【技术实现步骤摘要】
一种基于多个忆阻器的混沌振荡器
本专利技术涉及电路设计、通讯与信息
，具体而言，尤其涉及一种基于多个忆阻器的混沌振荡器。
技术介绍
混沌系统是一个可以产生类似随机信号的非线性系统，其具有伪随机性好、初值敏感性强、以及长期不可预测等特点，因此在保密通信、图像加密等领域有着巨大的应用价值。在实际工程领域的应用经常用到的混沌信号一般分为模拟混沌信号和数字混沌信号两种。由于仿真步长是限精度的，数字混沌信号在长时间运行下会引发混沌退化现象，所以经常导致实验结果达不到理想预期。而模拟电路产生的混沌信号是连续的，可有效地避免这种现象的发生。忆阻器是一个具有超强记忆特性的非线性电阻，它可以通过改变阻值进而控制电压和电流的变化,并且这种变化即使在断电时也可以一直保持，这些优点都是普通的电阻所不具备的。如果将其应用于计算机芯片的设计中，计算机的运行速度可能会提高数倍。所以，对于忆阻器的商业化实现一直是近期研究的热点问题之一。而在未来忆阻电路系统的设计中，能达到的最理想结果就是忆阻器可以完全取代定值电阻，所以对于具有多忆阻器电路模型...
【技术保护点】
1.一种基于多个忆阻器的混沌振荡器，其特征在于，包括：运算放大器U
【技术特征摘要】
1.一种基于多个忆阻器的混沌振荡器，其特征在于，包括：运算放大器U1、电容C1、电容C2、电容C3、两个正反二极管D1、D2、电阻R、电感L1和两个荷控忆阻器M1(q1)、M2(q2)以及一个磁控忆阻器W(ξ)，磁控忆阻器W(ξ)的一端连接运算放大器的正相输入端，两个荷控忆阻器M1(q1)、M2(q2)的一端连接运算放大器的反相输入端，电容C1的正极端连接运算放大器的正相输入端，电容C2的正极端连接电容C1的正极端，电容C3和电感L1并联且二者同时连接两个正反二极管D1、D2的一端，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的基于多个忆阻器的混沌振荡器，其特征在于，所述荷控忆阻器为荷控忆阻器的模拟等效电路，所述磁控忆阻器为磁控忆阻器的模拟等效电路。
3.根据权利要求1所述的基于多个忆阻器的混沌振荡器...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。