磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列制造技术

本发明专利技术提供一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：在第一方向上层叠的第一磁化固定部、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层、夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层、和与所述磁记录层电连接的第一通孔部，从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。

Magnetic recording element and array with moving magnetic wall

【技术实现步骤摘要】
磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列
本专利技术涉及磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列。本申请针对2018年8月2日申请的日本国专利申请案第2018－145584号主张优先权，将其内容引用于此。
技术介绍
替代已极微细化的闪存存储器等的下一代非易失性存储器备受关注。例如，作为下一代非易失性存储器，已知有MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory)、ReRAM(ResistanceRandomeAccessMemory)、PCRAM(PhaseChangeRandomAccessMemory)等。MRAM将由磁化的方向产生的电阻值变化用于数据记录。为了实现记录存储器的大容量化，研究了构成存储器的元件的小型化、构成存储器的元件每个记录位的多值化。在专利文献1中记载有磁壁移动型磁记录元件。磁壁移动型磁记录元件通过磁壁的位置改变电阻值。通过读出该电阻值变化，磁壁移动型磁记录元件作为多值的存储器发挥功能。磁壁移动型磁记录元件通过控制磁壁而记录数据。磁壁的稳定的控制提高数据记录的可靠性。但是，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：/n在第一方向上层叠的第一磁化固定部；/n在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层；/n夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层；和/n与所述磁记录层电连接的第一通孔部，/n从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，/n从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，/n在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。/n

【技术特征摘要】
20180802 JP 2018-1455841.一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：
在第一方向上层叠的第一磁化固定部；
在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层；
夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层；和
与所述磁记录层电连接的第一通孔部，
从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，
从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，
在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。


2.根据权利要求1所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
所述磁记录层包含所述第一部分和与所述第一部分连续的第二部分，
所述第二部分位于比所述第一部分靠近所述第一通孔部的位置，并且与所述第一通孔部接触或不接触，
在所述磁记录层上，关于以与所述第二方向垂直的面切断的截面积，所述第二部分比所述第一部分大。


3.根据权利要求2所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
从所述第一方向俯视，所述第二部分的靠近所述第一磁化固定部的一侧的第一端位于所述第一磁化固定部和所述第一通孔部之间。


4.根据权利要求2所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
在所述第三方向上，所述第二部分的宽度比所述第一部分的宽度宽。


5.根据权利要求2所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度厚。


6.根据权利要求2所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
所述第二部分的截面积朝向所述第一通孔部逐渐变大。


7.根据权利要求1所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
以与所述第一方向垂直的面切断所述第一通孔部的截面积连续地变化。


8.根据权利要求1所述的磁壁移动型磁记录元件，其中，
从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的靠近所述第一磁化固定部的一侧的第一端形成直线，
所述直线主要在所述第三方向上延伸。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田章悟，佐佐木智生，寺崎幸夫，柴田龙雄，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP