电磁屏蔽膜制造技术

本实用新型专利技术公开一种电磁屏蔽膜，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接，呈现的点纹较为柔和，从而减少干涉带来的视觉影响。

Electromagnetic shielding film

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽膜
本技术涉及电子技术，更具体地讲，本技术涉及一种电磁屏蔽膜。
技术介绍
近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器的电磁屏蔽要求越来越高，主要是要求具有较强的电磁屏蔽能力的同时，还需要尽可能的减小对视觉的影像。目前电子设备的电磁屏蔽主要采用电磁屏蔽膜，现有的电磁屏蔽膜采用的导电网格对光的干涉较为严重，影像视觉的清晰度。鉴于此，本技术通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。本技术的一个技术方案是：一种电磁屏蔽膜，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接。在其中一实施例中，复数所述椭圆形格的宽度d为：100μm≤d≤300μm。在其中一实施例中，复数所述椭圆形格包括第一椭圆形格和第二椭圆形格，所述第一椭圆形格的宽度大于所述第二椭圆形格的宽度。在其中一实施例中，所述复数椭圆形格阵列排布，在同一排内，所述第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布；在同一列内，所述第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布。在其中一实施例中，同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格通过线性网格线连接。在其中一实施例中，同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格通过外切或线性网格线连接。在其中一实施例中，所述透明承载层凹设有网格状沟槽，所述沟槽内填充导电材料形成所述导电网格，所述沟槽的截面形状为矩形或倒梯形，所述沟槽的深度h，其中2μm≤h≤8μm。在其中一实施例中，相邻所述椭圆形格相切设置或交叠设置，相切部位或交叠部位位于所述沟槽内。在其中一实施例中，相邻所述椭圆形格通过线性网格线连接，所述线性网格线与所述椭圆形格在所述沟槽内连接。在其中一实施例中，复数所述椭圆形格分布于具有X轴和Y轴的坐标内，其中，沿所述X轴方向分布的导电网格的方阻与沿所述Y轴方向分布的导电网格的方阻的差值不大于5％。本技术的有益效果：导电网格包括复数椭圆形格，呈现的点纹较为柔和，从而减少干涉带来的视觉影响。附图说明图1为本技术电磁屏蔽膜的平面示意图；图2为本技术电磁屏蔽膜的截面示意图；图3为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图4为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图5为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图6为本技术电磁屏蔽膜的另一种平面示意图；图7为本技术电磁屏蔽膜的另一种平面示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本技术揭示一种电磁屏蔽膜，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接，复数椭圆形格呈现较为柔和的点纹，干涉轻微，从而减少干涉带来的视觉影响，使得视觉上更为清晰。进一步的，复数所述椭圆形格的宽度d为：100μm≤d≤300μm。复数椭圆形格包括第一椭圆形格和第二椭圆形格，第一椭圆形格的宽度大于第二椭圆形格的宽度。复数椭圆形格阵列排布，在同一排内，第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布；在同一列内，第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布。或者，同一排内，相邻第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻第一椭圆形格和第二椭圆形格通过线性网格线连接。或者同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻第一椭圆形格和第二椭圆形格通过外切或线性网格线连接。透明承载层凹设有网格状沟槽，沟槽内填充导电材料形成导电网格，沟槽的截面形状为矩形或倒梯形，所述沟槽的深度h，其中2μm≤h≤8μm。相邻椭圆形格相切设置或交叠设置，相切部位或交叠部位位于沟槽内。或者，相邻椭圆形格通过线性网格线连接，线性网格线与椭圆形格在沟槽内连接。复数椭圆形格分布于具有X轴和Y轴的坐标内，其中，沿X轴方向分布的导电网格的方阻与沿所述Y轴方向分布的导电网格的方阻的差值不大于5％；比如，沿X轴方向分布的导电网格的方阻相等于沿所述Y轴方向分布的导电网格的方阻。以下，请参图示，举例描述本技术的电磁屏蔽膜。请参图1和图2，电磁屏蔽膜100包括透明承载层1和导电网格2。透明承载层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，第一侧面11上凹设有沟槽13。沟槽13呈相互连通的网格状，在沟槽13内填充导电材料以形成所述导电网格2。导电网格2包括复数第一椭圆形格21、复数第二椭圆形格22和线性网格线23。第一椭圆形格21的长度大于第二椭圆形格22的长度，同一排内，第一椭圆形格21和第二椭圆形格22间隔排布，即在同一列内，第一椭圆形格21和第二椭圆形格22也间隔排布，相邻两排通过线性网格线23连接。沟槽13各处的截面形状相同均为矩形设置，各处的深度h相同，h的取值范围为2-8μm，导电网格的网格线的宽度w均匀设置，w的取值范围为2-10μm，相切处的格线的宽度w稍宽0.5-1μm。填充的导电材料可以为金属导电材料、化合物导电材料或者有机导电材料中一种或者两者以上的组合；金属例如为银、金、铜、铁、镍、铝等；化合物例如为ITO；有机导电材料例如为PEDOT。请参图1，如果将导电网格置于坐标轴内，则沿X轴方向分布的导电网格的总长度相约等于沿Y轴方向分布的导电网格的总长度，则沿X轴方向分布的导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接。


2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，复数所述椭圆形格的宽度d为：100μm≤d≤300μm。


3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，复数所述椭圆形格包括第一椭圆形格和第二椭圆形格，所述第一椭圆形格的宽度大于所述第二椭圆形格的宽度。


4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述复数椭圆形格阵列排布，在同一排内，所述第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布；在同一列内，所述第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布。


5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格通过线性网格线连接。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晟，周菲，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32