波长转换构件及光源制造技术

本申请提供具有高可靠性的波长转换构件。本申请的波长转换构件(100)具备：荧光体层(20)，其具有包含ZnO的基体(21)和埋入基体(21)中的荧光体粒子(22)；和第1保护层(30)，其包含选自ZnCl

Wavelength conversion components and light sources

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】波长转换构件及光源
本申请涉及波长转换构件及光源。
技术介绍
近年来，开发了具备发光元件及波长转换构件的光源。波长转换构件具有被埋入基体中的荧光体粒子。发光元件的光作为激发光被照射至荧光体粒子，波长长于激发光的波长的光从荧光体被放射。在该类型的光源中，进行了用于提高光的亮度及输出功率的尝试。专利文献1公开了在有机硅树脂中分散有荧光体的LED密封树脂体。专利文献2公开了使用玻璃作为基体的材料的波长转换构件。专利文献3公开了使用氧化锌(ZnO)作为基体的材料的波长转换构件。ZnO与有机硅树脂等相比，耐热性优异。ZnO是具有接近大多荧光体的折射率的折射率的无机材料，并且具有优异的透光性及导热性。根据专利文献3的波长转换构件，在荧光体粒子与ZnO基体的界面中的光散射得以抑制，可达成高的光输出功率。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2011/111293号专利文献2：日本特开2011-168627号公报专利文献3：国际公开第2013/172025号
技术实现思路
专利文献3的波长转换构件从可靠性的观点出发具有改良的余地。本申请的目的是提供具有高可靠性的波长转换构件。即，本申请提供一种波长转换构件，其具备：荧光体层，其具有包含ZnO的基体和埋入基体中的荧光体粒子；和第1保护层，其包含选自ZnCl2、ZnS及ZnSO4中的至少一种，并且覆盖荧光体层。根据本申请的技术，能够提供具有高可靠性的波长转换构件。附图说明图1是本申请的实施方式1的波长转换构件的概略截面图。图2是本申请的实施方式2的波长转换构件的概略截面图。图3是本申请的实施方式3的波长转换构件的概略截面图。图4是使用了本申请的波长转换构件的反射型光源的概略截面图。图5是使用了本申请的光源的照明装置的概略构成图。图6是样品1的波长转换构件的激光显微镜图像图。图7是样品2的波长转换构件的激光显微镜图像图。图8是表示通过电子射线显微分析仪来分析样品2的波长转换构件而得到的结果的图表。图9是表示从样品3的波长转换构件放射的光的CIE色度坐标的变化的图表。图10是表示从样品5的波长转换构件放射的光的CIE色度坐标的变化的图表。图11是表示从样品6的波长转换构件放射的光的CIE色度坐标的变化的图表。具体实施方式(成为本申请的基础的见解)在专利文献3的波长转换构件中，基体中所含的ZnO有可能与空气中的腐蚀性气体反应。ZnO与腐蚀性气体的反应经时地进行。由于上述的反应经时地进行，有可能导致从波长转换构件放射的光的色度会发生经时变化。本申请的第1方式的波长转换构件具备：荧光体层，其具有包含ZnO的基体和埋入基体中的荧光体粒子；和第1保护层，其包含选自ZnCl2、ZnS及ZnSO4中的至少一种，并且覆盖荧光体层。根据第1方案，第1保护层抑制空气中的腐蚀性气体的透过。因此，荧光体层的基体中所含的ZnO几乎不与腐蚀性气体反应。即，能够抑制ZnO与腐蚀性气体的反应经时地进行。由此，从波长转换构件放射的光的色度的经时变化得以充分抑制。即，波长转换构件具有高可靠性。在本申请的第2方案中，例如，第1方案的波长转换构件的上述第1保护层与荧光体层相接触。根据第2方案，能够充分抑制从波长转换构件放射的光的色度的经时变化。在本申请的第3方案中，例如，第1或第2方案的波长转换构件的ZnO为沿c轴取向的ZnO多晶。根据第3方案，荧光体层内的光散射得以进一步抑制。因此，在波长转换构件中，能够达成高的光输出功率。在本申请的第4方案中，例如，第1～第3方案中任一项的波长转换构件的荧光体层进一步具有填料粒子。根据第4方案，波长转换构件放射出具有所需的色度的光。在本申请的第5方案中，例如，第1～第4方案中任一项的波长转换构件的第1保护层的厚度在0.5～20μm的范围。根据第5方案，由于第1保护层充分薄，所以能够达成高的发光效率。在本申请的第6方案中，例如，第1～第5方案中任一项的波长转换构件进一步具备包含选自有机硅树脂、有机无机混合材料及玻璃中的至少一种、且覆盖荧光体层的第2保护层。根据第6方案，通过第2保护层，波长转换构件的强度提高。通过第2保护层，也能够进一步抑制腐蚀性气体的透过。本申请的第7方案的光源具备：发光元件；和接受从发光元件照射的激发光而放射出荧光的第1～第6方案中任一项的波长转换构件。根据第7方案，能够提供光的色度的经时变化得以充分抑制的光源。即，光源具有高可靠性。以下，对于本申请的实施方式，参照附图进行说明。本申请并不限于以下的实施方式。(实施方式1)如图1中所示的那样，本实施方式1的波长转换构件100具备：基板10、荧光体层20及第1保护层30。基板10支撑荧光体层20及第1保护层30。荧光体层20配置于基板10之上。荧光体层20将基板10的表面整体覆盖。荧光体层20也可以仅将基板10的表面部分地覆盖。荧光体层20的下表面与基板10的上表面相接触。第1保护层30配置于荧光体层20之上。在基板10与第1保护层30之间配置有荧光体层20。即，在波长转换构件100的厚度方向上，按照基板10、荧光体层20及第1保护层30依次排列。第1保护层30将荧光体层20的表面整体覆盖。第1保护层30也可以仅将荧光体层20的表面部分地覆盖。第1保护层30的下表面与荧光体层20的上表面相接触。荧光体层20具有基体21及荧光体粒子22。荧光体层20也可以进一步具有填料粒子23。基体21存在于各粒子间。各粒子被埋入基体21中。换言之，各粒子被分散于基体21中。在具有第1波长频带的激发光被照射至波长转换构件100时，波长转换构件100将激发光的一部分转换成具有第2波长频带的光而放射。波长转换构件100放射出波长长于激发光的波长的光。第2波长频带为与第1波长频带不同的带域。但是，第2波长频带的一部分也可以与第1波长频带重叠。对于从波长转换构件100放射的光，不仅包含从荧光体粒子22放射的光，而且也可以包含激发光本身。基板10具有基板本体11及薄膜12。基板10的厚度例如大于荧光体层20的厚度。基板本体11包含选自蓝宝石(Al2O3)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、硅、铝、玻璃、石英(SiO2)、碳化硅(SiC)及氧化锌中的至少一种。基板本体11例如可以对于激发光及从荧光体粒子22放射的光具有透光性，也可以不具有透光性。基板本体11也可以具有经镜面研磨的表面。基板本体11的表面也可以被防反射膜、二向色镜、金属反射膜、增反射膜、保护膜等覆盖。防反射膜是用于防止激发光的反射的膜。二向色镜可通过电介质多层膜来构成。金属反射膜为用于使光反射的膜，由银、铝等金属材料制作。增反射膜可通过电介质多层膜来构成。保护膜可以是用于物理或化学保护这些膜的膜。薄膜12作为用于形成荧光体层20的基底层发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长转换构件，其具备：/n荧光体层，其具有包含ZnO的基体和埋入所述基体中的荧光体粒子；和/n第1保护层，其包含选自ZnCl

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170629 JP 2017-1276381.一种波长转换构件，其具备：
荧光体层，其具有包含ZnO的基体和埋入所述基体中的荧光体粒子；和
第1保护层，其包含选自ZnCl2、ZnS及ZnSO4中的至少一种，且将所述荧光体层覆盖。


2.根据权利要求1所述的波长转换构件，其中，所述第1保护层与所述荧光体层相接触。


3.根据权利要求1或2所述的波长转换构件，其中，所述ZnO为沿c轴取向的ZnO多晶。


4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉尾幸彦，滨田贵裕，铃木信靖，长崎纯久，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP