三态门装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种三态门装置。三态门装置包括第一反相器、第一或非门、第二反相器、第一与非门、第三反相器、第一PMOS管和第一NMOS管。利用本发明专利技术提供的三态门装置可以增加输出三态的稳定性。

Three state gate device

【技术实现步骤摘要】
三态门装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到三态门装置。
技术介绍
为了得到三个稳定的电路状态，并能够简化线路结构，为此设计了一种三态门装置。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种三态门装置。三态门装置，包括第一反相器、第一或非门、第二反相器、第一与非门、第三反相器、第一PMOS管和第一NMOS管：所述第一反相器的输入端接输入端A，输出端接所述第一或非门的一输入端；所述第一或非门的一输入端接所述第一反相器的输出端，另一输入端接输入端B，输出端接所述第二反相器的输入端；所述第二反相器的输入端接所述第一或非门的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极；所述第一与非门的一输入端接输入端A，另一输入端接输入端B，输出端接所述第三反相器的输入端；所述第三反相器的输入端接所述第一与非门的输出端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端，漏极接所述第一NMOS管的漏极并作为三态门装置的输出端OUT，源极接电源电压VCC；所述第一NMOS管的栅极接所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.三态门装置，其特征在于：包括第一反相器、第一或非门、第二反相器、第一与非门、/n第三反相器、第一PMOS管和第一NMOS管；/n所述第一反相器的输入端接输入端A，输出端接所述第一或非门的一输入端；所述第一或非门的一输入端接所述第一反相器的输出端，另一输入端接输入端B，输出端接所述第二反相器的输入端；所述第二反相器的输入端接所述第一或非门的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极；所述第一与非门的一输入端接输入端A，另一输入端接输入端B，输出端接所述第三反相器的输入端；所述第三反相器的输入端接所述第一与非门的输出端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的栅极接所述第二反相器的...

【技术特征摘要】
1.三态门装置，其特征在于：包括第一反相器、第一或非门、第二反相器、第一与非门、
第三反相器、第一PMOS管和第一NMOS管；
所述第一反相器的输入端接输入端A，输出端接所述第一或非门的一输入端；所述第一或非门的一输入端接所述第一反相器的输出端，另一输入端接输入端B，输出端接所述第二反相器的输入端；所述第二反相器的输入端接所述第一或非门的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极；所述第一与非门的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡曙敏，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33