【技术实现步骤摘要】
一种CMOS射频前端电路、芯片和无线通信设备
本技术涉电子与通信
，特别是一种CMOS射频前端电路、芯片和无线通信设备。
技术介绍
传统射频前端电路一般包括功率放大器、低噪声放大器、单端到差分变换器和天线，发射通路和接收通路多采用独立设计，独立工作方式。如附图1所示，功率放大器和低噪声放大器各使用一个单端到差分变换器，并且发射通路和接收通路各有一个天线开关串联进电路。这种电路有两大缺点，一是两个独立的单端到差分变换器占据非常大的芯片面积，二是发射和接收通路都含有串联的天线开关，发射和接收模式下插入损耗通常比较大。一些技术人员对电路进行了改进，如附图2所示，只将天线开关插入在功率放大器的信号通路，这样在接收时可以减小插入损耗对灵敏度的影响，但是在发射时，还是会引入一dB左右的插入损耗。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种CMOS射频前端电路、芯片和无线通信设备，减少芯片的面积，降低电源开关插入损耗。为了实现上述目的，本技术采用的第一个技术方案是：提供一种CMOS射频前端电路，其特征在...
【技术保护点】
1.一种CMOS射频前端电路，其特征在于所述射频前端电路由天线、单端到差分变换器、低噪声放大器、功率放大器组成，所述天线连接所述单端到差分变换器的一端，所述单端到差分变换器的另一端连接所述低噪声放大器的信号输入端，所述低噪声放大器的信号输出端连接外部射频收发机，所述功率放大器的信号输入端连接所述外部射频收发机，所述功率放大器的信号输出端连接所述低噪声放大器的信号输入端。/n
【技术特征摘要】
1.一种CMOS射频前端电路，其特征在于所述射频前端电路由天线、单端到差分变换器、低噪声放大器、功率放大器组成，所述天线连接所述单端到差分变换器的一端，所述单端到差分变换器的另一端连接所述低噪声放大器的信号输入端，所述低噪声放大器的信号输出端连接外部射频收发机，所述功率放大器的信号输入端连接所述外部射频收发机，所述功率放大器的信号输出端连接所述低噪声放大器的信号输入端。
2.如权利要求1所述的CMOS射频前端电路，其特征在于还包括一个电源开关，所述电源开关内置于所述低噪声放大器中，所述电源开关与所述单端到差分变换器连通或断开。
3.如权利要求2所述的CMOS射频前端电路，其特征在于所述低噪声放大器的信号输入端包括正向信号输入端和反向信号输入端，所述低噪声放大器的信号输出端包括正向信号输出端和反向信号输出端，所述功率放大器的信号输入端包括正向信号输入端和反向信号输入端，所述功率放大器的信号输出端包括正向信号输出端和反向信号输出端，所述功率放大器的正向信号输出端连接所述低噪声放大器的正向信号输入端，所述功率放大器的反向信号输出端连接所述低噪声放大器的反向信号输入端。
4.如权利要求2所述的CMOS射频前端电路，其特征在于所述单端到差分变换器由第三电感、第四电感、第五电感、第六电感构成，所述第四电感与所述第六电感串联，所述第四电感的另一端连接所述天线，所述第六电感的另一端接地，所述第三电感和所述第五电感串联，所述第三电感的另一端连接所述低噪声放大器的正向信号输入端，所述第五电感的另一端连接所述低噪声放大器的反向信号输入端，所述第三电感和所述第五电感之间连接出一共同接线点，所述共同接线点连接所述电源开关，所述第三电感与所述第四电感互感，所述第五电感与所述第六电感互感。
5.如权利要求2所述的CMOS射频前端电路，其特征在于所述低噪声放大器由第一电感、第二电感、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容构成，所述第三NMOS管、所述第一NMOS管、所述第一电感、所述第二电感、所述第二NMOS管、所述第四NMOS管依次串联连接，所述低噪声放大器的正向信号输入端...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏杰，徐祎喆，朱勇，
申请(专利权)人：北京百瑞互联技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。