【技术实现步骤摘要】
一种嵌套式同轴发射异步电子注的电子光学系统
本专利技术属于真空电子
,特别涉及一种嵌套式同轴发射的异步电子注电子光学系统。
技术介绍
随着太赫兹技术在超高速通信、超高分辨率雷达、安全检查等民用和军事领域的应用,对W级功率的太赫兹源的需求越来越大。目前太赫兹源的产生方式主要是基于固态器件、光学器件以及真空电子器件。其中,真空电子器件的太赫兹源因其高功率、高效率、稳定性强等优点是目前最具潜力的太赫兹源。然而,在太赫兹波段,互作用电路也面临着这尺寸减小的问题,对当前的加工工艺也具有较大的挑战,尤其是随着频段的升高,小几何尺寸的互作用电路造成电子注传输的困难,对大电流密度的产生和聚焦有一定的挑战。为了降低加工难度并产生大功率太赫兹源,能够产生大电流、并在小尺寸的太赫兹器件中传输的大电流密度的阴极,新型太赫兹慢波结构,以及基于皮尔斯注波互作用的理论创新是当前真空太赫兹源的研究重点。其中专利“一种双电子注太赫兹折叠式行-返波放大器”就是对注波互作用的理论创新,提供了一种新型的注波互作用理论,双电子注太赫兹折叠式行-返波放大 ...
【技术保护点】
1.一种嵌套式同轴发射异步电子注的电子光学系统,其特征在于,包括:电子枪,磁聚焦系统以及收集极结构,所述电子枪依次包括:圆形电子注阴极发射面、过渡结构以及阳极,所述过渡结构至少包括:环形电子注阴极发射面。/n
【技术特征摘要】
1.一种嵌套式同轴发射异步电子注的电子光学系统,其特征在于,包括:电子枪,磁聚焦系统以及收集极结构,所述电子枪依次包括:圆形电子注阴极发射面、过渡结构以及阳极,所述过渡结构至少包括:环形电子注阴极发射面。
2.根据权利要求1所述的一种嵌套式同轴发射异步电子注的电子光学系统,其特征在于,所述阳极电势为0,过渡结构电势为-V1,圆形电子注阴极发射面电势为-V2,且V2>V1。
3.根据权利要求1所述的一种嵌套式同轴发射异步电子注的电子光学系统,其特征在于,还包括:第一聚焦极,所述第一聚焦极设于圆形电子注阴极发射面处,...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡权,高鸾凤,胡玉禄,朱小芳,杨中海,李斌,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川;51
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