【技术实现步骤摘要】
电介质陶瓷组合物及层叠陶瓷电子部件
本专利技术涉及一种电介质陶瓷组合物。本专利技术还涉及内部电极层和电介质层交替层叠的层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件。
技术介绍
近年来，随着电子设备的小型化、高密度化，要求层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件的小型化、大容量化及可靠性的提高。因此，实现兼顾层叠陶瓷电子部件的电介质层的层叠数的增加及电介质层本身的薄层化和层叠陶瓷电子部件的可靠性的提高。引用文献1中公开有一种电介质陶瓷组合物，其为含有稀土元素的钛酸钡且由具有核-壳结构的晶粒构成。该引用文献1所记载的核-壳结构颗粒中，最外表面上的稀土浓度最高，壳部中的稀土浓度梯度为0.05atom％/nm以上。这种稀土浓度梯度较大的核壳颗粒中，核部与壳部的界面附近的壳部的稀土浓度比其它壳部的稀土浓度相对变低。因此，在较高的电场强度下，绝缘电阻率容易恶化，有时得不到充分的高温负荷寿命。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-239402号公报
技术实现思路
专利技术想要...
【技术保护点】
1.一种电介质陶瓷组合物，其中，/n所述电介质陶瓷组合物包含含有以通式ABO
【技术特征摘要】
20180731 JP 2018-1445291.一种电介质陶瓷组合物，其中，
所述电介质陶瓷组合物包含含有以通式ABO3表示的主成分和稀土成分R的核-壳结构的电介质颗粒，其中，A为选自Ba、Sr及Ca中的至少1种，B为选自Ti、Zr及Hf中的至少1种，R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少1种，
所述核-壳结构的壳部中的平均稀土浓度C为0.3atom％以上，根据距所述电介质颗粒的最外表面为10nm的内侧的稀土浓度和距所述电介质颗粒的核壳分界面为10nm的壳侧的稀土浓度算出的稀土浓度梯度S为-0.010atom％/nm≤S≤0.009atom％/nm。
2.一种电介质陶瓷组合物，其中，
所述电介质陶瓷组合物包含含有以通式ABO3表...
【专利技术属性】
技术研发人员：有泉琢磨，兼子俊彦，森崎信人，伊藤康裕，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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