切割用基体膜制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种切割用基体膜，其因热所致的复原性高且机架回收性优异。本发明专利技术的目的还在于提供一种切割用基体膜，即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，该切割用基体膜也均匀地伸展。一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。

Substrate film for cutting

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割用基体膜
本专利技术涉及一种切割用基体膜，在将半导体晶圆切割成芯片状时该切割用基体膜贴附并固定在半导体晶圆上来使用。
技术介绍
作为制造半导体芯片的方法，有下述方法：预先以大面积来制造半导体晶圆，接着，将该半导体晶圆切割(切断分离)为芯片状，最后拾取被切割的芯片。作为半导体晶圆的切断方法，近年来，已知使用激光加工装置在不接触半导体晶圆状态下切断(分割)半导体晶圆的隐形切割。作为提高基于隐形切割的半导体晶圆的切断性(分割性)的方法，已知一种晶圆加工用带，其通过在－15～5℃的低温条件下实施扩展来抑制设置在切割带上的芯片接合膜的伸长，并且通过使应力增加的方法，而将半导体晶圆和芯片接合膜一并良好地切断(分割)(专利文献1及2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015－185584号公报专利文献2:日本特开2015－185591号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种切割用基体膜，其因热所致的复原性高、机架(日文：ラック)回收性优异。本专利技术的目的还在于提供一种切割用基体膜，即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，该切割用基体膜也均匀地伸展。本专利技术的目的还在于提供一种切割用基体膜，隐形切割(激光切割)后，在对半导体晶圆和芯片接合层进行切断(分割)的情况下，即使在低温条件(－15～5℃)及高速条件下实施扩展，该切割用基体膜也良好地伸展。用于解决课题的方案在半导体制造生产线中，希望将扩展工序后仍残留有加工过程中的制品的片(包含切割用基体膜的切割膜)暂时保管在机架中。此时若为片中残留有松弛的状态，则有引发不能良好地收纳在机架中、制品彼此碰撞而产生缺陷等问题的倾向。该机架是业界使用的名称，此外也被称为拉链(日文：ジッパー)或盒子(日文：ケース)等。为了解决该课题，需要在扩展工序后将片的松弛消除。作为其方法而存在有热收缩技术(加热收缩复原技术)。其是如下技术：对由于扩展工序而产生的松弛部进行加热，从而使该部分收缩，消除松弛(即，加热收缩所引起的复原率高)。人们要求：例如，即使在于－15～5℃的低温条件下实施了扩展的情况下，切割膜也均匀伸展，半导体晶圆被良好地切断。人们还要求：例如，在隐形切割后，即使在于上述低温条件且高速条件下实施了扩展的情况下，切割膜也良好地伸展，半导体晶圆和芯片接合层被良好地切断(分割)。本专利技术人为了解决上述课题进行了深入研究。我们发现：通过使切割用基体膜包含下述的按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成、且中间层使用聚氨酯系树脂，从而通过热收缩技术(加热收缩复原技术)可良好地消除扩展工序后的片(包含切割用基体膜的切割膜)的松弛。对于上述切割用基体膜而言，我们发现：即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，切割膜也均匀地伸展。对于上述切割用基体膜而言，我们发现：即使在于低温条件且高速条件下实施了扩展的情况下，切割膜也良好地伸展。项1.一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。项2.根据上述项1所述的切割用基体膜，其中，上述表层和/或背面层为单层或多层。项3.根据上述项1或2所述的切割用基体膜，其中，上述聚乙烯系树脂为选自支链状低密度聚乙烯(LDPE)、直链状低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯－丙烯酸甲酯共聚物(EMA)、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－丙烯酸丁酯共聚物、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物(EMMA)、乙烯－甲基丙烯酸共聚物(EMAA)及离聚物树脂中的至少1种树脂。项4.根据上述项1～3中任一项所述的切割用基体膜，其中，上述聚氨酯系树脂为热塑性聚氨酯树脂(TPU)。项5.一种切割膜，其在上述项1～4中任一项所述的切割用基体膜的表层侧依次设有粘合剂层和芯片接合层。专利技术效果若使用本专利技术的切割用基体膜，则可以更迅速且简便地进行使用后的切割膜向机架中的回收。即，本专利技术的切割用基体膜的热所致的复原性高，也即，发挥良好的热收缩性，机架回收性优异。若使用本专利技术的切割用基体膜，则即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，切割膜也均匀地伸展。若使用本专利技术的切割用基体膜，则例如在隐形切割后对半导体晶圆和芯片接合层进行切断(分割)的情况下，即使在于低温条件及高速条件下实施了扩展的情况下，切割膜也良好地伸展。具体实施方式本专利技术涉及切割用基体膜。此外，本专利技术涉及在切割用基体膜上依次设有粘合剂层和芯片接合层的切割膜。(1)切割用基体膜本专利技术的切割用基体膜，其特征在于，包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成。上述表层和/或背面层优选为单层或多层。以下对构成本专利技术的切割用基体膜的各层进行详细说明。(1－1)表层表层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物。作为表层中所含的聚乙烯系树脂，优选使用选自支链状低密度聚乙烯(LDPE)、直链状低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯－丙烯酸甲酯共聚物(EMA)、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－丙烯酸丁酯共聚物、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物(EMMA)、乙烯－甲基丙烯酸共聚物(EMAA)及离聚物树脂中的至少1种成分。通过使表层含有包含这些中的至少1种成分的树脂组合物，从而切割用基体膜的扩展性、即基材的拉伸物性优异。此外，只要不损害本专利技术的效果，则也可以配合聚丙烯系树脂。乙烯－乙酸乙烯酯共聚物(EVA)的190℃下的熔体流动速率(MFR)为30g/10分钟左右以下即可，优选为20g/10分钟左右以下，更优选为15g/10分钟左右以下，进一步优选为10g/10分钟左右以下。通过将上述MFR设为10g/10分钟以下，从而可以抑制与中间层的粘度差，因此能够稳定地制膜。另外，为了使树脂容易挤出，EVA的MFR优选为0.1g/10分钟左右以上，更优选为0.3g/10分钟左右以上。EVA的密度优选为0.9～0.96g/cm3左右，更优选为0.92～0.94g/cm3左右。支链状低密度聚乙烯(LDPE)的190℃时的熔体流动速率(MFR)优选为10g/10分钟左右以下，更优选为6g/10分钟左右以下。通过将上述MFR设为10g/10分钟以下，从而可以抑制与中间层的粘度差，因此能够稳定地制膜。另外，为了使树脂容易挤出，LDPE的MFR优选为0.1g/10分钟左右以上，更优选为0.3g/10分钟左右以上。LDPE的密度优选为0.9～0.94g/cm3左右，更优选为0.91～0.93g/cm3左右。直链状低密度聚乙烯(LLDPE)的190℃时的熔体流动速率(MFR)优选为10g/10分钟左右以下，更优选为6g/10分钟左右以下。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，/n表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，/n中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170825 JP 2017-1626131.一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，
表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，
中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。


2.根据权利要求1所述的切割用基体膜，其中，所述表层和/或背面层为单层或多层。


3.根据权利要求1或2所述的切割用基体膜，其中，所述聚乙烯系树脂为选自支链状低密度聚乙烯即LDPE...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗原启太，末藤壮一，塚田章一，
申请(专利权)人：郡是株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP