置于通过所述第一热膨胀层使所述基材变形的第一区域,
所述第二热膨胀层在所述基材的第二面上至少设置于通过所述第二热膨胀层使所述基材变形的第二区域。
2.如权利要求1所述的树脂成形片材,其特征在于,所述第一区域和所述第二区域以不隔着所述基材相对的方式配置。
3.如权利要求1所述的树脂成形片材,其特征在于,
所述第一热膨胀层和所述第二热膨胀层中的至少任一方设置为至少能够部分地从所述基材剥离。
4.如权利要求1所述的树脂成形片材,其特征在于,
还具备设置于所述第一热膨胀层与所述基材之间的第一中间层、和设置于所述第二热膨胀层与所述基材之间的第二中间层中的至少任一方,
所述第一中间层与所述基材之间的剥离强度比所述第一热膨胀层与所述第一中间层之间的剥离强度低,所述第一中间层和所述第一热膨胀层能够从所述基材除去,
所述第二中间层与所述基材之间的剥离强度比所述第二热膨胀层与所述第二中间层之间的剥离强度低,所述第二中间层和所述第二热膨胀层能够从所述基材除去。
5.如权利要求1所述的树脂成形片材,其特征在于,所述第一热膨胀层和所述第二热膨胀层中的至少任一方还包含将电磁波转换为热的电磁波热转换材料。
6.如权利要求1所述的树脂成形片材,其特征在于,还具备:
第一热转换层,包含将电磁波转换为热的电磁波热转换材料,且设置在所述第一区域中所述第一热膨胀层上;以及
第二热转换层,包含将电磁波转换为热的电磁波热转换材料,且设置在所述第二区域中所述第二热膨胀层上。
7.一种树脂成形片材的制造方法,其特征在于,具有:
第一热膨胀层形成工序,在由树脂构成的基材的第一面上形成包含热膨胀性材料的第一热膨胀层;以及
第二热膨胀层形成工序,在所述基材的第二面上形成包含热膨胀性材料的第二热膨胀层,
在所述第一热膨胀层形成工序中,在所述基材的第一面上,至少在通过所述第一热膨胀层使所述基材变形的第一区域上形成所述第一热膨胀层,在所述第二热膨胀层形成工序中,在所述基材的第二面上,至少在通过所述第二热膨胀层使所述基材变形的第二区域上形成所述第二热膨胀层。
8.如权利要求7所述的树脂成形片材的制造方法,其特征在于,所述第一区域和所述第二区域以不隔着所述基材相对的方式配置。
9.如权利要求7所述的树脂成形片材的制造方法,其特征在于,所述第一热膨胀层和所述第二热膨胀层中的至少任一方设置为至少能够部分地从所述基材剥离。
10.如权利要求7所述的树脂形成片材的制造方法,其特征在于,
在所述第一热膨胀层形成工序及所述第二绝缘膨胀层形成工序之前,还具有:
第一中间层形成工序,...
【专利技术属性】
技术研发人员:高桥秀树,
申请(专利权)人:卡西欧计算机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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