一种一低两高多端口基站天线制造技术

本实用新型专利技术属于基站天线技术领域，具体涉及一种一低两高多端口基站天线，包括底板，底板的两侧分别设有反射板一和反射板二，底板上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，低频辐射天线阵列包括若干个低频振子，高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一，高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二；低频振子和高频振子一阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板一，部分高频振子一嵌入低频振子；高频振子二阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板二。本实用新型专利技术在底板上同时设置低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，可同时支持一个低频和两个高频，辐射性能好。

A low two high multiport base station antenna

【技术实现步骤摘要】
一种一低两高多端口基站天线
本技术属于基站天线
，具体涉及一种一低两高多端口基站天线。
技术介绍
近年来，随着移动通信网络制式的增多，为节省站址和天馈资源，减小物业协调难度，降低投资成本，共站共址的多频阵列天线成为建网的首选。且在现有无线通信系统中，MIMO(Multiple-InputMultiple-Output，多入多出)天线技术是提升移动通信质量和效率的重要关键技术，MIMO技术可以充分利用空间资源，通过多个天线实现多发多收，在不增加频谱资源和天线发射功率的前提下，能够大幅提升系统信道容量，提高信道的可靠性，降低误码率。当前全球范围内的移动通讯制式较多，涉及2G、3G、4G及5G，各个制式的频段有所不同，而同一制式不同运营商的使用频段也不相同。为适应当前移动通讯频段较多、较复杂的现实需求，同时覆盖高、低频段，且高低频段本身又要支持宽频的基站天线，已成为基站天线技术发展的必然方向。而现有基站天线无法实现多端口天线同时支持一个低频频段和两个高频频段，且高低频都是宽频的技术要求，同时现有基站天线辐射性能较差。
技术实现思路
为了解决现有基站天线无法同时支持一个低频频段和两个高频频段，且无法满足高低频都是宽频的技术要求，同时基站天线辐射性能较差的问题，本技术公开了一种一低两高多端口基站天线，在两侧分别设有反射板一和反射板二的底板上同时设置彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，该多端口天线可同时支持一个低频和两个高频，同时该天线有很好的隔离指标和辐射性能，性能得到大幅提升，有效解决了上述问题。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种一低两高多端口基站天线，包括底板，所述底板的两侧分别设有反射板一和反射板二，所述底板上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子，所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一，所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二；所述低频振子和高频振子一阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板一，部分所述高频振子一嵌入低频振子；所述高频振子二阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板二。作为优选，上述低频辐射天线阵列包括4-11个低频振子，所述高频辐射天线阵列一包括5-13个高频振子一，所述高频辐射天线阵列二包括5-13个高频振子二。作为优选，上述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，所述高频振子一对应的反射板一的反射面的长度为d1，高度为h1；所述d1为f2的0.7-1.2倍波长，所述h1为f2的0.13-0.2倍波长。作为优选，上述低频辐射天线阵列的中心频率为f1，所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3；所述低频振子对应的反射板一的反射面的长度为d2，高度为h1+15mm；所述d2为f1的0.5-0.8倍波长；所述反射板二的长度为d3，高度为h2，所述d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h2为f3的0.13-0.2倍波长。作为优选，上述高频振子一的两侧还设有反射板三，所述反射板三到高频振子一的距离为d4，所述d4为f2的0.2-0.5倍波长；所述反射板三的长度为d5，高度为h3，所述d5为f2的0.7-1.1倍波长，所述h3为f2的0.13-0.2倍波长。作为优选，上述高频辐射天线阵列二在远离反射板二的一侧还设有反射板四，所述反射板四到高频辐射天线阵列二的距离为d6，所述d6为f3的0.2-0.5倍波长；所述反射板四的长度为d7，高度为h4，所述d7大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h4为f3的0.13-0.2倍波长。作为优选，上述反射板二的长度等于底板的长度，所述底板的宽度为d8，所述d8为f1的0.5-0.8倍波长与f3的0.7-1.2倍波长之和。作为优选，上述相邻两个低频振子的中心之间的距离为X，所述X为f1的0.8~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子一的中心之间的距离为Y，所述Y为f2的0.7~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子二的中心之间的距离为Z，所述Z为f3的0.7~1.1倍波长；所述高频振子一的中心到高频振子二的中心之间的垂直距离为L，所述L为f2的0.7-1.1倍波长。作为优选，上述低频振子为低频超宽频“碗状”形式的振子；所述高频振子一和高频振子二均为高频段超宽频“半波”形式的振子。作为优选，上述低频振子、高频振子一和高频振子二均为铝合金压铸振子。本技术具有如下的有益效果：本技术在两侧分别设有反射板一和反射板二的底板上同时设置彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，该多端口天线可同时支持一个低频和两个高频，同时该天线有很好的隔离指标和辐射性能，性能得到大幅提升。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的主视图；图2是沿图1中A-A线的剖视图；图3是本技术的俯视图；图4是本技术的仰视图；图5是本技术中另一种实施方式的低频振子、高频振子一和高频振子二的布置情况示意图；图6是本技术图5所示实施方式中f2频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的垂直面仿真方向图；图7是本技术图5所示实施方式中f2频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的水平面仿真方向图；图8是本技术图5所示实施方式中f1频段790MHz频率、880MHz频率、960MHz频率的垂直面仿真方向图；图9是本技术图5所示实施方式中f1频段790MHz频率、880MHz频率、960MHz频率的水平面仿真方向图；图10是本技术图5所示实施方式中f3频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的垂直面仿真方向图；图11是本技术图5所示实施方式中f3频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的水平面仿真方向图；图中：1.底板；21.反射板一；22.反射板二；23.反射板三；24.反射板四；3.低频振子；4.高频振子一；5.高频振子二。具体实施方式现在结合实施例对本技术作进一步详细的说明。本技术中的长度，宽度，高度，距离单位为mm。一种一低两高多端口基站天线，如图1和图2所示，包括底板1，底板1的两侧分别设有反射板一21和反射板二22，底板1上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，低频辐射天线阵列包括若干个低频振子3，高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一4，高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二5；低频振子3和高频振子一4阵列成一条直线，等距分布在底板1上，靠近反射板一21，部分高频振子一4嵌入低频振子3；高频振子二5阵列成一条直线，等距分布在底板1上，靠近反射板二22。在具体实施方式中，低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一低两高多端口基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两侧分别设有反射板一（21）和反射板二（22），其特征在于：所述底板（1）上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二（5）；所述低频振子（3）和高频振子一（4）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板一（21），部分所述高频振子一（4）嵌入低频振子（3）；所述高频振子二（5）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板二（22）。/n

【技术特征摘要】
1.一种一低两高多端口基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两侧分别设有反射板一（21）和反射板二（22），其特征在于：所述底板（1）上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二（5）；所述低频振子（3）和高频振子一（4）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板一（21），部分所述高频振子一（4）嵌入低频振子（3）；所述高频振子二（5）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板二（22）。


2.如权利要求1所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列包括4-11个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括5-13个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括5-13个高频振子二（5）。


3.如权利要求2所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，所述高频振子一（4）对应的反射板一（21）的反射面的长度为d1，高度为h1；所述d1为f2的0.7-1.2倍波长，所述h1为f2的0.13-0.2倍波长。


4.如权利要求3所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列的中心频率为f1，所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3；所述低频振子（3）对应的反射板一（21）的反射面的长度为d2，高度为h1+15mm；所述d2为f1的0.5-0.8倍波长；所述反射板二（22）的长度为d3，高度为h2，所述d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h2为f3的0.13-0.2倍波长。


5.如权利要求4所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频振子一（4）的两侧还设有反射板三（2...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁勇，黄威，胡昂昂，
申请(专利权)人：江苏泰科微通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32