发光层、发光设备、发光层的制造装置制造方法及图纸

提供一种发光设备，目的在于提供不包含高温工艺且适于量产的发光层以及具备该发光层的发光设备，所述发光设备包括：发光层，其有分散有量子点的感光性材料形成；第一电极，其形成在所述发光层的下层；第二电极，其形成在所述发光层的上层。

Luminescent layer, luminescent device, manufacturing device of luminescent layer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光层、发光设备、发光层的制造装置
本专利技术涉及一种具备量子点的发光层，具备该发光层的发光元件以及具备该发光元件的发光设备。
技术介绍
专利文献1公开了形成或图案化纳米结构阵列的方法。专利文献2公开了对元件基板图案化量子点层的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公告专利公报“特表2009-545883号公报(2009年12月24日公开)”专利文献2：日本公开专利公报“特开2013-56412号公报(2013年3月28日公开)”
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题专利文献1记载的方法包括使量子点的发光特性失活的高温工艺，难以适用于具备量子点的发光设备。此外，在专利文献2记载的方法中，由于难以实现发光设备的大型化和高清晰度，并且节拍时间(takttime)长，因此，专利文献2记载的方法不适用于量产工艺。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，使在发光层具备量子点的发光设备中发光颜色的分离变得容易。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述问题，本专利技术一形态涉及的发光层由分散有量子点的感光性材料形成。此外，为了解决上述问题，本专利技术的一形态涉及的发光层的制造装置进行如下步骤：对基材涂布分散有量子点的感光性材料；在所述基材上的所述感光性材料中形成曝光区域以及非曝光区域；去除所述曝光区域的至少一部分或所述非曝光区域中的至少一部分中的所述感光性材料。有益效果根据本专利技术的一形态，可以提供一种不会使量子点的发光特性失活，容易实现大型化以及高清晰度，且能够缩短节拍时间的具备量子点的发光层。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的工序截面图。图2是本专利技术的第一实施方式涉及的发光设备的俯视图以及截面图。图3是表示本专利技术的第一实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的流程图。图4是表示本专利技术的第一实施方式涉及的发光设备的发光层的制造所使用的制造装置的框图。图5是表示本专利技术的第一实施方式涉及的发光设备的发光机构的截面图。图6是表示本专利技术的第二实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的工序截面图。图7是本专利技术第三实施方式涉及的发光设备的截面图。图8是表示本专利技术的第三实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的流程图。图9是表示本专利技术第三实施方式涉及的发光设备的发光机构的截面图。图10是本专利技术第四实施方式涉及的发光设备的截面图。图11是表示本专利技术第四实施方式涉及的发光设备的发光机构的截面图。具体实施方式〔第一实施方式〕在本说明书中，从发光设备的发光层到第一电极的方向记载为“下方向”，从发光设备的发光层到第二电极的方向记载为“上方向”。图2是本实施例涉及的发光设备2的放大俯视图和放大截面图。图2的(a)是表示透过电子输送层16和第二电极18a的发光设备2的像素周边的上表面的图。图2的(b)是与图2的(a)的箭头对应的向视截面图。如图2的(b)所示，发光设备2为在形成有未图示的TFT(ThinFilmTransister，薄膜晶体管)的阵列基板4上层叠各层的结构。第一电极8a与TFT电连接，并且包括用于防止电极之间的短路的边缘罩6。在第一电极8a上具备空穴注入层10、空穴输送层12、发光层14、电子输送层16以及第二电极18a。如图2所示，被边缘罩6包围的区域是各种颜色的像素区域，包括红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP。在阵列基板4上的第一电极8a的上层从下方依次形成空穴注入层10、空穴输送层12和发光层14。阵列基板4是透明基板，该透明基板形成有与作为各像素的第一电极8a的每一个对应的TFT。作为基板的材料可以是玻璃，也可以是可弯曲的塑料。当将塑料用作阵列基板4时，可以获得柔性发光设备2。作为TFT材料包括非晶硅半导体、低温多晶硅类半导体、氧化物半导体等，优选使用氧化物半导体。氧化物半导体与非晶硅相比，迁移率高，且特性变化小。因此，具备氧化物半导体的TFT适合于更高清晰度的下一代显示装置。此外，氧化物半导体通过与低温多晶硅相比简便的工艺来形成。因此，具备氧化物半导体的TFT具有可以应用于需要大面积的装置的优点。作为氧化物半导体可以例举，由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Ga-Zn-O)、由铟(In)、锡(Tin)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Tin-Zn-O)或由铟(In)、铝(Al)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Al-Zn-O)等。第一电极8a是阳极并且具有透光性。第一电极8a也可以包括例如ITO、IZO或ISO等透明氧化物。空穴注入层10也可以包括PEDOT/PSS，例如，可以例举Clevios(注册商标)AI4083。空穴输送层12也可以包括PVK、poly-TPD、CBP、NPD或TFB等有机材料。另外，空穴输送层12也可以包括NiO或MoO3等无机材料。在发光层14的上表面上从下方依次形成电子输送层16和第二电极18a。通常，作为电子输送层16经常使用ZnO纳米粒子。此外，电子输送层16也可以包括Alq3、PBD、TPBi、BCP、Balq或CDBP等。第二电极18a是阴极并且具有光反射性。第二电极18a也可以包括Mg、Ca、Na、Ti、In、Ir、Li、Gd、Al、Ag、Zn、Pb、Ce、Ba、LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca或BaF2/Ca等。另外，在电子输送层16和第二电极18a之间也可以形成电子注入层。此处，发光层14具有量子点(半导体纳米粒子)。量子点分散在发光层14中。多个像素区域的一部分所具备的发光层具有量子点，该量子点与其他不同像素区域所具备的发光层所具有的量子点不同。例如，如图1的(a)所示，形成在各自像素区域RP、GP和BP中的发光层14分别具有红色量子点RD、绿色量子点GD和蓝色量子点BD三种量子点。量子点RD、GD和BD发出的荧光波段分别不同，且分别发出红色、绿色和蓝色作为荧光。除了量子点RD、GD和BD之外，发光层14也可以包括例如发出黄色作为荧光的量子点。量子点RD、GD和BD具有核-壳结构，也可以包括例如CdSe/ZnSe、CdSe/ZnS、CdS/ZnSe、CdS/ZnS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS或ZnO/MgO等。此处，蓝光是在400nm以上且500nm以下的波段中具有发光中心波长的光。此外，绿光是在超过500nm且600nm以下的波段中具有发光中心波长的光。此外，红光是在超过600nm且780nm以下的波段中具有发光中心波长的光。接着，参照图1和图3说明本实施方式涉及的发光设备2的制造方法。图1是用于说明发光设备2的制造方法的工序截面图。图3是本实施例涉及的发光设备2的制造方法的流程图。首先，制备具备TFT和连接到该TFT的各种配线的阵列基板4，并在阵列基板4上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光层，其特征在于，所述发光层由分散有量子点的感光性材料形成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170622 JP 2017-1226111.一种发光层，其特征在于，所述发光层由分散有量子点的感光性材料形成。


2.根据权利要求1所述的发光层，其特征在于，所述发光层具有至少三种荧光的波段分别不同的量子点。


3.根据权利要求1或2所述的发光层，其特征在于，
所述感光性材料的厚度为10nm以上且500nm以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光层，其特征在于，
所述发光层具备光聚合引发剂和光酸产生剂中的至少一种。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光层，其特征在于，
所述发光层具备负型感光性材料。


6.根据权利要求1～4中任一项所述的发光层，其特征在于，
所述发光层具备正型感光性材料。


7.一种发光设备，其特征在于，所述发光设备包括：
发光层，其为权利要求1～6中任一项所述的发光层；
第一电极，其设置在所述发光层的下层；
第二电极，其设置在所述发光层的上层。


8.根据权利要求7所述的发光设备，其特征在于，
所述发光层被切割成多个像素区域。
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【专利技术属性】
技术研发人员：兼弘昌行，石田壮史，仲西洋平，冈本翔太，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP