蚀刻后残留物清洁组合物及其使用方法技术

本发明专利技术提供一种微电子器件(半导体衬底)清洁组合物及其使用方法，该清洁组合物包含水、草酸和两种或更多种腐蚀抑制剂。

Residue cleaning composition after etching and its use method

【技术实现步骤摘要】
蚀刻后残留物清洁组合物及其使用方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年7月24日提交的美国临时申请62/702633的优先权，该临时申请通过引用整体并入本文。
技术介绍
微电子结构的制造涉及许多步骤。在制造集成电路的制造方案中，有时需要对半导体的不同表面进行选择性蚀刻。历史上，已经成功地利用了许多极为不同的类型的蚀刻工艺来选择性地除去材料。此外，微电子结构内的不同层的选择性蚀刻被认为是集成电路制造工艺中的重要步骤。在半导体和半导体微电路的制造中，经常有必要用聚合物有机物质涂覆衬底材料。一些衬底材料的实例包括铝、钛、铜、二氧化硅涂覆的硅晶片，任选地具有铝、钛或铜的金属元素，等等。通常，聚合物有机物质是光致抗蚀剂材料。这是在曝光后在显影时形成蚀刻掩模的材料。在后续处理步骤中，从衬底表面除去至少一部分光致抗蚀剂。从衬底去除光致抗蚀剂的一种常用方法是通过湿化学方式。配制用于从衬底除去光致抗蚀剂的湿化学组合物应当在不腐蚀、溶解和/或钝化任何金属电路的表面；化学地改变无机衬底；和/或攻击衬底本身的情况下从衬底除去光致抗蚀剂。另一种去除光致抗蚀剂的方法是通过干灰本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体衬底清洁组合物，其包含水、草酸和选自以下三种类型的腐蚀抑制剂中的两种或更多种类型的腐蚀抑制剂：(a)氨基酸；(b)非酚型有机酸、非酚型有机酸盐或非酚型有机酸的其他衍生物，和(c)酚和酚衍生物。/n

【技术特征摘要】
20180724 US 62/702,633;20190628 US 16/457,1191.一种半导体衬底清洁组合物，其包含水、草酸和选自以下三种类型的腐蚀抑制剂中的两种或更多种类型的腐蚀抑制剂：(a)氨基酸；(b)非酚型有机酸、非酚型有机酸盐或非酚型有机酸的其他衍生物，和(c)酚和酚衍生物。


2.根据权利要求1所述的清洁组合物，其包含一种或多种的所述类型(a)的腐蚀抑制剂和一种或多种的所述类型(b)的腐蚀抑制剂。


3.根据权利要求1所述的清洁组合物，其包含一种或多种的所述类型(a)的腐蚀抑制剂和一种或多种的所述类型(c)的腐蚀抑制剂。


4.根据权利要求1所述的清洁组合物，其包含一种或多种的所述类型(b)的腐蚀抑制剂和一种或多种的所述类型(c)的腐蚀抑制剂。


5.根据权利要求2所述的清洁组合物，其还包含一种或多种的所述类型(c)的腐蚀抑制剂。


6.根据权利要求1-3和5中任一项所述的清洁组合物，其中一种或多种的所述类型(a)的腐蚀抑制剂选自甘氨酸、组氨酸、赖氨酸、丙氨酸、亮氨酸、苏氨酸、丝氨酸、缬氨酸、天冬氨酸、谷氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙来生，李翊嘉，王莉莉，吴爱萍，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US