【技术实现步骤摘要】
NMOS开关驱动电路及电源装置
本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种NMOS开关驱动电路及电源装置。
技术介绍
随着微电子技术的发展，N沟道MOSFET相较于三极管和P沟道MOSFET在高频率、大功率和高效率的开关应用场合表现出越来越明显的优势。根据其器件特性，在N沟道MOSFET栅极施加相对于源极的高压信号，能够控制N沟道MOSFET漏极与源极有效开启，设置N沟道MOSFET栅极电压跟随源极电压，则能控制该N沟道MOSFET漏极与源极有效关断。现有的NMOS开关驱动电路中，NMOS开关连接于供电电源和负载之间。当供电电源的电压上下波动时，NMOS开关的驱动电压也会遭遇下降或上升较宽的压降波动，进而导致驱动电压可能达不到NMOS开关的导通条件，如使NMOS开关处于半导通状态(即工作在线性区)，其内阻增大，NMOS开关发热严重的现象；或者导致驱动电压超过NMOS开关栅源极耐压，而导致NMOS开关击穿、短路或烧毁的情况发生。
技术实现思路
本专利技术实施例公开一种NMOS开关驱动电路及电源装置，能...
【技术保护点】
1.一种NMOS开关驱动电路，应用于电源装置中，所述电源装置设置有第一接口端和第二接口端；其特征在于，所述NMOS开关驱动电路包括：/n电源单元，用于输出第一电压；/n开关单元，电连接于所述电源单元与所述第一接口端之间，用于建立或者断开所述电源单元和所述第一接口端之间的电性连接；其中，所述开关单元包括至少一个NMOS开关；以及/n电源转换单元和驱动单元，所述电源转换单元的一端与所述电源单元相连，且另一端通过所述驱动单元与所述开关单元电连接；/n所述电源转换单元用于将第一电压转换成恒定的驱动电压后通过所述驱动单元输出至所述开关单元以驱动所述开关单元导通，进而建立所述电源单元和...
【技术特征摘要】
1.一种NMOS开关驱动电路，应用于电源装置中，所述电源装置设置有第一接口端和第二接口端；其特征在于，所述NMOS开关驱动电路包括：
电源单元，用于输出第一电压；
开关单元，电连接于所述电源单元与所述第一接口端之间，用于建立或者断开所述电源单元和所述第一接口端之间的电性连接；其中，所述开关单元包括至少一个NMOS开关；以及
电源转换单元和驱动单元，所述电源转换单元的一端与所述电源单元相连，且另一端通过所述驱动单元与所述开关单元电连接；
所述电源转换单元用于将第一电压转换成恒定的驱动电压后通过所述驱动单元输出至所述开关单元以驱动所述开关单元导通，进而建立所述电源单元和所述第一接口端之间的电性连接。
2.如权利要求1所述的NMOS开关驱动电路，其特征在于，所述NMOS开关驱动电路还包括控制单元；所述控制单元分别与所述电源转换单元及所述驱动单元电连接；所述控制单元用于输出转换信号至所述电源转换电源，且还用于输出驱动信号至所述驱动单元；所述电源转换单元根据所述转换信号将所述第一电压转换成所述驱动电压；所述驱动单元根据所述驱动信号将所述驱动电压输出至所述开关单元以驱动所述开关单元导通。
3.如权利要求1所述的NMOS开关驱动电路，其特征在于，所述NMOS开关驱动电路还包括电流检测单元；所述电流检测单元电连接于所述电源单元和所述第二接口端之间，用于检测所述电源单元的输出电流；所述控制单元还与所述电流检测单元电连接，以采集所述电流检测单元所检测到的电流信号；当所述控制单元所采集到的电流信号大于预设阈值时，所述控制单元停止输出所述转换信号和/或所述驱动信号。
4.如权利要求1所述的NMOS开关驱动电路，其特征在于，所述开关单元电连接于所述电源单元的正极和所述第一接口端之间。
5.如权利要求1所述的NMOS开关驱动电路，其特征在于，所述电源转换单元包括第一电子开关、第二电子开关及转换电源；所述第一电子开关的控制端与所述控制单元相连，所述第一电子开关的第一连接端与所述电源单元的负极相连，所述第一电子开关的第二连接端与所述第二电子开关的控制端相连；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷云，张智锋，吴健猛，陈昌喜，
申请(专利权)人：深圳市华思旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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