一种导电膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种导电膜，其包括承载层，承载层包括相对设置的第一面和第二面，第一面上设有凹槽，且凹槽填充导电材料形成导电纹路；其中，导电材料的平均填充深度不超过凹槽深度的四分之三，这样可以有效防止导电材料的迁移，从而保证导电膜的导电性。

A conductive film

【技术实现步骤摘要】
一种导电膜
本技术涉及电子技术，尤其涉及一种导电膜。
技术介绍
随着科技的进步，透明导电膜已成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极透明表面发热器及柔性发光器件等领域中，传统的透明导电膜是基于氧化铟锡材料(ITO)通过真空镀膜、图形化蚀刻的工艺在绝缘基材上进行制备。由于铟的价格高昂且属于稀缺资源，导致ITO成本高昂；且绝缘基材上整面镀ITO再图形化蚀刻的工艺流程会浪费大量的ITO以及产生大量的含重金属的工业废液，其无疑将大大增加产品生产成本；同时，传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。目前，金属网格型透明导电膜是被看好的ITO透明导电膜的未来替代材料。在其生产过程包括为先在基板上面涂布一层UV胶或压印胶，然后将模具贴合在基板上，固化，最后脱模再沉积导电材料，然而导电材料不固定性一直是困扰导电膜的导电性的一个重要问题。
技术实现思路
基于此，本技术提供了一种导电膜以解决上述问题。本技术的一种技术方案是：一种导电膜，其包括：承载层，其包括第一面和第二面，所述第一面和第二面相对设置，所述第一面上设有凹槽，所述凹槽填充导电材料形成导电纹路；其中，导电材料的平均填充深度不超过所述凹槽深度的四分之三。在其中一实施例中，所述导电材料的填充量不大于所述凹槽容积的三分之二。在其中一实施例中，所述凹槽截面形状分别为矩形、梯形、多边形或曲边形中一种或两种以上的组合。在其中一实施例中，所述导电膜包括导电网格和电极引线，所述凹槽填充所述导电材料形成相互连通的导电网格，所述电极引线由所述导电材料形成且所述电极引线与所述导电网格电性连接。在其中一实施例中，所述凹槽包括引线凹槽，所述电极引线由所述引线凹槽填充所述导电材料形成，其中，所述导电材料的填充量不大于所述引线凹槽容积的三分之二。在其中一实施例中，若干个所述导电网格构成复数个彼此绝缘的导电通道，每个所述导电通道分别对应电性连接独立的所述电极引线。在其中一实施例中，相邻的所述导电通道之间设有配色区，所述配色区具有配色凹槽，且所述配色凹槽形成网格；所述配色凹槽中填充所述导电材料形成配色区。在其中一实施例中，所述导电膜包括基底，所述承载层位于所述基底一表面，且所述导电纹路位于远离所述基底的一侧；或，所述导电膜包括基底以及第二承载层，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述承载层位于所述基底的第一表面，且所述导电纹路位于远离所述基底的一侧；所述第二承载层位于所述基底的第一表面一侧或者第二表面一侧，且所述第二承载层远离基底一侧的表面上设有第二导电纹路。在其中一实施例中，所述凹槽填充两种导电材料或粒径不同的导电材料。在其中一实施例中，所述导电材料在所述凹槽中填充结束处的截面形状为平齐、凸起或凹陷。本技术的有益效果：利用凹槽填充导电材料形成导电纹路，其中，导电材料的平均填充量深度不超过凹槽深度的四分之三，可防止导电材料的迁移，确保导电膜的导电性能。附图说明图1为本技术一种导电膜截面结构示意图。图2为本技术一种导电膜平面结构示意图。图3为本技术一种导电膜又一种截面结构示意图。图4为本技术一种导电膜又一种截面结构示意图。图5为本技术一种导电膜又一种截面结构示意图。图6为本技术一种导电膜又一种截面结构示意图。图7为本技术一种导电膜另一种平面结构示意图。图8为本技术图7的导电膜中一种放大结构示意图。图9为本技术一种导电膜另一种截面结构示意图。图10为本技术一种导电膜又一种截面结构示意图。图11为本技术一种导电膜又一种截面结构示意图。具体实施方式了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本技术公开了一种导电膜，其包括承载层，承载层包括相对设置的第一面和第二面，第一面上设有凹槽，且凹槽填充导电材料形成导电纹路；其中，导电材料的平均填充深度不超过凹槽深度的四分之三，这样可以有效防止导电材料的迁移，从而保证导电膜的导电性。其中一实施例中，凹槽为矩形、梯形、多边形或曲边形中一种或两种以上的组合，其中，曲边形指多边形的边为曲线设置。其中一实施例中，为了增强导电膜的导电性，凹槽中填充两种不同的导电材料，其中导电材料选自石墨烯、炭、金属、金属氧化物或有机导电材料中的一种或几种，金属可以为金、银或铜等，导电金属氧化物可以为ITO等，有机导电材料可以为PEDOT；或凹槽填充粒径不同的同种导电材料如粒径分别为大于500nm的和粒径小于500nm的银纳米颗粒，这样可以增强导电膜的导电性能。其中一实施例中，导电材料在凹槽的填充结束处截面的形状为平齐、凸起或凹陷，这个依据工艺的水平或是导电材料的性质来决定。其中一实施例中，导电膜包括导电网格和电极引线，凹槽填充导电材料形成相互连通的导电网格，凹槽的深宽比不小于0.5且不大于1.5，其中，导电材料的平均填充深度不大于凹槽深度的四分之三，优选的，导电材料的填充量不大于凹槽容积的三分之二，电极引线由导电材料通过喷墨打印、蚀刻、丝网印刷或压印的方式形成，电极引线与导电网格电性连接。其中一实施例中，若干个导电网格构成复数个彼此绝缘的导电通道，每个导电通道分别有对应的一根电极引线将电信号引至外部设备，且每个导电通道连接的电极引线是独立的，这样能够使电信号的变化更及时的采集。其中一实施例中，导电膜还包括基底和设于基底与承载层之间的粘结层，基底可为聚合物、PET、PMMA或PC中的一种，粘结层主要用于将基底和承载层粘合，粘结层可为OCA胶等热固化胶。其中一实施例中，导电膜在应用于触摸屏这个领域时更多采用的是双层导电膜结构，这样便于定位位置。所述双层结构有两种模式，所述导电膜包括承载层、第二承载层及基底，基底包括相对设置的第一表面和第二表面；承载层设于基底的第一表面，导电网格位于远离基底的一侧，第二承载层位于基底的第一表面的一侧，或第二表面一侧，第二承载层远离基底一侧的表面上设有第二导电网格及第二电极引线，其中，第二导电网格和第二电极引线电性连接。第二导电网格可以由凹槽填充导电材料形成或喷墨打印、印刷、蚀刻等其他方式形成，第二导电网格的网格参数如网格深度、宽度等及网格形状也与导电网格相同或不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电膜，其特征在于，其包括：/n承载层，其包括第一面和第二面，所述第一面和第二面相对设置，所述第一面上设有凹槽，所述凹槽填充导电材料形成导电纹路；其中，导电材料的平均填充深度小于所述凹槽容积的三分之二；所述导电材料在所述凹槽中填充结束处的截面形状为凹陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种导电膜，其特征在于，其包括：
承载层，其包括第一面和第二面，所述第一面和第二面相对设置，所述第一面上设有凹槽，所述凹槽填充导电材料形成导电纹路；其中，导电材料的平均填充深度小于所述凹槽容积的三分之二；所述导电材料在所述凹槽中填充结束处的截面形状为凹陷。


2.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述凹槽截面形状分别为矩形、梯形、多边形或曲边形中一种或两种以上的组合。


3.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述导电膜包括导电网格和电极引线，所述凹槽填充所述导电材料形成相互连通的导电网格，所述电极引线由所述导电材料形成且所述电极引线与所述导电网格电性连接。


4.根据权利要求3所述的一种导电膜，其特征在于，所述凹槽包括引线凹槽，所述电极引线由所述引线凹槽填充所述导电材料形成，其中，所述导电材料的填充量不大于所述引线凹槽容积的三分之二。


5.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：江州，刘立冬，洪莘，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32