一种FM/FE/FM多铁异质结及磁电耦合传感器制造技术

本发明专利技术属于微弱磁场探测技术领域，提供了一种FM/FE/FM多铁异质结及传感器，通过选择具有相反饱和磁致伸缩系数的压磁材料，合理设计正压磁层和负压磁层，所述正压磁层的材料选自Fe‑Co‑B合金、非晶软磁条带、电工软铁、稀土类‑铁合金、Fe‑Ga合金中的至少一种，所述负压磁层的材料选自CoFe

A FM / Fe / FM multi iron heterojunction and magnetoelectric coupling sensor

【技术实现步骤摘要】
一种FM/FE/FM多铁异质结及磁电耦合传感器
本专利技术属于微弱磁场探测
，涉及一种基于正负磁致伸缩系数材料的弯折型多铁异质结及超低频弱磁场磁电耦合传感器。
技术介绍
微弱磁场探测技术在基础和前沿科学(物理、化学、宇宙学等)、军事(如航空探潜、未爆弹UXO搜寻、惯性制导等)、生物医学(脑磁图、心磁图等)、地球物理(地磁模型、地磁异常磁场)、资源勘探(铁矿、金属矿床、石油等)、无损探伤(飞机机体和轮毂等)等领域都有着广泛应用。目前常用磁传感器主要有霍尔(Hall)效应传感器、各向异性磁电阻(AMR)传感器、巨磁电阻(GMR)传感器、隧道磁电阻(TMR)传感器、巨磁阻抗(GMI)传感器、质子旋进磁力仪(PPM)、光泵原子磁力仪(AMM)、磁通门计(FGM)、感应线圈+磁通门复合式(BFx-coil)、超导量子干涉器件-磁强计(SQUID-MM)等。最近出现的磁电耦合传感器其白噪声密度已达到表现出灵敏度高、量程范围大等优点，是最有前途的新一代微弱磁场传感器。专利CN105609630A公开了一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构，铁磁层的材料为全哈斯勒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FM/FE/FM多铁异质结，其特征在于，所述FM/FE/FM多铁异质结包括正压磁层、负压磁层和介于二者之间的压电层，所述正压磁层采用饱和磁致伸缩系数大于0的材料，所述负压磁层采用饱和磁致伸缩系数小于0的材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种FM/FE/FM多铁异质结，其特征在于，所述FM/FE/FM多铁异质结包括正压磁层、负压磁层和介于二者之间的压电层，所述正压磁层采用饱和磁致伸缩系数大于0的材料，所述负压磁层采用饱和磁致伸缩系数小于0的材料。


2.根据权利要求1所述的一种FM/FE/FM多铁异质结，其特征在于，所述正压磁层的材料选自Fe-Co-B合金、非晶软磁条带、电工软铁、稀土类-铁合金、Fe-Ga合金中的一种或多种；所述负压磁层的材料选自CoFe2O4、Sm-Nd-Fe合金中的一种或多种；所述压电层的材料选自钙钛矿结构压电材料、有机压电材料、氮化物压电材料中的一种或多种。


3.根据权利要求2所述的一种FM/FE/FM多铁异质结，其特征在于，所述非晶软磁条带选自Fe-Si-B、Fe-Cu-Nb-Si-B、Fe-Si-B-P、Fe-Co-Si-B，电工软铁选自1J16、1J22，稀土类-铁合金选自铽镝铁Terfenol-D、铽铁Terfenol；所述钙钛矿结构压电材料选自钛酸铅PZT、铌镁钛酸铅PMN-PT、铌锌钛酸铅PZN-PT，有机压电材料选自聚偏氟乙烯PVDF或其共聚物PVDF-TrFE，氮化物压电材料选自AlN或TiN。


4.根据权利要求1所述的一种FM/FE/F...

【专利技术属性】
技术研发人员：李山东，李进明，杜洪磊，金哲俊，李强，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：山东;37