一种自识别充电系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种自识别充电系统，包括电源适配器和供电装置，电源适配器包括适配器输入端口与适配器输出端口，供电装置包括供电装置输入端口和供电装置输出端口，适配器输入端口与输入电源线缆连接，以通过输入电源线缆接入交流电源，适配器输出端口与供电装置输入端口连接，供电装置输出端口与待充电设备连接，电源适配器具有识别电路，供电装置输入端口的D+端与D‑端短接。本实用新型专利技术通过设置具有识别电路的电源适配器以及与识别电路相匹配的供电装置，由供电装置给待充电设备充电，避免了误将具有与适配器输出端口型号匹配的其他待充电设备直接连接在适配器输出端口上造成设备损坏的问题，具有自适应、认设备的功能。

A self identifying charging system

【技术实现步骤摘要】
一种自识别充电系统
本技术涉及充电
，具体为一种自识别充电系统。
技术介绍
目前人们使用的电子产品越来越丰富，用于给电子产品充电的充电设备也越来越多，目前的电子产品所使用的充电接口较为类似，大多为Type-C、Lightning或Micro-USB，因此大多数充电设备的输出端都能与上述充电接口匹配，当用户错误的将供电电压不匹配的充电设备给电子产品充电时，容易造成电子产品的损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种自识别充电系统，以解决现有技术中充电系统不能够自识别待充电设备，导致不满足电压匹配条件的待充电设备接入时容易损坏的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种自识别充电系统，包括电源适配器和供电装置，所述电源适配器包括适配器输入端口与适配器输出端口，所述供电装置包括供电装置输入端口和供电装置输出端口，所述适配器输入端口与输入电源线缆连接，以通过所述输入电源线缆接入交流电源，所述适配器输出端口与供电装置输入端口连接，所述供电装置输出端口与待充电设备连接，所述电源适配器具有识别电路，所述识别电路包括MOS管Q2和MOS管Q3；所述MOS管Q3的漏极接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q3的栅极经过电阻R11与适配器输出端口的D-端连接；所述MOS管Q2的漏极与适配器输出端口的Vbus端连接，所述MOS管Q2的源极与电源适配器的内直流输出电压V+端连接；所述MOS管Q3的漏极还经过电阻R9与电源适配器的内直流输出电压V+端连接；所述适配器输出端口的D+端经过电阻R19接地，所述适配器输出端口的D+端还经过电阻R8与电源适配器的内直流输出电压V+端连接；所述供电装置输入端口的D+端与D-端短接。优选的，所述供电装置输入端口为Type-C接口。优选的，所述适配器输出端口为Type-C接口。优选的，所述MOS管Q2为P-MOS管。优选的，所述MOS管Q3为N-MOS管。优选的，所述供电装置包括供电底座和供电主体，所述供电底座与供电主体电性连接；所述供电底座具有底座输入端口，所述底座输入端口的D+端与D-端短接，所述底座输入端口与适配器输出端口连接；所述供电主体具有主体输出端口，所述主体输出端口与待充电设备连接，供电底座用于与电源适配器的识别电路匹配，供电主体可根据待充电设备的电压匹配要求设置相应的电路以调整输出电压，所述供电主体具有多个不同类型的主体输出端口，以具备同时给多个不同接口类型的待充电设备充电的功能，提高了充电效率。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过设置具有识别电路的电源适配器以及与识别电路相匹配的供电装置，由供电装置给待充电设备充电，避免了误将具有与适配器输出端口型号匹配的其他待充电设备直接连接在适配器输出端口上造成设备损坏的问题，具有自适应、认设备的功能。附图说明图1、图2为本技术的电源适配器的结构示意图；图3为本技术的一实施例中的供电装置的结构示意图；图4为本技术的电源适配器的电路结构示意图；图5为本技术的识别电路的电路结构示意图；图中：100、电源适配器；110、适配器输入端口；120、适配器输出端口；200、供电底座；210、底座输入端口；300、供电主体；310、主体输出端口。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-图5，本技术提供一种自识别充电系统，包括电源适配器100和供电装置，供电装置可以是一整体结构，也可以包括多个组成单元，在本实施例中，供电装置包括供电底座200和供电主体300，供电底座200具有底座输入端口210，底座输入端口210的D+端与D-端短接，供电主体300具有主体输出端口310；在一较佳地实施例中，供电主体300具有多个不同类型的主体输出端口310，以具备同时给多个不同接口类型的待充电设备充电的功能，提高了充电效率。电源适配器100包括适配器输入端口110与适配器输出端口120，适配器输入端口110与输入电源线缆连接，以通过输入电源线缆接入交流电源，适配器输出端口120与底座输入端口210连接，主体输出端口310与待充电设备连接，在本实施例中，底座输入端口210为Type-C接口，适配器输出端120口为Type-C接口。电源适配器100具有识别电路，如图4和图5所示，识别电路包括MOS管Q2和MOS管Q3，在本实施例中，MOS管Q2为P-MOS管，MOS管Q3为N-MOS管；MOS管Q3的漏极接MOS管Q2的栅极，MOS管Q3的源极接地，MOS管Q3的栅极经过电阻R11与适配器输出端口120的D-端连接，MOS管Q2的漏极与适配器输出端口120的Vbus端连接，MOS管Q2的源极与电源适配器100的内直流输出电压V+端连接，MOS管Q3的漏极还经过电阻R9与电源适配器100的内直流输出电压V+端连接，适配器输出端口120的D+端经过电阻R19接地，适配器输出端口120的D+端还经过电阻R8与电源适配器100的内直流输出电压V+端连接。通常待充电设备的充电接口的D+端与D-端是断开的，将通常的待充电设备连接在适配器输出端口120上时，MOS管Q2不导通，适配器输出端口120无输出电压，不会造成待充电设备的损坏；当需要充电时，如图5所示，将底座输入端口210接入适配器输出端口120，底座输入端口210的D+端与D-端短接，因此接入适配器输出端口120后，适配器输出端口120的D+端与D-端导通，MOS管Q3的栅极电压高于其源极电压，MOS管Q3导通，使得MOS管Q2的栅极接地，MOS管Q2的源极电压高于其栅极电压，MOS管Q2导通，使得适配器输出端口120的Vbus端与电源适配器100的内直流输出电压V+端连通，即适配器输出端口120具有了输出电压，之后通过主体输出端口310给待充电设备充电。需要注意的是，电源适配器100除开识别电路的其他电路部分均为现有技术，在此不详述其具体电路连接结构，本领域技术人员能够根据需要自行设置电路图中各元件的值。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自识别充电系统，包括电源适配器(100)和供电装置，所述电源适配器(100)包括适配器输入端口(110)与适配器输出端口(120)，所述供电装置包括供电装置输入端口和供电装置输出端口，所述适配器输入端口(110)与输入电源线缆连接，以通过输入电源线缆接入交流电源，所述适配器输出端口(120)与供电装置输入端口连接，所述供电装置输出端口与待充电设备连接，其特征在于：/n所述电源适配器(100)具有识别电路，所述识别电路包括MOS管Q2和MOS管Q3；/n所述MOS管Q3的漏极接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q3的栅极经过电阻R11与适配器输出端口(120)的D-端连接；/n所述MOS管Q2的漏极与适配器输出端口(120)的Vbus端连接，所述MOS管Q2的源极与电源适配器(100)的内直流输出电压V+端连接；/n所述MOS管Q3的漏极还经过电阻R9与电源适配器(100)的内直流输出电压V+端连接；/n所述适配器输出端口(120)的D+端经过电阻R19接地，所述适配器输出端口(120)的D+端还经过电阻R8与电源适配器(100)的内直流输出电压V+端连接；/n所述供电装置输入端口的D+端与D-端短接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种自识别充电系统，包括电源适配器(100)和供电装置，所述电源适配器(100)包括适配器输入端口(110)与适配器输出端口(120)，所述供电装置包括供电装置输入端口和供电装置输出端口，所述适配器输入端口(110)与输入电源线缆连接，以通过输入电源线缆接入交流电源，所述适配器输出端口(120)与供电装置输入端口连接，所述供电装置输出端口与待充电设备连接，其特征在于：
所述电源适配器(100)具有识别电路，所述识别电路包括MOS管Q2和MOS管Q3；
所述MOS管Q3的漏极接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q3的源极接地，所述MOS管Q3的栅极经过电阻R11与适配器输出端口(120)的D-端连接；
所述MOS管Q2的漏极与适配器输出端口(120)的Vbus端连接，所述MOS管Q2的源极与电源适配器(100)的内直流输出电压V+端连接；
所述MOS管Q3的漏极还经过电阻R9与电源适配器(100)的内直流输出电压V+端连接；
所述适配器输出端口(120)的D+端经过电阻R19接地，所述适配器输出端口(120)的D+端还经过电阻R8与电源适配器(100)的内直流输出电压V+端连接；
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆宁远，温春洋，
申请(专利权)人：上海棱式工业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31