红外线检测装置制造方法及图纸

信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。

Infrared detection device

【技术实现步骤摘要】
红外线检测装置本申请是申请日为2015年11月19日、申请号为201580076369.3、专利技术名称为红外线检测装置的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及红外线检测装置。
技术介绍
具有红外线检测元件与信号处理基板的红外线检测装置为人们所熟知(例如参照专利文献1)。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路。信号处理基板与半导体基板相对配置。多个信号处理电路配置于与半导体基板相对的区域。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开第2011-142558号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题信号处理电路在运作时会发热。多个信号处理电路在配置于与半导体基板相对的区域的情况下，由信号处理电路发出的热容易传导到半导体基板(红外线检测元件)上。因此，红外线检测元件容易受信号处理基板发出的热的影响。红外线检测元件若受热的影响则会增加暗电流。因此，本专利技术一个形态的目的在于提供一种能够抑制暗电流的增加的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外线检测装置，其特征在于，/n具备：/n红外线检测元件，具备多个像素以二维状配置的半导体基板；以及/n信号处理基板，具有处理从所述多个像素输出的信号的多个信号处理电路，以与所述半导体基板相对的方式配置，/n所述信号处理基板具有，配置有所述红外线检测元件的元件配置区域，以及从与所述信号处理基板正交的方向看以围绕所述元件配置区域的方式位于所述元件配置区域的外侧的电路配置区域，/n所述多个信号处理电路，以围绕所述元件配置区域的方式配置于所述电路配置区域。/n

【技术特征摘要】
20150218 JP 2015-0299281.一种红外线检测装置，其特征在于，
具备：
红外线检测元件，具备多个像素以二维状配置的半导体基板；以及
信号处理基板，具有处理从所述多个像素输出的信号的多个信号处理电路，以与所述半导体基板相对的方式配置，
所述信号处理基板具有，配置有所述红外线检测元件的元件配置区域，以及从与所述信号处理基板正交的方向看以围绕所述元件配置区域的方式位于所述元件配置区域的外侧的电路配置区域，
所述多个信号处理电路，以围绕所述元件配置区域的方式配置于所述电路配置区域。


2.如权利要求1所述的红外线检测装置，其特征在于，
所述信号处理基板从与所述信号处理基板正交的方向看呈矩形形状，
所述多个信号处理电路以沿所述信号处理基板的各边的方式配置于所述电路配置区域。


3.如权利要求2所述的红外线检测装置，其特征在于，
所述元件配置区域从与所述信号处理基板正交的方向看呈矩形形状，该矩形形状具有与所述信号处理基板的相对的一对边平行且互相相对的一对边、以及与所述信号处理基板的相对的另一对边平行且互相相对的一对边，
所述信号处理基板，具有与所述多个像素中对应的所述像素电连接的多个电极，
所述多个电极以与所述多个像素的配置对应的方式在所述元件配置区域二维状地配置，
所述元件配置区域由矩形形状的四个部分区域构成的情况下，在所述四个部分区域分别配置的所述电极，和以沿着与配置有该电极的所述部分区域的一边相对的所述信号处理基板的边的方式配置的所述信号处理电路连接。


4.如权利要求1～3中任意一项所述的红外线检测装置，其特征在于，
进一步具备搭载有所述信号处理基板的支撑配线...

【专利技术属性】
技术研发人员：石原正敏，山本洋夫，大重美明，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP