高功率密度的不断电系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种高功率密度的不断电系统，其包括一壳体、一散热风扇、一隔板与一电路板。壳体的高度为二个机架单位，并设有一前通风孔与一后通风孔而形成一散热风道。散热风扇配置于前通风孔。隔板配置于壳体中而将壳体的内部空间划分出第一空间与第二空间，且前通风孔与后通风孔皆位于第一空间中。电路板配置于第一空间中，且电路板沿着散热风道划分有一散热片布局区、一电感布局区、一EMI线路布局区与一其他线路布局区，且散热片布局区与电感布局区二者相邻且其中之一邻近散热风扇，而EMI线路布局区与其他线路布局区二者相邻且其中之一邻近后通风孔。

High power density continuous power system

【技术实现步骤摘要】
高功率密度的不断电系统
本技术涉及一种不断电系统，尤其涉及一种高功率密度的不断电系统。
技术介绍
一般而言，在一个服务器机架(serverrack)中通常会配置一个不断电系统(uninterruptiblepowersystem，UPS)，以在市电失效时提供备援电源给服务器机架中的各电子设备。然而，由于传统的不断电系统的尺寸较大，因而减少了服务器机架中摆放其他电子设备的空间。举例来说，若一个服务器机架的高度为四十二个机架单位(即42rackunits，简称42U)，而配置于此服务器机架中的不断电系统便占去了六个机架单位的高度(即6rackunits，简称6U)，因而导致其他电子设备的空间只剩下三十六个机架单位(即36rackunits，简称36U)的高度。因此，如何提供一个高度更小的不断电系统，便成了一个重要的课题。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种高功率密度的不断电系统，其高度仅为二个机架单位(即2rackunits，简称2U)。为达成上述的目的，本技术实施例提供一种高功率密度的不断电系统。此高功率密度的不断电系统包括有一壳体、一散热风扇、一隔板与一电路板。所述壳体的高度为二个机架单位，且此壳体具有一前面板与一后面板。前面板设有一前通风孔，而后面板设有一后通风孔，且前通风孔与后通风孔为相对配置，据以形成一散热风道。所述散热风扇配置于前通风孔。所述隔板配置于壳体中而将壳体的内部空间划分出一第一空间与一第二空间。此隔板实质上平行于前述散热风道，且前通风孔与后通风孔皆位于第一空间中。所述电路板配置于第一空间中，此电路板配置有构成前述不断电系统的电路的多个组件，且此电路板沿着前述散热风道划分有一散热片布局区、一电感布局区、一EMI线路布局区与一其他线路布局区。散热片布局区与电感布局区二者相邻，且散热片布局区与电感布局区的其中之一邻近散热风扇。EMI线路布局区与其他线路布局区二者相邻，且EMI线路布局区与其他线路布局区的其中之一邻近后通风孔。藉由上述的主要设计方式，本技术的高功率密度的不断电系统具有良好的散热效率，跨越了2U高度的不断电系统的设计瓶颈：散热问题。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的外观的其中一视角。图2绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的外观的另一视角。图3为依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的内部配置的俯视图。图4绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的内部配置的另一视角。图5绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的内部配置的再另一视角。图6用以说明电路板120的四个布局区。图7绘示散热片122-1与功率开关组件122-2的配置关系。图8绘示采扁平绕线124-11的扼流圈124-1。图9为电路板120的立体图。图10为电路板120的组装示意图。图11绘示电池接线132的其中一种配置方式。图12为壳体110的其中一种实现方式。图13为依照本技术另一实施例的高功率密度的不断电系统的内部配置的俯视图。具体实施方式本技术的保护范围并不局限于本技术实施例或示意图中所使用特定语言描述，实施例中，可使用相同的组件编号。当组件被“连接到”或“耦合到”另一组件时，它可以直接连接到或耦合到其他组件，或者是介入其他组件。为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本技术作进一步地详细说明。图1绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的外观的其中一视角，图2绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的外观的另一视角。请同时参照图1与图2，此高功率密度的不断电系统100包括有壳体110，而壳体110的高度为二个机架单位(即高度为2U)。壳体110具有前面板112-1与后面板114-1，且前面板112-1设有二个前通风孔(皆未标示)，而后面板114-1设有后通风孔114-2。图3为依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的内部配置的俯视图，图4绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的内部配置的另一视角，图5绘示依照本技术一实施例的高功率密度的不断电系统100的内部配置的再另一视角。请同时参照图3至图5，前述的二个前通风孔分别配置有散热风扇112-2与112-3，且前述的二个前通风孔与后通风孔114-2为相对配置，据以形成散热风道(如标示116所指箭头所示)。高功率密度的不断电系统100还包括有隔板118。在此例中，此隔板118为一L型隔板。L型隔板的长边实质上平行于散热风道116，而L型隔板的短边则朝远离散热风道116的方向延伸。L型隔板配置于壳体110中而将壳体110的内部空间划分出一第一空间(未标示)与一第二空间(未标示)，且前述的二个前通风孔与后通风孔114-2皆位于第一空间中。此外，前述的散热风扇112-2与112-3皆用以将壳体110外部的空气吹入第一空间中。高功率密度的不断电系统100还包括有电路板120以及多个电池(如标示130所示)。而如图3至图5所示，电路板120配置于第一空间中，而所述的多个电池130则配置于第二空间中。所述电路板120配置有构成不断电系统100的电路的多个组件(图中仅标示少部分组件)，且电路板120沿着散热风道116划分有一散热片布局区、一电感布局区、一EMI(electromagneticinterference)线路布局区与一其他线路布局区，以图6来说明之。图6用以说明电路板120的四个布局区。请参照图6，在此例中，电路板120沿着散热风道116划分有散热片布局区122、电感布局区124、EMI线路布局区128与其他线路布局区126。如图6所示，在此例中，散热片布局区122邻近散热风扇112-2与112-3，电感布局区124邻近散热片布局区122，EMI线路布局区128邻近后通风孔114-2，而其他线路布局区126则位于电感布局区124与EMI线路布局区128之间。请同时参照图4至图6，散热片布局区122配置至少一散热片(如标示122-1所示)，每一散热片122-1锁附至少一功率开关组件(如标示122-2所示)。每一功率开关组件122-2可采一绝缘栅双极晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)或一硅控整流器(siliconcontrolledrectifier，SCR)来实现。图7即绘示散热片122-1与功率开关组件122-2的配置关系。如图7所示，每一散热片122-1可锁附多个功率开关组件122-2。请再同时参照图4至图6，由于这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率密度的不断电系统，其特征在于，包括：/n一壳体，其高度为二个机架单位，该壳体具有一前面板与一后面板，该前面板设有一前通风孔，而该后面板设有一后通风孔，且该前通风孔与该后通风孔为相对配置，据以形成一散热风道；/n一散热风扇，配置于该前通风孔；/n一隔板，配置于该壳体中而将该壳体的内部空间划分出一第一空间与一第二空间，其中该隔板实质上平行于该散热风道，且该前通风孔与该后通风孔皆位于该第一空间中；以及/n一电路板，配置于该第一空间中，该电路板配置有构成该不断电系统的电路的多个组件，且该电路板沿着该散热风道划分有一散热片布局区、一电感布局区、一EMI线路布局区与一其他线路布局区，其中该散热片布局区与该电感布局区二者相邻，且该散热片布局区与该电感布局区的其中之一邻近该散热风扇，该EMI线路布局区与该其他线路布局区二者相邻，且该EMI线路布局区与该其他线路布局区的其中之一邻近该后通风孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度的不断电系统，其特征在于，包括：
一壳体，其高度为二个机架单位，该壳体具有一前面板与一后面板，该前面板设有一前通风孔，而该后面板设有一后通风孔，且该前通风孔与该后通风孔为相对配置，据以形成一散热风道；
一散热风扇，配置于该前通风孔；
一隔板，配置于该壳体中而将该壳体的内部空间划分出一第一空间与一第二空间，其中该隔板实质上平行于该散热风道，且该前通风孔与该后通风孔皆位于该第一空间中；以及
一电路板，配置于该第一空间中，该电路板配置有构成该不断电系统的电路的多个组件，且该电路板沿着该散热风道划分有一散热片布局区、一电感布局区、一EMI线路布局区与一其他线路布局区，其中该散热片布局区与该电感布局区二者相邻，且该散热片布局区与该电感布局区的其中之一邻近该散热风扇，该EMI线路布局区与该其他线路布局区二者相邻，且该EMI线路布局区与该其他线路布局区的其中之一邻近该后通风孔。


2.根据权利要求1所述的高功率密度的不断电系统，其中该散热片布局区邻近该散热风扇，而该EMI线路布局区邻近该后通风孔。


3.根据权利要求1所述的高功率密度的不断电系统，其中该散热片布局区配置至少一散热片，每一散热片锁附至少一功率开关组件。


4.根据权利要求3所述的高功率密度的不断电系统，其中该些散热片的长边实质上平行于该散热风道。


5.根据权利要求3所述的高功率密度的不断电系统，其中该些功率开关组件包括一绝缘栅双极晶体管与一硅控整流器的至少其中之一。


6.根据权利要求1所述的高功率密度的不断电系统，其中该电感布局区配置至少一扼流圈，且至少一扼流圈采扁平绕线。

【专利技术属性】
技术研发人员：林子玮，李信隆，杨立渭，
申请(专利权)人：硕天科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71